Ni/Cu电极耐中压MLCC的试制

Ni/Cu电极MLCC具有高可靠性、低成本的特点,但是耐中高压性能较差.本文通过下述设计与改进后的工艺制得耐中压的Ni/Cu电极MLCC:介质叠层40层,介质层厚度为55um,在高温烧结后在40PPM的O2中再氧化3小时,制作出容量为1μF,尺寸为3035规格,温度系数是X7R特性的MLCC产品,该MLCC平均耐电压达到了950V,可以满足500V工作电压的要求.     

HVArc Guard MLCC：表面贴装多层陶瓷电容器

随着Vishay在高压多层陶瓷电容器（MLCC）技术上的一系列突破,Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC,比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质,电压等级从直流250V到直流1000V。     

用HVArc Guard MLCC防止照明应用中的电容器电弧放电

随着Vishay在高压多层陶瓷电容器(MLCC)技术上的一系列突破,Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC,比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质,电压等级从直流250V到直流1000V。     

高级音响VIOLA的品牌故事

随着Vishay在高压多层陶瓷电容器（MLCC）技术上的一系列突破，Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC，比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。这些新的HVArcGuard电容器采用NP0和X7R电介质，电压等级从直流250V到直流1000V。     

用HVArc Guard MLCC防止照明应用中的电容器电弧放电

随着Vishay在高压多层陶瓷电容器(MLCC)技术上的一系列突破,Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC,比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用.这些新的HVArc Guard电容器采用NPO和X7R电介质,电压等级从直流250V到直流1000V.     

真空电子技术

0463 2005010061流状电极结构对大气压表面放电的影响/张锐,汪磊,徐蕾,程诚,詹如娟(中国科技大学)11真空科学与技术学报一2004,24(3)一216一218研究了梳状电极结构对大气压表面放电的影响,发现频率固定时放电电流随着外加电压的增加而增加,而电压固定时在某个颇率范围内放电电流有最大值;在相同的电压和频率下较宽的电极条宽可以产生较大的放电电流,而电极条间距又们玫电电流几乎没有影响;用整块金属板做接地电极相比于梳状接地电极可以产生较大的放电电流;另外,较厚的电压电极可以在介质板表面产生更明亮、厚度更大的放电等离子体.图5参5(…     

多层陶瓷电容器的失效分析

采用外观观察和金相分析方法,对绝缘电阻偏低的多层陶瓷电容器(MLCC,简称为C1)、以及无容值且端电极短路的MLCC(简称为C2),进行了失效原因分析,研究了这两种MLCC的失效机理。结果表明:C1的失效是因电路板过度弯曲使电容器受到过大的机械应力,以致C1内部产生裂纹;C2的失效是因额定电压为500 V,耐压不足而致电压击穿,产生瞬间高压裂纹。生产过程中避免电路板弯曲及选用匹配的电容器,可有效降低MLCC的失效率。     

铝阴极氧化对同位素氦氖气体放电参数的影响

铝通常用作气体放电装置的阴极,经过表面氧化达到提高电子发射和耐正离子轰击的效果。本文采用自制的理想平行电极放电管对铝阴极做不同时间的放电氧化,模拟环形氦氖激光器的放电过程,研究了铝阴极氧化对气体放电参数(着火电压、灭火电压和正常辉光放电最大电流密度)的影响。根据实验测得的各个参数值,结合辉光放电的公式,计算了每个放电参数相应的阴极次级电子发射系数γ随氧化时间变化的值,结合电镜对氧化表面含氧量的测试分析了实验发现的现象。     

人体静电放电参数对带电电压的依赖关系研究

在带电电压为200～3000V的范围内测量了带电人体放电电流和上升时间,计算了其他放电参数;研究了放电参数与电压和电板速度的相关性.将RampeWeizel定理用于空气中带电人体的小间隙静电放电模型.观察发现在电压为800V时放电参数在电极运动速度影响下出现临界值.当电压高于1000V,或低于600V时,电极移动速度对放电参数的影响出现降低的趋势.     

Ni电极X8R多层陶瓷电容器的制备及性能

采用具有抗还原性的X8R瓷粉、镍内电极浆料和柔性导电端头浆料为原料,制备了Ni电极X8R多层陶瓷电容器(MLCC),研究了烧结升温速率以及柔性导电端头浆料对所制MLCC性能的影响。结果表明:最佳烧结升温速率为2℃/min,制备的Ni电极X8R-MLCC在-55～+150℃范围内,容量变化率≤±15%,电性能优良,可靠性高,适用于汽车电子等高温应用领域。     

大容量MLCC的工艺设计

采用四层端电极(Ni/Cu/Ni/Sn)结构设计,底层为Ni,电镀Cu/Ni/Sn的工艺方法,制作了大容量MLCC。研究了四层结构和三层结构(Cu/Ni/Sn)对电容量等基本电性能、可靠性和内应力的影响。结果表明:制作1206规格10μFMLCC,C为9.86～10.46μF、tanδ为(360～390)×10–4、绝缘电阻≥1.5×108Ω、耐电压值为175～205V,四层结构与三层结构电性能相当。可靠性测试中,四层结构抗机械和热冲击能力提高了20%,且有利于瓷体内应力释放。     

MLCC击穿原因浅析

从MLCC内部结构入手,分析了造成其电场畸变和电流分布不均匀的原因。运用有介质时的高斯定理,论证了在某些位置上非均匀电场强度要大于均匀电场强度。在MLCC内电极当中,处于最外边的上、下两个电极层所承受的电流相对较小,越靠近外电极,内电极层流过的电流越大。在此基础上,提出了在MLCC内部容易出现电压击穿和电流击穿的部位。     

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。     

Break arc study for the new electrical level of 42 V in automotive applications

In order to fulfil the increasing need for electric power in automobiles, to satisfy the new environmental requirements and to decrease the weight of cars, the electrical supply, must be changed from the current 14 V to 42 V. In the present work using 42 V, we have studied arc parameters such as break arc duration and extinction gap for different materials, contact opening speeds and circuit loads (correlated with the time constant of the circuit, L/R). We have established that these main arc parameters are greatly enhanced compared to the 14 V arc studied in our previous work. In the case of an inductive or a resistive load, it has been found that there are two domains: a low current domain where the material has no significant effect, and a high current domain where some materials (primarily AgSnO/sub 2/) induce high arc durations and large extinction gap. In addition, increasing the opening speed reduces arc duration in all cases. The increased opening speed can however, increase the extinction gap for inductive loads and decrease it for resistive circuits. We have found that reducing arc duration is always beneficial with regards to erosion but in some cases, however it may increase the extinction gap.     

一种高压功率器件场板技术的改进与设计

为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法。通过调节金属场板和多晶硅场板的长度,使金属场板覆盖住多晶硅场板,最终使得两者的场强相互削弱,从而减小表面最大电场。采用TCAD(ISE)软件对该结构进行仿真验证,结果表明该结构能够在保证高耐压的前提下减小表面最大电场。基于所提方法,设计出了一种七个场限环的VDMOSFET终端结构,其耐压达到了893.4 V,表面最大电场强度只有2.16×10⁵ V/cm,提高了终端的可靠性。     

纳米多孔硅的场致电子发射性能研究

对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右.室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流.多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上.

Abstract：

Nanoscale porous silicon (PS) was prepared by anodic oxidation, cathode reduction and surface treatment technique. The porous silicon particles with the average diameter of about 30 nm were obtained by characterizing their microstructure with atomic force microscope (AFM). Electron field emission characteristics of porous silicon were investigated at room temperature. The resuhs demonstrate that porous silicon has favorable electroluminescence properties, and the field emission current can be generated only under the electric field of 5 V/ μm. And the turn - on voltage is about 1 000 V. With the increase of the offered voltage, the emission current is enhanced and the emission voltage is over 2 000 V.     

激光-熔化极脉冲电弧复合焊接的双重导电机制

对激光-电弧复合焊接的稳弧机理始终存在不同的观点。通过高速摄像机和光谱分析仪对比研究了激光与电弧复合前后电弧形态发生的变化。研究发现复合后电弧呈现一种全新的形态,具有两个独立的导电通道,这种现象被称为"双重导电机制"。这种机制对维持电弧稳定和保证焊缝成型良好具有非常重要的意义,正是激光-电弧复合焊接高速焊接过程中稳弧的关键所在。研究还发现"双重导电机制"的建立过程存在时间顺序,辅助导电通道首先是从激光小孔周围建立起来,然后逐渐扩展到整个电弧区域。各种焊接参数对"双重导电机制"也存在明显的影响。     

SBFL结构SiGe HBT器件的击穿特性研究

对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形分布变成双三角形分布。仿真结果表明,该器件结构的击穿电压由原有的3.6 V提高到5.4 V,提高了50%。     

GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析

通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。