下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。     

深亚微米光刻技术

超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）线宽的不断缩小,促进了光刻技术的发展和分辨率的提高,使分辨率已进入到深亚微米区域。光学光刻分辨率的提高是依靠缩短曝光波长、增大透镜系统的数值孔径（ＮＡ）、采用新技术改进掩模和光学系统的设计以及提高光致抗蚀剂的性能来实现的。在简要的介绍了ＶＬＳＩ发展趋势的基础上,论述了深紫外光刻（ＤＵＶＬ）、极紫外光刻（ＥＵＶＬ）和Ｘ射线光刻技术取得的重要成果及面临的问题和可能解决的途径。     

21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

向32 nm迈进的光刻技术

概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状. 通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米/纳米级图形的制备.     

传统光学光刻的极限及下一代光刻技术

分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战 ,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。     

下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

应用传统紫外光刻机进行紫外压印

基于紫外光固化的紫外纳米压印技术可在常温常压条件下实现纳米结构批量复制,具有高分辨率、高效率和低成本的优点。通过对紫外纳米压印原理和工艺的分析,制备了石英玻璃模板,实现了在商用紫外固化聚合物OG154上的紫外纳米压印,转移复制了具有100nm特征的5cm×5cm面积的纳米结构图形。同时,介绍了如何利用传统紫外光刻机的套刻对准系统进行紫外纳米压印和套刻对准的方法。     

Nanoimprint Lithography -A Next Generation High Volume Lithography Technique

IntroductionNanoimprint Lithography is a well-acknowl-edged low cost, high resolution, large area pattern-ing process. It includes the most promising methods,high-pressure hot embossing lithography (HEL) [2],UV-cured imprinting (UV-NIL) [3] and micro contactprinting (m-CP, MCP) [4]. Curing of the imprintedstructures is either done by subsequent UV-lightexposure in the case of UV-NIL or by cooling downbelow the glass transition temperature of the ther-moplastic material in case of HEL…     

NGN——传统网络悄悄突围

针对传统网络面临的问题,介绍下一代网络（NGN）的特点,以及提供的增值业务。     

下一代网络市场发展及走向

下一代网络将由IP占据主导地位,它也将承载各种各样的新业务,但目前下一代网络运营者提供的业务主要是IP电话、IP传真和IP－VPN。下一代网络运营者若想获得高速发展,须要涉足不同市场及提供不同类型的业务。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。     

基于IP技术的下一代电信网

关于下一代电信网的话题已成为当前电信行业的一个热点。因此首先介绍了下一代电信网的演进策略和体系架构，然后介绍了下一代电信网的关键技术及其主要特点，最后指出了下一代电信网中有待解决的一些问题。     

High Spectral Efficient and Flexible Next Generation Mobile Communications

In this article we identify and describe the requirements and challenges of next generation mobile communications systems. The so-called fourth generation (4G) aims at throughput rates of more than 100 MBit/s outdoors with high mobility and 1GBit/s indoors. This requires new advanced techniques in the air interface of such a system. We outline new possible techniques and introduce a future basic physical layer concept. The adaptivity to the channel of all the modules in such a possible concept is highlighted. Since the needed large bandwidth for high data rates is a very valuable resource, future communications systems need a high spectrum flexibility. Furthermore, 4G systems will face severe inter-cell interference scenarios that have to be tackled. Both challenges, i.e., spectrum flexibility and inter-cell interference, are discussed in more detail.