PZT及掺La~（3＋）、Nb~（5＋）PZT的性能初探和态密度计算

用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ、ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能。从理论上阐述了掺杂Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响。用量子化学计算方法计算了样品的电子态密度．并将计算结果与ＸＰＳ测试结果作比较。     

掺杂Fe^2＋,Bi^3＋,Cu^2＋的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结ＰＺＴ「ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」陶瓷中,掺杂了ＦｅＡ＾２＋、Ｂｉ＾２＋,Ｃｕ＾２＋等无机化合物,使ＰＺＴ陶瓷在８５０℃温度下即可烧成,密度可达理论值９８％,压电性能测定表明,其Ｋｐ值变化不大,而Ｑｍ值有较大提高。     

Ta^5＋掺杂的SrTiO3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究

采用一次烧在法制备了Ｔａ＾５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。     

水热条件下易烧结PZT粉体合成的影响

用水热法合成了低温烧结用ＰＸＴ「Ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」粉体。探讨了水热条件下对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Ｆｅ＾２＋,Ｂｉ＾３＋,Ｃｕ＾２＋等离子化合物,经Ｘ－ｒａｙ,ＳＥＭ,ＴＧ－ＤＴＡ及比表面积的测定。表明：当反应介质为４ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ,时间２ｈ,反应温度２００℃时合成后的粉体有良好的烧结性,。粉体中外加了微量ＢＣＷ「Ｂａ（ＣＸｕ０．５Ｗ０．５）Ｏ３」,     

PZT多元系固溶体压电陶瓷正电子湮没研究

测量了不同组成的ＰＺＴ多元系固溶体陶瓷中的正电子寿命谱，发现陶瓷晶粒内存在大量空位型缺陷。根据测得的寿命谱参数，得到反映该压电陶瓷完整性质的自由态湮没寿命Ｔｆ值，ＰＺＴ含量相同时，样品的Ｔｆ基本保持不变，     

Bi~（3＋）、K~＋、OH~－离子对水热合成PZT结晶末化学性质影响的研究

本文研究了水热条件下Ｂｉ３＋、Ｋ＋、ＯＨ－对水热合成ＰＺＴ结晶粉末化学性质的影响，并用了ＸＲＤ、ＥＰＭＡ和ＳＥＭ及原子吸收光谱分析，对水热合成ＰＺＴ结晶粉末及其烧结体进行了分析     

Ta~（5＋）掺杂的SrTiO_3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究

采用一次烧成法制备了Ｔａ５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。     

溶胶—凝胶法制备PMMN陶瓷

用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备了ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＴ）基四元系压电陶瓷（ＰＭＭＮ），经Ｘ射线衍射分析，扫描电镜及密度测试表明，材料主晶相为四方晶系，所得陶瓷致密，晶粒均匀，具有较好介电性能。     

烧成温度对PTC陶瓷性能的影响

本文通过 Ｂａ０８０ Ｐｂ０．２０）Ｔｉ１．０１Ｏ３＋０．１５ａｔ％Ｎｂ２Ｏ５＋０．１５ａｔ％Ｌａ２Ｏ３＋ｘＦｅ２Ｏ３＋ｙＭｎＯ２形成中的受主物质含量（ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％）的变化做了烧结实验研究,分别讨论了烧成温度对单。双受主掺杂配方的ＰＴＣ陶瓷性能的影响。实验结果表明：在受主掺杂ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％的范围内存在最佳烧成温度１１５５℃～１１６５℃,使ＰＴＣ陶瓷具有较好的性能。     

槲皮素—TOPO（TX—100）—SDS体系荧光法测定镥,钇,钪,钇,镧

研究了Ｌｕ＾３＋,Ｙ＾３＋,Ｓｃ＾３＋,Ｇｄ＾３＋,Ｌａ＾３＋等几种Ｌ＾８－Ｌ发光型稀土离子与槲皮素－ＴＯＰＯ－ＳＤＳ组成体系的荧光特性,影响因素及分析应用。于最佳条件下,测定上述稀土离子的最低检测限可达０．０１ｍｇ／Ｌ。探讨了ＴＯＰＯ－ＳＤＳ对Ｌｎ－槲皮素二元体系的增敏机理。采用多点增量标准加入法测定了合成重稀土混样中的镥。     

ITO衬底上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶, 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后, 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向, 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明, Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高, 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ , 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ , 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ , 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。     

稀土元素九钨镓杂多酸盐的合成与表征

合成了稀土元素九钨镓杂多酸盐α－ＭｎＨ１５－ｎ「（ＬｎＯ）２（ＯＷ）Ｈ．（ＧａＷ９Ｏ３４）２」（Ｌｎ＝Ｌａ＾３＋，Ｃｅ＾３＋，Ｐｒ＾３＋，Ｎｄ＾３＋，Ｓｍ＾３＋，Ｇｄ＾３＋，Ｄｙ＾３＋，Ｅｒ３＋，Ｍ＝ＮａＫ，（ＣＨ４）４Ｎ），通过元素分析、钨－１８３核磁共振谱、磁化率、红外光谱、Ｘ射线光电子能谱及电化学测定对其进行了表征。     

水溶液中RE^3＋与Al^3＋异多核羟合物存在可能性研究

用ＰＭＢＰ的苯溶液对ＰＥ＾３＋与Ａｌ＾３＋混合水溶液进行萃取,分离。对萃取后的（ＲＥ）＾３＋用分光光度法及离子色谱法进行测定,结果发现在本实验中ＲＥ＾３＋与Ａｌ＾３＋不形成异核羟配配合物。     

a—Si1—xGdx薄膜中Gd^3＋离子的补偿作用

本文基于对电子束蒸发的ａ－Ｓｉ１－ｘＧｄｘ薄膜的光吸收，变温电导特性和ＥＳＲ实验研究的结果，对Ｇｄ＾３＋离子的作用进行了分析研究。Ｇｄ原子的外壳层５ｄ＾１６ｓ＾２产生轨道杂化，在ａ－Ｓｉ网格中形成五配位的Ｇｄ＾３＋离子。Ｇｄ＾３＋离子的杂化轨道除与网格中的Ｓｉ原子键合外，还能与Ｓｉ的悬挂键Ｓｉ３＾０键合，起补偿悬挂键的作用。Ｇｄ＾３＋离子的角动量Ｊ的多重态间的跃迂吸收，改变了薄膜的近红外吸收特性。     

自蔓延高温合成法（SHS）制备致密的Al_2O_3－TiC陶瓷

采用电热爆－加压法（ＥＴＥ－Ｐ）和燃烧合成制粉＋加压法（ＳＨＳ＋ＨＰ）制备了致密的Ａｌ２Ｏ３陶瓷．研究表明，ＳＨＳＡｌ２Ｏ３－ＴｉＣ陶瓷的力学性能和切削性能均优于采用传统热压方法所制备的Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ陶瓷刀具，并对ＳＨＳＡｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ的的显微结构及致密化机制作了研究．     

超声换能器压电陶瓷材料的选择

压电超声换能器的性能主要取决于所用压电陶瓷材料的性能。本文在利用改进传输线路法对常用压电陶瓷各项性能测试的基础上，进行了压电陶瓷性能对换能器作用的研究，结果认为，制作高灵敏度换能器宜选用PZT压电陶瓷，制作窄脉冲高分辨换能器宜选用PbNb2O6压电陶瓷，而制作高频换能器则宜用LNN压电陶瓷。     

ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ３＋ 荧光粉的制备、性能及第一性原理计算

运用高温固相法合成 ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ^３＋,用 Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）、能谱仪（ＥＤＳ）以及荧光光度计（ＰＬ） 对合成产物的结构、组成和发光性质进行了研究。结果表明：少量掺杂 Ｈｏ不会影响基质的晶体结构,Ｈｏ 均匀分布在基质材料中;荧光材料呈现出 Ｈ ^３＋的特征发射,发光区域在绿色区域,当掺杂量为 ０.０３ｍｏｌ 时发射强度最大;掺杂后计算得到 ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ^３＋的 ＶＢＭ和 ＣＢＭ之间的带隙值为 ５.５３ｅＶ,相对掺杂前略微减少,且 ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ^３＋体系属于直接带隙结构,有利于发光;Ｈｏ的掺杂在费米能级附近引起杂质能级。     

5—Br—PADAP—OP体系快速联测Cu^2＋,Zn^2＋

在ＯＰ乳在化剂存在下，Ｃｕ＾２＋，Ｚｎ＾２＋分别可与５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ形成红色络合物，且用有机试剂对铜的配合物进行分解，可测定Ｚｎ＾２＋，Ｃｕ＾２＋及Ｚｎ＾２＋与显色剂的络合物的吸光度，用差减法求得铜锌含量。     

Pb(Li_(1/4)Nb_(3/4))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(ZrTi)O_3四元系压电变压器陶瓷材料研究

通过Ｐｂ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）０．０６（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．０６（Ｚｒ０．８８－ＸＴｉＸ）Ｏ３四元系压电陶瓷材料的改性研究，发现此系列压电材料具有高的Ｋｐ（０．５８）、Ｑｍ（２８００）、ε（１０５０）值，且ｔａｎδＢＮＤ０．００８之内，且具有较好的老化特性，适合作为变压器陶瓷材料使用．用该系统材料制作的压电变压器，具有较高的升压比和机电转换效率．在负载为８８０ＭΩ时，升压比高达１１７０；而当负载为５０ＭΩ时，其机电转换效率最高，为９２％．     

Sr(Ba)_(1-X)La_XTiO_3(X=0.0,0.2)化合物的高温高压合成与XRD研究

本文首次采用高温高压固相反应法合成了Ｓｒ１－ＸＬａＸＴｉＯ３（Ｘ＝０．０，０．２）与Ｂａ１－ＸＬａＸＴｉＯ３（Ｘ＝０．０，０．２）样品，进行了Ｘ射线衍射谱ＸＲＤ测试．研究了稀土掺杂下高温高压合成规律及其结构性质，从高温高压极端条件合成这一领域为高温超导的研究打下了实验基础．