场激活燃烧合成碳化钨-镍硬质合金

由于W C体系反应热低,因此不能用常规燃烧合成方法制备,鉴于此,采用场激活燃烧合成技术,以W、C和Ni为原料制备了WC—Ni复合材料,研究了电场对燃烧合成WC—Ni的影响。研究结果表明:只有当施加的场强超过临界值,燃烧波才能蔓延。燃烧产物的特性与场强有关,当场强增加时,X射线衍射图中WC相的衍射峰强度增强,表明碳在钨中的扩散随场强的增强而增大。研究了样品初始相对密度对燃烧温度和燃烧波蔓延速率的影响,表明燃烧温度和燃烧波蔓延速率的最大值出现在一个合适的相对密度处。     

场激活燃烧合成碳化钨和碳化钨钴反应机理

在场激活下燃烧合成碳化钨和碳化钨-钴复合材料，采用燃烧过程中切断电场的方法，得到了一系列不同相组成的燃烧产物，通过对样品从反应物端到产物端形貌和相组成的分析,研究了场激活下钨碳燃烧反应机制，WC的形成是通过钨碳之间的固-固反应进行的，首先生成W2C，然后再形成WC，W2C是反应的中间相。金属钴产生液相，促进了W2C的形成和W2C向WC的转化并与W和W2C作用形成WxCyCoz类化合物。     

无包封燃烧合成气相热等静压A1N—TiB2陶瓷研究

本文采用燃烧合成工艺,在100MPa氮气的气相热等静压作用下,制备了致密的A1N-TiB2系陶瓷,相对密度达95%,抗弈强度达350MPa,研究表明,A1-N2-TiB2体系燃烧过程中,当反应温度升至660℃时Al熔化,1000℃时Al开始剧烈挥发,与N2迅速反应形成反应发生液相烧结,从而使反应区孔隙率显著下降,当开气孔闭合时在气相压力作用下形成致密产物,随着TiB2含量增加,液相烧结作用增强,产物致密度提高,A1-N2-TiB2体系燃烧合成的致密化主要发生在燃烧波蔓延方向,具有明显的方向性。     

无包封燃烧合成气相热等静压AlN-TiB2陶瓷研究

本文采用燃烧合成工艺 ,在 10 0MPa氮气的气相热等静压作用下 ,制备了致密的AlN -TiB2 系陶瓷 ,相对密度达 95 % ,抗弯强度达35 0MPa.研究表明 ,Al-N2 -TiB2 体系燃烧过程中 ,当反应温度升至 6 6 0℃时Al熔化 ,10 0 0℃时Al开始剧烈挥发 ,与N2 迅速反应形成AlN .在反应区高温下熔融Al在TiB2 表面发生漫流现象 ,使Al的反应层厚度减小 ,反应面积增大 ,反应速度提高 .同时Al的漫流使燃烧反应区发生液相烧结 ,从而使反应区孔隙率显著下降 ,当开气孔闭合时在气相压力作用下形成致密产物 .随着TiB2 含量增加 ,液相烧结作用增强 ,产物致密度提高 .Al-N2 -TiB2 体系燃烧合成的致密化主要发生在燃烧波蔓延方向 ,具有明显的方向性 .     

无包封燃烧合成气相热等静压AlN-TiB2陶瓷研究

本文采用燃烧合成工艺,在100MPa氮气的气相热等静压作用下,制备了致密的AlN-TiB     

电场加压辅助燃烧合成技术及电场的作用研究

提出了制备材料的方法电场加压辅助燃烧合成法，讨论了引入电场的必要，就电场的电物理过程对材料的行为影响做了简单的总结，并对这种方法在陶瓷材料制备加工中的应用做了一些总结及对这种方法的研究和应用前景进行了分析。     

燃烧法合成高纯β-SiC超细粉的工艺参数

以硅粉、碳黑、活性炭为原料,以聚四氟乙烯为添加剂,在氮气中分别用直接燃烧合成和预热燃烧合成工艺制备了高纯β-SiC微粉.用扫描电镜测得产物呈等轴球形,平均粒径为100 nm.添加剂聚四氟乙烯的质量分数(下同)为5%以上时,均可以直接点燃合成高纯度亚微米级的β-SiC,2%的添加剂就可以使理论预热温度由1 023 K降到673 K,降低了成本.另外,以活性炭代替碳黑为原料,对比了硅和碳的摩尔比为1:1和1:1.25的2个配方对产物物相的影响,说明用足够纯净的活性炭为原料代替碳黑制备β-SiC是可行的.将预热法、氮气助燃法以及化学活化法成功的进行了结合,布料方式由以往的压块改为直接粉状布料,且在60L燃烧合成反应器中单炉装料1 kg条件下,合成了高纯度的户sic粉体,适应了中试生产的需要.     

水杨酸甲酯的加压合成工艺研究

以水杨酸和甲醇为原料,对甲苯磺酸催化作用下合成了水杨酸甲酯,考察了酸醇摩尔比、反应温度、反应时间及反应压力对酯收率的影响。结果表明,较佳合成工艺条件为:n(水杨酸)∶n(甲醇)摩尔比=1∶5,反应温度120℃,反应时间5 h,反应压力162 kPa,在此条件下,酯收率接近90.0%。产品经FT-IR确定结构,用气相色谱检测,产品纯度达到99.5%。     

燃烧合成钛酸钡粉体的研究进展

近年来，高纯超细钛酸钡粉体的制备技术发展十分迅速，它们在钛酸钡电子陶瓷的应用研究中起着日益重要的作用。燃烧法制备陶瓷粉体是一种新型的材料合成工艺技术，有其独特的优点和特点。简要回顾了燃烧法合成的历史，对燃烧法合成无机粉体现有工艺做了新的分类和介绍，最后就燃烧合成钛酸钡粉体的制备技术做了综述。     

碳钢表面燃烧合成网络结构Cr_3C_2-WC陶瓷复合涂层的相组成与性能

利用燃烧合成技术,在普通碳钢表面原位自生Cr3C2-WC网络结构陶瓷复合涂层。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪和显微硬度计等测试手段对涂层中的网络结构陶瓷增强相的组织形貌、物相组成、化学成分及力学性能等进行了表征。结果表明:涂层由Cr3C2,WC,FeNi3,σ-FeCr和δ-CrNi等组成,Cr3C2-WC网络结构增强相由过饱和固溶体共晶析出。涂层与基体间的结合为冶金结合;表面涂层厚度约为2.0mm,显微硬度约为7.2GPa。制备的表面复合材料的硬度高于基体,改性效果明显。     

化学激励燃烧合成SiC超细粉末的工艺和机理研究

研究了利用聚四氟乙烯（-C2F4-）n作活化剂时Si/C混合粉末在氮气中的燃烧行为，结果表明：少量聚四氟乙烯的加入就可有效激励Si-C弱放热反应，使之以燃烧合成方式生成SiC，氮气参与反应时可进一步提高燃烧反应温度，并且首先以气相-晶体机制生成Si3N4，然后在反应前沿分解为SiC，调整工艺参数可获得亚微米级SiC粉末，综合X射线衍射、差热/热量分析及扫描电镜观察，提出了Si-C-N-(-C2F4-）n体系中的燃烧反应机制，并从热力学角度对实验结果进行了讨论。     

燃烧合成MoSi2产物中的气孔形成过程

利用硅粉和钼粉间放热反应合成了ＭｏＳｉ２材料，测试分析了产物中气孔尺寸、分布特征以及试样的致密度。研究发现：反应中硅粉已熔化，ＭｏＳｉ２主要以液态硅向钼表面反应前沿传递方式逐渐反应形成，由于合成反应过程伴有较高摩尔体积下降，反应中原硅粉处逐渐流空成为大气孔，而液态硅流动通道以分散孔隙形式分布在ＭｏＳｉ２颗粒之间。分析比较了不同合成条件和不同燃烧合成方式 结作用大小，及其对产物中气孔尺寸、分布特征和     

热压法制备SiC_p/Cu复合材料

用电阻热压烧结法制备了碳化硅颗粒/铜(SiC_p/Cu)复合材料。对复合材料的制备工艺进行了研究。对复合材料的致密化机制进行了分析。用X射线衍射、扫描电镜等分析样品的成分和微观形貌。结果表明:制备SiC_p/Cu复合材料较适宜的烧成条件为700℃,30～40 MPa,5～10 min。所制备的35SiC/65Cu(体积分数)复合材料的最大密度为7.0 g/cm~3,弯曲强度为220 MPa,显微硬度为1.30 GPa。SiC_p/Cu复合材料的电阻烧结致密化是通过软化的铜在烧结压力下的塑性变形来实现的。     

燃烧反应加压法制备细晶氧化铝陶瓷的致密化机理

采用燃烧反应加压法制备了致密的细晶氧化铝陶瓷。用透射电镜和场发射扫描电镜观察了致密样品,研究了快速升温条件下晶粒尺寸和致密度随烧结时间的变化规律。基于对氧化铝陶瓷致密化过程中晶粒生长动力学及结构形成过程的分析,探讨了燃烧反应加机械压力法制备细晶氧化铝的致密化机理。结果表明:烧结时间在2min以内的时,氧化铝晶粒尺寸没有明显变化,由表面扩散导致的晶粒颈部生长可以忽略。晶粒长大的抑制是由快速的升温速率以及短的烧结时间控制。样品中通过基面位错的滑移和攀移过程在(1120)面上生成具有Burgers矢量为1/3[1010]的层错,致密化过程为晶粒的高温塑性流动及晶界滑移共同作用结果。     

以固态氮化剂燃烧合成AlN-SiC固溶体的研究

通过热爆方式点燃铝粉、氮化硅粉、碳黑的混合粉末压坯,在较低氮气压力下成功地合成了ＡｌＮ－ＳｉＣ固溶体陶瓷．研究了气体环境、氮气压力对燃烧特征的影响．结合热力学分析,解释了ＡｌＮ－ＳｉＣ固溶体的形成机理及反应次序．通过扫描电镜,观察了反应物的形貌特征     

化学激励燃烧合成Si3N4/SiC复合粉体的研究

研究了利用聚四氟乙烯作活化剂时Si／C混合粉末在氮气中燃烧合成Si3N4／SiC复合粉体。结果表明：当聚四氟乙烯的加入量为10％(质量分数)时可有效激励Si-C弱放热反应，使之以燃烧合成方式生成Si3N4／SiC复相粉。在埋粉条件下Si／C／SiC混合粉末也可以实现燃烧合成Si3N4／SiC复相粉。氮气参与反应时可进一步提高燃烧反应温度，并且首先以气相-晶体生长机制生成Si3N4，然后在高温贫氮的反应前沿Si3N4分解，再与C反应生成SiC。在Si3N4／SiC复合粉中Si3N,形貌以晶须为主。综合X射线衍射分析、扫描电镜观察及原子力显微镜观察对实验结果进行了讨论，解释了Si3N4晶须的形成原理。