准连续大功率半导体激光器电源

分析了大功率半导体激光器的工作原理，论证了电源主要环节的方案。其中，主从CPU结构的控制单元具有很高的控制精度。     

准连续大功率半导体激光器电源

分析了大功率半导体激光器的工作原理，论证了电源主要环节的方案。其中，主从 ＣＰＵ结构的控制单元具有很高的控制精度。     

808nm大功率半导体激光器的装配

本文介绍了一种装配８０８ｎｍ大功率半导体激光器的新方法。用Ｐ面朝下的方法 利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管理芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阀值电流，提高了光电转换效率。     

大功率GaAs基半导体激光器腔面膜一次性制备技术

大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。     

大功率半导体激光器的远场分布特性

对于以TM模工作的大功率半导体激光器,利用矢量瑞利衍射积分公式,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,并与标量非傍轴理论进行了比较．结论表明, 大功率半导体激光器的矢量光场和标量光场的光强分布和远场发散角都有一定差异,光强误差随光波的传输距离的增加而减小,随着垂直于结平面方向坐标的增大,误差也增大; 发散角误差与波导结构参数有关．     

GaAs基大功率半导体激光器无氧解理钝化技术研究

大功率半导体激光器失效的一个主要原因是半导体激光器的腔面退化,由于空气中解理时氧化而引起。针对性地设计了一种与磁控溅射台配合使用的惰性载气保护条件下的无氧解理操作台。采用磁控反应溅射腔面SiNx钝化膜工艺,获得了最高输出功率比未镀膜的器件高65.7%,比湿法钝化技术的器件提高约21%的器件。证明无氧解理SiNx钝化技术是一种有效的减少腔面界面态,提高大功率半导体激光器COD阈值的技术手段。     

808nm大功率半导体激光器的装配

本文介绍了一种装配808nm大功率半导体激光器的新方法。用P面朝下的方法装配有利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阈值电流，提高了光电转换效率。     

实用化半导体激光器组件的电路模型分析

本文首次提出利用网络节点法对实用化半导体激光器(LD)组件的电路模型进行较为详细的分析,并建立了一套通用软件.利用该方法,可以很容易地得到LD 组件的频响能力,并找出影响频响的主要因素.     

用于大功率半导体激光器封装的Au-Sn合金焊料的制备和特性研究

介绍了具有极好热特性、电特性和机械特性以及相对低的熔化温度的Au(80wt.%-Sn(20wt.%)共熔合金焊料的制备方法和过程,研究了用于焊接大功率半导体激光器的Au-Sn合金的特性,并探讨了获得可靠焊接应注意的问题。     

双运放电调制实现半导体激光器超混沌

采用简单双运放单元功能电路通过半导体激光器构造出激光电参数混合调制系统,并在电参数调制下实现了激光器超混沌.该超混沌模型建立为以后利用电信号对光通信的混沌控制提供必要条件.     

实用半导体激光电源的研制

分析了半导体激光器的特性及损坏的各种原因，介绍了一种实用的半导体激光电源，该电源已成功地应用于我们研制的光纤测温仪中。     

高功率窄脉冲半导体激光器模块的研究

为获得脉冲宽度窄、前沿上升速度快的大功率激光输出,以提高激光引信等武器装备抗干扰的性能,设计出了一种由高压电源、驱动电路及多管芯激光器组成的高功率窄脉冲半导体激光器模块。激光器采用多管芯串并联组合发光的方式,驱动电路部分实现高压储能放电,使用了高速开关断器件MOSFET作为LD放电回路的开关,应用板载技术进行封装。在较大光功率输出的同时,脉冲波形宽度更窄、前沿上升速度更快。最后经OrCAD/Pspice软件进行仿真分析。实验结果表明,模块实现了高功率窄脉冲的激光输出,得到脉冲宽度为8ns、上升时间为2ns的窄脉冲,最大输出功率可达200W。     

一种参数连续平稳可调的1阶等效电路

为解决现有1阶负载电容参数难于实现平稳连续可调问题,设计了一种1阶等效电路。该电路基于PWM控制原理,借助对脉宽占空比的控制,调整有源电路的电流与电压,实现对电路中电容参数的平稳连续调节。分析了该1阶电路的等效性,误差分析表明,随着开关频率的提高,误差逐渐减小。通过实验仿真,对在线连续调节占空比时等效电路与实际电路的阶跃响应曲线进行分析,当开关频率为100 kHz,在占空比δ分别为20%、50%、80%时,最大误差分别为1.598×10^－3、2.49×10^－3、1.588×10^－3,等效曲线与实际曲线几乎是重合的,其误差可忽略不计。仿真实验验证了该1阶等效电路的可行性,为解决1阶负载电容参数难于平稳连续可调提供了一种新思路。     

应用等效电路模型的频率选择表面有效分析

给出了一种基于等效电路模型的频率选择表面(FSS)快速分析方法。对任意形状单元的FSS结构,采用并联组合形式的LC等效电路,并通过全波模式展开分析,采用线性最小平方拟合和线性代数方法求得到其等效电路参数。对三极形单元夹嵌FSS结构实例的分析表明,文中方法与全波分析结果的一致性非常好,并便于FSS结构的最优化设计,可扩展到多层FSS结构的分析。     

压电变压器等效电路参数测量及性能模拟

压电变压器与传统的电磁变压器相比较,具有体积小、重量轻、升压比高、不易燃、无电磁污染等特点,是电子信息系统中不可或缺的重要元件,因而获得广泛应用。该文用Y参数等效电路模型,通过Agilent-4294A测得了径向振动压电变压器的相关等效电路参数:R、L、C、Cd1和Cd2,并比较了参数的测试值与理论值,分析了其误差。将所得参数带入物理等效电路模型,模拟和分析了径向振动压电变压器的升压比、输出功率和转换效率随负载变化的特性。     

忆感等效电路的特性分析与实验验证

忆感器是从忆阻器概念推演出来的一个新的具有记忆功能的非线性电路元件。基于忆感近似等效电路模型,采用一个有源磁控忆阻器实现等效电路中的忆阻器,建立了忆感近似等效电路的状态方程组;借助MATLAB数学工具软件,进行了等效忆感器特性的数值仿真分析。结果表明,等效忆感器的韦安关系呈现典型的紧磁滞回线特性,且依赖于外加电压激励频率。通过有源磁控忆阻器的等效电路进行了忆感近似等效电路的实验验证,实验测量结果和数值仿真结果基本一致,说明了忆感近似等效电路模型的正确性。     

电力半导体功率器件驱动电路设计

本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。     

连续半导体激光器驱动电源

本文介绍了由单片机控制的连续半导体圾光器驱动电源,系统的阐述了其工作原理、软硬件构成。实际应用表明,本驱动电源具有智能化程度高、抗干扰能力强、电源稳定度高、对激光器无损害等优点。