计算机硬盘微晶玻璃基板抛光研究

计算机硬盘微晶玻璃基板的微观结构性能与化学成分都不连续,显微硬度非常高(900 kg/mm2～1 000 kg/mm2),难以获得亚纳米级光滑表面.讨论了微晶玻璃基板结构性能、抛光机理、抛光工艺条件等因素对抛光效果的影响.结果表明,硬盘微晶玻璃基板的结晶相颗粒大小、玻璃相与结晶相的比例都会影响抛光表面质量;化学机械抛光引起玻璃相的优先抛除,该作用机理不适宜于微晶玻璃基板抛光.工艺条件中压力对微晶玻璃基板的表面粗糙度影响最大,抛光中需要维持合适的压力.选取合适的抛光条件,最终获得了粗糙度为0.208 nm(AFM:5 μm×5 μm)的光滑表面.     

高性能硬盘基片用纳米相微晶玻璃的制备

采用X—ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段，研究了Li2O—MgO—Al2O3—SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响，探讨了TiO2的晶化机理。实验结果表明：足够的TiO2含量(大于7．5％)是获得纳米相微晶玻璃的关键；TiO2含量为10．0％时，在合适的晶化热处理条件下，可制得晶粒分布均匀、数量众多、结晶分数达40％、晶粒尺寸约为80nm的尖晶石微晶玻璃，其适宜用作高性能硬盘基片。     

高性能硬盘基片用纳米相微晶玻璃的制备

采用X-ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段,研究了Li2O-MgO-Al2O3-SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响,探讨了TiO2的晶化机理.实验结果表明:足够的TiO2含量(大于7.5%)是获得纳米相微晶玻璃的关键;TiO2含量为10.0%时,在合适的晶化热处理条件下,可制得晶粒分布均匀、数量众多、结晶分数达40%、晶粒尺寸约为80nm的尖晶石微晶玻璃,其适宜用作高性能硬盘基片.     

高性能硬盘基片用纳米相微晶玻璃的制备

采用X-ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段,研究了Li2O-MgO-Al2O3-SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响,探讨了TiO2的晶化机理.实验结果表明:足够的TiO2含量(大于7.5%)是获得纳米相微晶玻璃的关键;TiO2含量为10.0%时,在合适的晶化热处理条件下,可制得晶粒分布均匀、数量众多、结晶分数达40%、晶粒尺寸约为80nm的尖晶石微晶玻璃,其适宜用作高性能硬盘基片.     

金属/BAS微晶玻璃复合基板的制备与性能研究

制备了与0Cr18Ni9不锈钢热膨胀相匹配的Ba-Al-Si系微晶玻璃,利用流延法将玻璃制成生瓷带。在不锈钢板表面生瓷带经温压烧结后形成金属/微晶玻璃复合基板。电气性能测试结果,介质层厚度>73.5μm时,击穿电压>1.28kV,泄漏电流<0.05mA;微晶玻璃膨胀系数为10×10–6/℃。     

金刚石薄膜抛光技术

各种化学气相沉积和金刚石薄膜技术的发展,为金刚石薄膜在光学、超硬工具涂层等领域提供了广阔的应用前景。而这些应用需要对沉积获得的金刚石膜粗糙表面进行抛光。本文介绍了新近发展的金刚石薄膜抛光技术。并对其发展前景进行了探讨。     

电子封装微晶玻璃基板的介电性能

研究了堇青石基微晶玻璃介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性。结果说明，未添加和添加氧化铋的微晶玻璃的极化机理表现为离子极化，而添加稀土氧化铈的微晶玻璃的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明，添加稀土氧化铈的微晶玻璃样品介电损耗随温度的增加而增加，其他样品的介电损耗随测试温度基本不变，并基于德拜(Debye)弛豫方程作了分析。所有样品的介电常数随温度的增加基本不变。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适定律适用于堇青石基微晶玻璃。     

液晶显示用基板玻璃

本文介绍了液晶显示对基板玻璃的要求，目前液晶显示用基板玻璃的组成，性质，成形方法及发展动态。     

微晶玻璃及其在电子元件中的应用

综述了典型微晶玻璃的组成及相应的主晶相, 制备方法和主要性能,包括力学、热学和电学性能;简单介绍了微晶玻璃在电子元件中的三类典型应用,即作为电子封接材料,厚膜电路用基片材料和硬盘用基板材料。     

激光微孔加工技术在刚挠性基材中的研究

刚挠结合印制板向高密度互联方向发展,要求线路更细,导通孔直径更小。适合刚挠结合印制板的微导通孔加工工艺在刚挠结合印制板制造工艺中起着关键作用,微孔加工工艺中普遍采用激光技术。文章分析了激光微孔加工中的各影响因素,用正交试验法作对比试验,优化各因素参数,讨论了各因素与基板材料的关系,并拟合出方程定量描述此种关系。根据优化方程选取激光微孔参数,在挠性与刚性基板材料上取得理想效果。     

蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究

为了提高蓝宝石化学机械抛光（CMP）效果，对其抛光工艺进行了研究。采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光，分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度，结果表明，采用80nm大粒径、高浓度的SiO2磨料，既可以保证抛光速率，又能得到良好的表面状；当pH值在10～12时，可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率，从而提高抛光速率；在30℃时，能较好地平衡化学作用与机械作用，获得平滑表面；加入适量添加剂，可增大反应产物的体积，易于提高机械作用的效果，以获得较高的去除速率。     

碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究

在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用。总结实验结果后,得出了上述两个参数在两步抛光方法中的影响规律,提出粗抛光中,应该采用较高氧化剂添加量和抛光压力以得到较高的去除速率和一定的表面质量;精抛光中,应该采用低氧化剂含量、低抛光压力以得到较完美的表面质量。用此方法抛光,较好地解决了当前硬盘基板加工中抛光速率与表面质量之间的矛盾。     

基于田口方法的合金薄膜铜衬底超精密抛光工艺优化研究

为了获得性能优良的电化学沉积合金薄膜,需要精度非常高的合金薄膜铜衬底.以铜衬底表面粗糙度Ra和Rt为评价目标,探讨了基于田口方法的铜衬底抛光工艺参数优化设计方法.在给定工件材料和磨料(种类和粒度)的条件下,加工载荷、磨料浓度和加工速度是影响铜衬底抛光表面质量的主要工艺参数.运用田口方法进行了实验设计,并通过对实验结果的分析,得出了最佳的抛光工艺参数组合,采用该实验条件进行加工获得了非常光滑的铜衬底表面(Ra 6 nm,Rt 60 nm),表明田口方法能够有效的应用于铜衬底抛光工艺参数的优化设计和分析.     

ULSI硅衬底的化学机械抛光

在分析UL SI中硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械研磨去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素,而不是单纯受粒径大小的影响.分析和讨论了CMP工艺中的几个影响因素,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等.采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗,表面颗粒数优于国际SEMI标准,抛光雾得到了有效控制     

磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.     

磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.     

Study of the Formation of Bubbles in Rigid Substrate-Flexible Substrate Bonding Using Anisotropic Conductive Films and the Bubble Effects on Anisotropic Conductive Film Joint Reliability

The formation of process-related bubbles that become entrapped inside the anisotropic conductive film (ACF) layer during bonding processes remains an issue. The formation of these bubbles is strongly influenced by the process variables, such as bonding pressure and bonding temperature. Therefore, bonding process variables of bonding temperature, bonding pressure, and type of flexible substrate (FS) were changed in order to investigate the effects of the changes as they concern the formation of bubbles. According to the results, the tendency toward bubble formation was closely related to these three factors. The bubble area increased as the bonding temperature increased. Moreover, the shape and tendency of bubbles coincided with temperature distribution in␣the ACF layer. Two different types of FS, each with different surface roughnesses and energies, were used. The bubbles formed only on the FS with the larger roughness and lower surface energy. According to the results from a surface energy measurement of FS types using goniometry, a FS with a higher surface energy is favorable for a bubble-free assembly, as the higher surface energy provides better wettability. In addition, in order to investigate the effect of bubbles on the reliability of ACF joints, the pressure cooker test (PCT) was performed, and all samples with bubbles electrically failed after 72 h of a PCT, as the process-related bubbles provided a moisture penetration path and entrapment site for moisture. However, all type 1 test vehicles (TVs) survived even after 120 h of a PCT. Therefore, Ar and O₂ plasma treatments were performed on the FS with the lower surface energy in order to improve the surface energies and wettability. Following this, the bubbles were successfully removed at rigid substrate (RS)–FS bonding joints using ACFs.