Ni2+掺杂纤蛇纹石纳米管的制备与磁性研究

通过水热法制备了Ni2+掺杂纤蛇纹石纳米管.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和磁性测试等手段研究了合成样品的形貌、结构以及磁性与掺杂量的关系.结果表明:合成纳米管样品的内、外径分别为6～7nm和30～40nm;随Ni2+掺杂量的增加,...     

化学组成对纤蛇纹石纳米管水热生长的影响

以SiO_2和MgO为原料,研究了原料化学组成对纤蛇纹石纳米管生长的影响。采用水热法在不同n(SiO_2):n(MgO)比下合成了系列纤蛇纹石样品,利用X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对合成样品进行结构和形貌表征。结果表明:n(SiO_2):n(MgO)比偏离0.68不利于纤蛇纹石结构的生长;在n(SiO_2):n(MgO)比为0.68时,能够合成内径约为6～8 nm、外径约30～40 nm、长度多在600 nm以上的纤蛇纹石纳米管。     

C/SnO2纳米管芯复合结构的原位生长及生长机理

采用化学气相沉积(CVD)方法在经表面活性剂处理过的Si(100)衬底上原位合成了C/SnO2纳米复合结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)等分析仪器分别对所制备样品的形貌、成分及微结构进行表征。研究发现:制备产物为非晶态碳纳米管复合物。该碳纳米管复合物呈现出管芯复合结构,成分为碳纳米管包覆的结晶良好的SnO2纳米线,且其生长方向沿(200)晶面。并在此基础上分析讨论了其生长机理,推测这种C/SnO2纳米管芯复合结构的生长是同步进行的,同时表面活性剂的碳化对形成碳纳米管有着重要作用。     

合成纤蛇纹石纳米管的CdS组装实验研究

采用超声化学法在合成纤蛇纹石纳米管内进行了组装CdS量子点的研究.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜及紫外-可见光谱仪对组装样品进行了分析表征.透射电镜观察发现在纤蛇纹石纳米管中组装的CdS量子点呈分散的球形粒子,直径约3～6nm;X射线衍射分析表明在纤蛇纹石纳米管中所组装的CdS量子点为β-CdS型结构,其平均晶粒度约为4.1nm;紫外-可见吸收光谱研究表明CdS量子点的吸收边蓝移了约10nm.     

铌掺杂氧化锡陶瓷的电阻负温度系数特性

利用共沉淀方法合成了Nb掺杂SnO2材料,通过X射线衍射分析了材料的相组成,利用电阻-温度特性测试仪研究了材料的电阻温度特性,并利用半导体热力学理论分析了材料的NTC机理.结果表明,600℃煅烧能获得高纯的四方结晶相掺杂SnO2,粉体晶粒平均尺寸为10.5nm;Nb掺杂SnO2体现出良好的电阻负温度系数(NTC)效应,材料常数为3662K.     

磁控气化回收SnO_2陶瓷电极的技术研究

本文提出一种高效回收SnO2陶瓷电极的技术,采用磁控气化回收的方法将SnO2电极制成复合纳米粉末,实现废电极的回收再利用。借助BET(比表面积)、XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)等技术对粉末进行表征,结果表明,所回收制备的SnO2复合粉末颗粒形貌呈类球形,平均粒径dBET在100 nm左右。XRD结果表明,未经热处理的粉末晶粒结构为四方金红石型SnO2结构,其中存在极少量SnO,经900℃热处理后,只存在单一四方金红石型SnO2结构。     

溶胶-凝胶水热法合成纤蛇纹石纳米管

采用四甲氧基硅和氯化镁为前躯体,通过溶胶-凝胶和高温水热法合成了内径5nm~10nm,外径约15nm~35nm,长度400nm~2μm的纤蛇纹石纳米管,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(FSEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对合成样品的物相、形貌和结构进行了表征;初步试验表明,纤蛇纹石纳米管的形成过程是氢氧化镁优先在一维方向上生长成针状或纤维状结构,在溶液中形成结构导向模板后与非晶态的二氧化硅反应形成纳米管状结构;通过控制化学计量比在一定范围内可以实现纳米管的内外径尺寸的调控。     

磁性金属纳米结构的制备与表征

采用电化学沉积方法成功地制备了高度有序的镍纳米管/线阵列结构,并用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对产物的微观形貌和化学结构进行了表征和分析.测试结果显示,镍纳米结构阵列规整,镍纳米管壁具有多晶体结构;X射线衍射图谱表明,镍纳米管壁具有较高的结晶度.研究了沉积时间对镍纳米结构的影响.     

Mn2+在Mg2SnO4中的绿色长余辉发光性能研究

利用高温固相法合成了Mg2SnO4:Mn2+绿色发射长余辉发光材料,对样品进行了X射线衍射分析、荧光光谱分析、色坐标、热释发光以及发光寿命测量.分析结果表明,在1250℃下烧结6 h的Mg2SnO4为单相产物,所得Mg2SnO4:Mn2+发光材料具有良好的发光性能,在270nm紫外线激发下发出最强发射位于498nm的宽...     

溶胶-凝胶模板法制备K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3纳米管阵列及其表征

以乙醇铌、乙酸钾和乙酸钠为原料,乙二醇甲醚为溶剂,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)阳极氧化铝(AAO)模板法制备了K0.5Na0.5NbO3(KNN)纳米管阵列.利用热分析确定晶化温度,采用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征KNN纳米管的物相、形貌和微观结构.结果表明,KNN最佳的晶化温度为700℃;KNN纳米管阵列结晶性良好,为单斜钙钛矿多晶结构,单根纳米管的外径约为200nm,管壁厚约为20nm.对KNN纳米管阵列的铁电性能表征显示,其剩余极化率Pr约为1.86μC/cm2,矫顽场Ec约为0.68kV/cm。