现场X—射线衍射电化学研究的新进展

着重总结了重庆大学自1988年以来所建立的现场x-射线衍射电化学测试系统对电极表面膜的形成与转变以及电极/溶液界面动态结构等方面的研究。     

原位X－射线衍射技术研究银在碱性介质中形成AgO

用循环伏安法通过改变ＫＯＨ浓度及改变电位扫速等研究了ＫＯＨ介质中银电极表面上ＡｇＯ的形成，着重探讨了电位负扫方向上出现倒峰的条件，采用原位Ｘ－射线技术进行表征．研究结果表明，这一倒峰的出现与ＫＯＨ浓度、电位扫速等因素有关，该峰代表了ＡｇＯ继续生成的阳极氧化峰．     

原位X—射线衍射技术研究银在碱性介质中形成AgO

用循环伏安法通过改变ＫＯＨ浓度及改变电位挪速等研究了ＫＯＨ介质中银电极表面上ＡｇＯ的形成，着重探讨了电位负扫方向上出现倒峰的条件，采用原位Ｘ－射线技术进行表征，研究结果表明，这一倒峰的出现与ＫＯＨ浓度，电位扫速等因素有关，该峰代表了ＡｇＯ继续生成的阳极氧化峰。     

TZP陶瓷的X－射线定量相分析

采用Ｘ－射线衍射方法研究了四方相氧化锆多晶（ＴＺＰ）陶瓷中的物相，提出了应用四方相氧化锆（Ｔ－ＺｒＯ２）双谱线峰强度比Ｉ（２００）／Ｉ（００２），计算ＴＺＰ陶瓷中立方相氧化锆（Ｃ－ＺｒＯ２）含量的Ｘ－射线定量相分析方法．通过力学性能测试进一步验证了Ｃ－ＺｒＯ２的存在对ＴＺＰ陶瓷断裂韧性Ｋ１ｃ和抗折强度的影响．     

钨氧化物氢还原的高温X射线衍射研究

本文应用高温 X 射线衍射方法研究了以 W_(20) O_(58) 为主相的蓝钨和 WO_3(黄钨)的氢还原动态相变过程.所得高温衍射测试效据经电子计算机处理,定量地绘出动态相变图和还原动力学曲线图.比较了湿氢和干氢两种气氛下还原的结果,并探论了还原机理.     

薄膜X射线应力分析技术的研究

由于Ｘ射线薄膜衍射几何的特点，致使薄膜Ｘ射线应力分析的精度很难达到常规应力分析水平，本研究采用真空光，内标校正的途径来提高薄膜Ｘ射线应力分析的精度，同时，为了测定薄膜生长过程中的生长应力，文中还介绍了高温薄膜应力分析的技术。     

气液色谱法研究双—（o，o′—二正辛基二硫代磷酸酯）合镍（Ⅱ）与环戊酮加合反应的热力学性质

用气液色谱法研究了双—（ｏ，ｏ′—二正辛基二硫代磷酸酯）合镍（Ⅱ）与环戊酮加合反应的热力学性质，测定了３３３．２～３６３．２Ｋ范围内加合反应的平衡常数，用最小二乘法求得反应的ΔＨ和ΔＳ．并描述了两者加合反应的平衡常数值的经验公式     

粉末多晶X射线衍射积分强度公式的研究

分析了粉末多晶X衍射积分强度公式常见推导方式中存在的问题 ,即近似条件不明确 ,物理图象欠清楚。采用本文总结的正空间———倒空间———正空间分段分析方法 ,提出了一个物理图象清晰的新的推导方式 ,最后同样得到粉末多晶X射线衍射积分强度公式     

He—Ne激光对鲱鱼DNA X射线衍射谱的影响

用He-Ne激光处理鲱鱼DNA，测试处理前后鲱鱼DNA的X射线衍射谱。结果显示处理前后鲱鱼DNA的X射线衍射谱发生了明显变化。为激光生物学效应的机理解释提供了实验依据。     

InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量

本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.     

一种负热膨胀性材料的物相结构分析

用高温固相反应法制备了一种负热膨胀性材料 ,经X射线衍射分析证明为单一物相ZrW2 O8,进而确定了ZrW2 O8为简单立方晶系 .精化的晶胞参数a =0 .92 2 0 0nm ,计算了单位晶胞中含有的ZrW2 O8分子数目Z =4以及平均晶粒尺寸D =79nm、单位晶胞体积V =0 .78378nm3和比表面积S =1.4 9× 10 5cm2 / g等结构参数     

X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析     

高压静电场对鲱鱼DNA X射线衍射谱的影响

用高压静电场处理鲱鱼DNA,测试电场处理前后鲱鱼DNA的X射线衍射谱,衍射谱的变化表明高压静电场可改变DNA的构象。     

碱性溶液中硒化镉电沉积过程的动力学研究

本文应用动电位扫描法,旋转圆盘电极及电位阶跃法研究了碱性溶液中CdSe 电沉积机理,确定了电极反应的控制步骤,并计算了动力学参数.