磁性杂质对量子点内电子态密度Kondo峰的影响

讨论了一个耦合于量子点的磁性杂质,当两边是铁磁性导线时量子点上电子的态密度Kondo峰的变化情况。用格林函数运动方程的方法和特定的自洽方法得到了态密度的解析表达式。杂质与量子点上电子的耦合使得原本简并的电子能级分裂。数值计算结果表明当两边的铁磁导线极化反平行时,态密度的Kondo峰几乎不随着磁性杂质方位角的变化而变化。当极化平行时,会出现3个Kondo峰,并且峰之间的间隔随着杂质的方位角的增大而增大。如果选取适当极化率的铁磁导线,由导线的铁磁性引起的Kondo峰的分裂可以被杂质的耦合作用抵?消掉。?     

微振荡并联双量子点AB干涉仪的量子输运特性

基于非平衡格林函数方法,考虑量子点和电极耦合界面的微小振荡,研究了并联双量子点AB干涉仪的输运性质.把双时格林函数中的时间分为快变的相对时间和慢变的质心时间,在Wigner空间近似求解Kadanoff-Baym方程,得到格林函数对质心时间各阶求导对电导的修正.在弱耦合情况下,讨论了通过调节两个子AB环中的磁通和两个并联...     

耦合量子线-量子点体系中的Fano效应

利用非平衡格林函数方法,研究了耦合量子线-量子点体系的相干电子输运性质.研究发现:对于旁耦合一个2能级量子点的量子线的线性电导呈现有趣的电导降中带电导峰的现象;而对于耦合2量子点体系,线性电导表现为有趣的多共振现象.由于Fano干涉,上述电导峰电子的线型不是洛仑兹型的.     

T型双量子点系统中的Andreev反射

研究耦合在正常金属和超导体间的T型双量子点系统.从系统的哈密顿量出发,运用非平衡格林函数方法和运动方程,得到该系统在Andreev反射(AR)过程的电子输运特性.结合数值分析,讨论AR电流随偏压的变化特性,结果发现调节量子点能级和量子点间的耦合可以调制电流平台的大小和位置,Andreev共振反射则可以使电流有很大的提高.为实验上控制电流提供了一种有效的机制.     

点间耦合强度对耦合量子点系统电导及AB效应的影响

本文利用非平衡格林函数的运动方程方法,研究了与两个电极耦合在一起的三耦合量子点系统的电子输运中的微分电导的AB振荡.给出了在无外磁场作用下,量子点间耦合强度相等(我们称为同位耦合)时的电导曲线,发现体系是存在部分简并的,但如果令量子点3脱耦或者强烈的与系统耦合,则可以解除系统的简并.在有磁场作用下,观察到了微分电导明显的AB振荡效应,AB效应的振荡周期同是否存在偏压有关,并且在不同的磁通量的情况下,体系将会在简并态与非简并态间振荡.     

四个量子点热电输运性质的研究

采用非平衡格林函数的方法来求解量子输运问题。考虑一个由四个单能级量子点和AB环组成的系统,研究该系统的热电特性。在这样的一个量子点系统中,通过调节量子点之间的能量间距、量子点间的耦合系数和系统的温度来研究该系统的热电特性。     

点内库仑相互作用对三量子点系统输运性质的影响

本文利用非平衡格林函数运动方程方法,研究了与两个电极耦合在一起的三耦合量子点系统中,点内部的库仑关联或阻塞与点间的耦合强度对体系输运性质,即对系统微分电导和系统态密度的影响.通过理论计算发现,由于量子点上的局域态密度的不同从而导致系统微分电导或隧穿性质的不同,会开启新的Kondo输运通道,也会增强一些原有的输运通道.     

单量子点体系极化电子的输运

利用Bulka建立的量子点模型，研究了当左右引线的磁矩夹角为θ时该体系的量子输运性质；利用Keldysh非平衡格林函数方法研究了电流随偏压V、温度T和磁矩夹角θ的变化，给出了近滕(Kondo)区中的非线性电导，并得出电导中的近滕顶点高度受磁矩夹角θ的调制的结论．     

自旋相关耦合双量子点的非平衡输运特性

采用K e ldysh非平衡格林函数方法,研究了电子通过耦合双量子点的自旋极化输运特性.我们考虑量子点中的电子电子相互作用,在H artree-Fock近似下给出自旋分离流的普遍表达式.数值结果显示:随着偏压的增加,不同自旋取向的电子所占居的等效能级相继进入偏压窗口,自旋极化流振荡,电荷流持续增加.这些变化特性可以很好的用自旋相关的共振隧穿理论给予解释.     

纳米材料锰掺杂量子点中的近藤效应

采用非平衡格林函数方法,探讨了量子点掺杂锰原子纳米材料的低温输运特性。结果表明,输运受到掺杂锰原子的强烈影响。具体来说,在微分电导中出现（2S＋1）个近藤劈裂峰,锰原子表现为一个多值量子化有效磁场,导致这种劈裂。     

与铁磁电极耦合的双量子点中近藤效应的研究

研究了与铁磁电极耦合的串连双量子点中的平衡和非平衡近藤效应,同时考虑了两侧电极中自旋极化的态密度为平行和反平行的情况。结果表明,每个量子点的平衡态密度在平行情况下只有一个尖峰,当有外加偏压的时候,这个尖峰将分裂为两个;在反平行情况下,每个量子点的平衡态密度有两个尖峰,分别对应与电子的两种不同自旋取向,自旋向下和向上的态密度双峰之间的距离将在外加偏压的影响下分别增大和减少。在反平行情况下,每一种自旋成份的微分电导只有一个尖峰,并且分别在费米面之上和之下;而在平行情况下,每种自旋成份的微分电导都有两个尖峰,其中自旋朝下的微分电导尖峰较高。     

Kondo effect in quantum dots and molecular devices

Kondo effect is a very important many-body phenomenon in condensed mailer physics, which explains why the resistance increases as the temperature is lowered （usually 〈10 K） in dilute magnetic alloy, and why the conductance increases as temperature is decreased in quantum dots. This paper simply introduces equilihrium and nonequilibrium Kondo effects in quantum dots together with the Kondo effect in quantum dots with even number of electrons （when the singlet and triplet states are degenerate）. Furthermore, Kondn effect in single aton/molecular transistorss is introduced, which indicates a new way in study Kondo effect.     

嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的尺寸和近藤屏蔽效应

使用单杂质的Ansderson模型, 我们从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov-Bohm环系统处在近藤区时的基态性质, 并用slave-oson平均场方法求解了该模型. 我们的结果表明：在零温, 当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时, 系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质. 同时, 可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率, 达到探测近藤屏蔽云的目的.     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min）,制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好,开启电压最低,只有5．5 V。     

量子点的尺寸效应及声子对激子基态结合能的影响

利用变分法研究了有很小厚度圆盘形GaAs量子点模型中激子的基态结合能,及电子-空穴间距随量子点尺寸变化的规律．考察了电子-空穴的关联明显加强时及完全束缚发生时量子点的横向尺度,初步考虑了体纵光学声子对量子点中激子基态结合能的影响,得出一些定性的结论。     

平行双量点中的Fano-Kondo

通过么正变换得到了平行双量子点有间库仑作用时的Fano—Anderson哈密顿量,并用格林函数运动方程的方法济南市出了与实验观测量密切相关的推迟和量子分布格林函数。借助于新得到的哈密顿量和格林函数,可以研究Kondo和Fano共振的关联效应。     

量子点中双激子的关联能

采用精确对角化方法,研究了限制在半导体量子点中双激子的量子尺寸效应.计算了双激子量子点的基态和低激发态的关联能随限制强度大小变化的关系,揭示了双激子量子点的基态和低激发态能谱的重要性质.我们发现随着限制强度的增加,双激子量子点的基态和低激发态的关联能变化是不同的;我们还发现限制可以引起不同低激发态能级的偶然简并和能级的反转.这些性质都与系统的交换和旋转对称性有关.     

非对称耦合量子阱中的光学克尔效应研究

详细研究了GaAs/AlxCa1-xAs非对称耦合量子阱的光学克尔效应,并利用紧束缚密度矩阵方法及迭代法导出了光学克尔效应的解析表达式.数值结果表明,入射光强、弛豫率和结构参数(如势垒宽度和右阱宽度)对光学克尔效应有明显的影响;通过优化入射光强、弛豫率和结构参数,可以获得比量子盘模型的克尔系数大四个数量级的克尔系数,其...