一款用于驱动耳机的低噪声低功耗音频功率放大器的设计

报道了一款低噪声、低功耗、增益可调的音频功率放大器的设计. 该功率放大器在电源电压为5V，输入信号频率为1kHz，驱动负载为16Ω，输出功率为120mW时的总谐波失真仅为0.1%. 此音频功率放大器的增益允许以每台阶为15dB在+12~-34.5dB之间变化，共32个台阶，内部的放大器电路是该用于驱动耳机的音频功率放大器的核心. 介绍了功率放大器的电路结构、放大器的主要模块、最终版图和测试结果，最后此电路在上华0.6μm双层多晶硅、双层金属的CMOS工艺上实现.     

一款用于驱动耳机的低噪声低功耗音频功率放大器的设计

报道了一款低噪声、低功耗、增益可调的音频功率放大器的设计.该功率放大器在电源电压为5V,输入信号频率为1kHz,驱动负载为16Ω,输出功率为120mW时的总谐波失真仅为0.1%.此音频功率放大器的增益允许以每台阶为1.5dB在+12～-34.5dB之间变化,共32个台阶,内部的放大器电路是该用于驱动耳机的音频功率放大器的核心.介绍了功率放大器的电路结构、放大器的主要模块、最终版图和测试结果,最后此电路在上华0.6μm双层多晶硅、双层金属的CMOS工艺上实现.     

一种新型的超低THD，低功耗CMOS音频功率放大器

提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有低功耗、超低THD、易于补偿、驱动能力强等优点.采用1st silicon0.25μm 1P4M工艺制备,在3V电源电压下,驱动8Ω‖ 300pF的负载,其输出摆幅可以达到4Vpp,静态功耗小于3mW.在1kHz的正弦波激励下,其THD小于0.003%.还提出了一种新型的过流保护电路,可以对片内大功率输出级电路进行有效的保护.     

一种电流复用共栅低噪声放大器的低功耗433/915-MHz射频前端的设计

This paper presents a wideband RF front-end with novel current-reuse wide band low noise amplifier(LNA),current-reuse V –I converter,active double balanced mixer and transimpedance amplifier for short range device(SRD) applications.With the proposed current-reuse LNA,the DC consumption of the front-end reduces considerably while maintaining sufficient performance needed by SRD devices.The RF front-end was fabricated in 0.18 μm RFCMOS process and occupies a silicon area of just 0.11 mm2.Operating in 433 MHz band,the measurement results show the RF front-end achieves a conversion gain of 29.7 dB,a double side band noise figure of 9.7 dB,an input referenced third intercept point of –24.9 dBm with only 1.44 mA power consumption from 1.8 V supply.Compared to other reported front-ends,it has an advantage in power consumption.     

一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路

在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好.     

一种BTL低静态功耗CMOS音频功率放大器的设计

对AB类CMOS音频功率放大系统中的核心运放单元电路结构,即基于共漏与共源并联组合的功率级放大电路进行了改进与优化设计a基于CSMC0.6 μm CMOS工艺的仿真结果表明,在5 V电源电压下,静态电流仅为1.59 mA.BTL模式驱动4 Ω的负载,当1 kHz频率点的总谐波失真小于0.1%时,获得的最大输出功率可以达到2 W,电源转换效率为60.7%.     

无源射频电子标签模拟前端的设计与分析

提出了与ISO/IEC 18000-3兼容的高频无源射频电子标签模拟前端.分析了设计中的考虑因素,尤其是射频电子标签的能量传输.基于这些分析,提出了一种新架构、高能量转换效率、低电压、低功耗、在噪声和能量波动环境下具有高性能的模拟前端.此电路在Chartered 0.35μm标准CMOS工艺下实现,测试结果表明芯片能很好地满足设计要求.     

低噪声功率放大器设计

设计了一种满足全双工通信模式的功率放大器。重点介绍了降低输出噪声的设计方法,对分析指标进行了计算;同时对功率放大器热保护电路进行描述;最后给出了测试结果,满足了设计指标要求。该功率放大器已应用于某全双工通信设备且工作良好。     

一种2.4 GHz低功耗可变增益低噪声放大器

设计了一种工作频率为2.4 GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8 mW时,最高增益为35 dB,对应的噪声系数为1.96 dB;最低增益为5 dB,对应的输入3阶交调点为3.2 dBm。     

音频功率放大器的CMOS电路设计

完成了一种桥式连接音频功率放大器的仿真和设计。该音频功率放大器的主体为桥式连接的两个运算放大器,使用尽可能小的外部组件提供高质量的输出功率,不需要输出耦合电容、 自举电容和缓冲网络。应用Cadence的Spectre模拟仿真工具进行电路仿真,得到其电路指标如频响特性、电源电压抑制比、总谐波失真等均达到要求。该音频功率放大器具有良好的市场应用前景。     

用于无线传感网络低功耗亚阈值CMOS低噪声放大器设计

设计一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS低噪声放大器(LNA),用于无线传感网络.为了满足低功耗和高增益,设计使用共源共栅(cascode)结构并利用UMC 65nm工艺库进行仿真分析.仿真结果表明,在780MHz中心频率下,电路的增益大约34 dB,功耗仅为55μW,电源电压为1.2V.     

双频带低噪声放大器设计

基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器.放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响.输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配.结果表明,该低噪...     

S波段低噪声放大器仿真设计

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,分析了影响放大器稳定性、噪声系数、功率传输的主要因素,运用Agilent公司的EDA软件ADS仿真设计了两级级联结构的放大器。仿真结果表明放大器在2150～2 400MHz的频率范围内,噪声系数<0.5dB,输入驻波比<1.4,输出驻波比<1.14,增益为(26.2±0.5)dB,并且在全频带内无条件稳定。     

GPS接收机低噪声放大器设计

选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。实测结果显示,在1 520～1 600 MHz工作频带内,噪声系数<05 dB,小信号增益>16 dB,输入驻波比<2,输出驻波比<15。     

2.5W低噪声CMOSD类音频功放设计

提出了一种基于0.5μm5VCMOS工艺的低噪声PWM调制D类音频功率放大器。该放大器在5V电源电压下以全桥方式可以驱动4Ω负载输出2.5W功率;转换效率等于87%,信噪比达94dB(负载8Ω,输出功率1W);THD+N仅0.05%(负载4Ω,输出功率1W);PSRR为68dB(频率1kHz)。分析了整体电路结构及其线性化模型,并着重介绍了高性能前置斩波稳定运算放大器(开环增益117dB,等效输入噪声16μV.Hz-1/2),线性三角波振荡电路(斜率偏差仅±0.2%)和功率器件、驱动电路的设计。最后给出了D类放大器的测试结果。