FeZrBNb单层膜的巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究了制备条件、制备工艺对薄膜样品巨磁阻抗效应的影响.结果表明,增大薄膜的厚度可以提高样品的阻抗比,13 MHz下,厚度为10.8 μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比为2.5％;在制备过程中加磁场可以在薄膜中感生出磁各向异性场,进而提高薄膜的阻抗比.同时,退火可以提高材料的软磁特性,增强薄膜的巨磁阻抗效应,对薄膜进行退火处理后,薄膜的纵向和横向阻抗比分别提高到1.7％和1.5％.     

基于巨磁阻抗效应的微磁传感器设计与实现

介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%.在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环节的电路设计.通过优化传感器电路相关的工作参数,改善了传感器输出性能并给出了典型结果.在常温下,非晶带激励电流频率为10 MHz时得到了非晶带...     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发，它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点，已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面。     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面.     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面.     

基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器

本文利用CoFeNbSiB非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应制作了一种新型微磁场传感器.该传感器尺寸小,灵敏度高,反应速度快,且不需要预热.文章中具体介绍了非晶丝的特性、传感器的硬件及软件设计.     

基于磁致伸缩多层膜的磁声表面波传感器

研究了一种基于FeCoSiB/SiO_2多层膜的磁声表面波(MSAW)传感器,其中FeCoSiB/SiO_2多层膜制备在石英声表面波(SAW)谐振器上。在外加磁场发生变化时,FeCoSiB/SiO_2多层膜通过巨杨氏模量效应影响压电衬底表层的相速度,进而改变SAW的谐振频率。通过设计和优化磁致伸缩多薄膜的结构和软磁性能,不仅获得磁致伸缩层总厚度与谐振器品质因数的关系,而且成功使磁敏传感器的灵敏度(Δf/H,即施加单位磁场时的谐振频率的变化量)提升了2个数量级,达到419 Hz/μT。在此基础下,探讨了Δf-H曲线在难、易轴方向表现出蝴蝶型和回线型特性的机理。由于该传感器具有很高的磁场灵敏度和良好的方向选择性,在微弱磁场(如地磁场)检测领域将具有极高的实用价值。     

基于铁基非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器

本文叙述了利用铁基非晶丝的磁敏特性和石英晶体振荡器,设计制作了一种新型巨磁阻抗磁敏传感器,并对其性能进行了测试,实验结果表明,该传感器具有良好的性能,可以作为弱磁场探测,在地磁测量、弱电流检测等方面有良好的应用前景.     

GMI传感器的设计与性能分析

通过分析传感器工作原理,利用Co基非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应设计了传感器电路.选用晶振和反向器74HC04D产生频率为10MHz的脉冲电流激励,通过偏置和反馈提高了传感器的线性度和测量范围.该传感器具有灵尺寸小、灵敏度高、非接触、稳定性好等优点,可用于弱磁探测领域,如电路板的在线检测.     

巨磁阻抗传感器应用研究最新进展

利用零磁致伸缩非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应,可制得新一类灵敏度高、响应快、功耗低、体积小的微型磁电式传感器。介绍了目前几种基于巨磁阻抗效应的传感器,包括磁场传感器、扭矩传感器、汽车交通监测系统和生物传感器等的工作原理和特性。     

采用超磁致伸缩薄膜的光纤磁场传感器

采用马赫-曾德尔干涉仪,对TbDyFe超磁致伸缩薄膜/光纤传感器的磁探测性能进行了实验测试.结果表明:在1 kHz调制频率附近,传感器对磁场具有最大的信号响应;在恒定直流磁场及调制磁场强度小于1 kA/m的条件下,系统输出信号大小随调制磁场强度线性增加;在35～50 kA/m的直流磁场范围内,传感器可探测的最小磁场变化为8.6×10-2A/m.     

ZnO薄膜的制备及其热辐射性能研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了不同厚度的氧化锌薄膜。研究了不同的溶胶配比、浓度对热辐射性能的影响。结果表明,当溶胶配比为1：1、浓度为0．8％时,ZnO薄膜的热辐射性能最好,吸波能力最强。用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜的组织结构和形貌进行了表征。结果表明,该ZnO薄膜呈（002）面择优取向的六方纤锌矿晶体结构,具有较好的结晶性能。     

BST陶瓷膜制备方法及优化

采用微波加热技术和添加高分子分散剂,通过sol-gel法制备BST纳米粉体,再将纳米粉分散于BST溶胶中,通过分步甩胶工艺,制备BST陶瓷膜。XRD图谱显示,制备的BST陶瓷呈现典型的钙钛矿相结构;SEM照片显示,分步甩胶工艺制备的BST膜表面平滑,无裂纹。     

CdS薄膜的制备及其性能

采用化学池沉积(CBD)法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2 玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,计算出CdS薄膜的能隙宽度和电导激活能,阐述了CBD法中CdS薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响.结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2 玻片效果最佳     

软磁非晶丝巨磁阻抗效应传感器研究进展与应用

基于软磁非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)的传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一.非晶丝具有良好的软磁特性:如低电阻率、高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗以及特殊的磁畴结构等,利用其GMI效应制成磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗.本文讨论了软磁非晶丝巨磁阻抗效应的机理,叙述了非晶丝GMI传感器的研究进展,着重对敏感材料性能及制备、GMI器件结构形式、传感电路等作了介绍,并指出了GMI目前存在的问题及将来的发展趋势.最后对GMI的应用作了展望.     

聚乙烯醇–氯化锂湿敏薄膜的制备与表面形貌

为了制得均匀完整的薄膜,以提高薄膜的湿敏性能,采用溶胶–凝胶工艺和提拉成膜技术,以正硅酸乙酯、异丙醇铝等金属醇盐为原料,将适量的聚乙烯醇(PVA)加入其中,在氧化铝陶瓷基片上制备出了孔率更大、更均匀的复合湿敏薄膜。实验表明:薄膜先体溶胶粘度与放置时间、温度和PVA的含量有关;薄膜的表面形貌与PVA的含量、先体溶胶的粘度等密切相关;同时用干涉显微镜测试了一层湿敏膜的厚度为0.13 mm。     

溶胶-凝胶工艺制备SrTiO3纳米薄膜的研究

采用溶胶-凝胶方法,以醋酸锶、钛酸四丁酯为前驱体,乙酰丙酮为螯合剂,乙二醇甲醚为溶剂,乙酸为助溶剂和催化剂制备溶胶,用旋涂法在Si(100)衬底上制备出了具有典型钙钛矿型结构的SrTiO3纳米薄膜.用XRD、AFM、SEM和椭圆偏光仪等手段分析了薄膜的性能,结果显示薄膜的表面均匀、无裂纹、厚度20～30nm,折射率1.75～1.85,晶粒度35～60nm,表面平均粗糙度RMS为3.4～3.8 nm,晶粒形貌呈类圆锥形态.     

Formaldehyde OTFT Sensors Based on Airbrushed Different Ratios of P3HT/ZnO Films

The formaldehyde (HCHO) detecting at room temperature is of great significance. Different ratios of P3HT/ZnO composite films (3:1, 1:1, and 1:3) were deposited on the organic thin film transistor (OTFT) by spray-deposition technology, and the electrical properties and HCHO-sensing properties of all the prepared OTFT devices were measured by Keithley 4200-SCS source measurement unit. The results show that the OTFT sensor based on the P3HT/ZnO films with the ratio of 1:1 exhibited the best output and transfer curves. Different changing tendency were observed with the increase of ZnO proportion when exposed to HCHO at room temperature, and the device with the ratio of 1:1 behaved a good response and recovery characteristics.     

垂直靶向脉冲激光沉积制备ZnO纳米薄膜

用一种新颖的制备纳米粒子与薄膜的垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)方法,在室温及空气气氛下,于玻璃基底上成功地制备出ZnO纳米薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对ZnO纳米薄膜的表面形貌和结构进行了表征,用荧光光谱仪对薄膜的光致发光(PL)性能进行了测量.结果表明,当激光功率为13 W时,沉积出的粒子大小较均匀,尺寸在40 nm左右,且粒子排列呈现出一定方向性;当激光功率为21 W时,沉积的ZnO纳米薄膜图呈现出微纳米孔的连续薄膜.在玻璃基底上沉积的ZnO纳米薄膜有一主峰对应的(002)衍射晶面,表明ZnO纳米薄膜具有良好的c轴取向性.不同激光功率下沉积ZnO纳米薄膜经500 ℃热处理后的PL峰,其强度随激光能量而变化,最大发光波长位于412 nm.