砷化镓半导体器件的成功取决于封装

用附着电镀制造的细线条聚酰亚胺多层管壳具有砷化镓器件所需的电性能。     

与砷化镓材料相依发展的微波半导体器件

本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要作用.列举了砷化镓材料的特点,比较了几种制备方法,并给出了目前砷化镓微波器件研究和生产的现状、参数水平,最后对材料与器件的前景进行了初步估计.     

砷化镓（GaAs）半导体器件,单晶的现状及发展动向

本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。     

半导体器件

Y2002-63198-1899 0322368采用部分放电的高阻抗 IGBT 模块技术=IGBT mod-ule technology with high partial-discharge resistance[会,英]/Mitic,G.& Licht,T.//2001 IEEE Industry Ap-plications Conference,Vol.3 of 4.—1899～1904(ME)Y2002-63198-1912 0322369电力周期对于 IGBT 半导体电源组件的可靠性研究=Reliability of power cycling for IGBT power semiconduc-tor modules[会,英]/Morozumi,A.& Yamada,K.//     

半导体器件

SPIE-Vol.4275 0314229SPIE 会议录,卷4275:微加工中基于计量学的控制=Proceedings of SPIE,Vol.4275:Metrology-based con-trol for micro-manufacturing[会,英]/SPIE-The Interna-tional Society for Optical Engineering.—156P.(E)本会议录收集了在美国 San JOSe 召开的微加工中基于计量学的控制会议上发表的16篇论文,内容涉及     

半导体器件

Y2002-63196-359 0311943碳化硅门电路关断晶闸管(GTOs):静态与动态特性=Silicon carbide GTOs:static and dynarnic characterization[会,英]/Elasser,A.& Park,J.//2001 IEEE IndustryApplications Conference,Vol.1 of 4.—359～364(ME)Y2002-63209-175 0311944硅电力半导体器件的电压控制能力和关断方法=Voltage handling capability and termination techniques ofsilicon power samiconductor devices[会,英]/Charitat,G.//2001 IEEE Proceedings of the 2001 Bipolar/BiC-MOS Gircuits and Technology Meeting.—175～183(TE)     

半导体器件

0619944 CPLD在DSP实时图像采集系统中的应用[刊,中]／孙咏／／江南大学学报(自然科学版)．-2006,5(2)．- 158-161(G) 0619945 CPLD在某型雷达方位指示器中的应用[刊,中]／张妍瑶／／微处理机．-2006,27(2)．-61-62(G)阐述了在某型雷达的指示器中,CPLD器件的编     

半导体器件

Y2000-62067-39 0009254超高容量光通信系统用飞秒半导体光电器件=Fem-tosecond semiconductor optoelectronic devices for ultra-high throughput optical communication systems[会,英]/Wada,O.//1998 IEEE International Conference on Op-toelectronic and Microelectronic Materials and Devices.—39～43(EC)     

半导体器件

Y2001-62724-164 0114820无线频率 IC 应用的金属栅 MOSFET 模拟=Metal-over-gare MOSFET modeling for radio frequency IC ap-plications[会,英]/MacEachern,L.& Manku,T.//2000 IEEE International Symposium on Circuits and Sys-terns.Vol.2.—164～167(HC)本文分析了高频特性的金属栅(Metal-Over-gate)MOSFET.研究了栅和金属栅的分布特性,给出小信号参数分析,依据全面分析推导了简化小信号 Y 参数,并用来构成等效小信号抽运电路模型,说明与常用MOSFET 比较,金属栅 MOSFET 育较高 Gmax。参11     

半导体器件

介绍了微波器件 MPT(微电子组装)技术的发展过程和芯片互连技术、多层基板技术、三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

半导体器件

Y99-61799-365 0007491场发射阵列的技术与材料=Field emitter arrays tech-nologies and materials[会,英]/Kleps,I.& Banoiu,G.//Proceedings of 1998 International SemiconductorConference,Vol.2.—365～368(UG)利用不同的微加工技术已加工出具有各种图形特点的硅发射阵列。其发射极的几何形状能利用变化其技术参数(腐蚀率,选择性和表面形貌)进行修正。为改进其场发射特性,还能用各种材料对硅发射极进行包敷。参10     

半导体器件

Y2000-62448 00200521999年 IEEE 亚太地区微波会议录,卷1=1999 IEEEproceedings of Asia pacific microwave conference,Vol.1of 3[会,英]/MTT/AP/EMC Chapter,IEEE SingaporeSection.-IEEE,1999.-213P.(EC)本会议录收集了于1999年11月30日至12月3日在新加坡召开的亚太地区微波会议上发表的54篇论文(本书为第一卷),内容涉及微波电路,固体器件与电路,相位与有源阵列技术,计算机辅助设计,微波天线,电磁兼容与计算电磁学。     

半导体器件

Y98-61429-851 9907339Syrinx 计划的反射二极管韧致辐射的改进=Reflexdiode bremsstrahlung improvement for syrinx project[会,英]/Bonnet,P.& Porte,A.//1997 IEEE 11th Inter-national Pulsed Power Conference,Vol.1.—851～856(AG)     

半导体器件

Y2002-63371 03094772001年西伯利亚俄罗斯电子器件与材料专题会议录=2001 Siberian Russian student workshop on electrondevices and materials proceedings[会,英]/NovosibirskState Technical University.—149P.(E)本会议录收集了在阿尔泰 Erlagol 召开的电子器件与材料会议上发表的57篇论文,内容涉及半导体电子器件模拟及电子材料中的物理现象,工业电子学,宽带晶体管放大器,现代控制技术与信息传输,企业运作用因特网,交通灯微处理控制器,钻床控制与检验系统。     

半导体器件

Y2001-62951 0210595IEEE Tencon会议录,卷3:新千年的智能系统与技术=IEEE Tencon proceedings,Vol.Ⅲ:intelligent sys-tems and technologies for the new millennium〔会,英〕/Texas Instruments & IEEE Region 10.-527P.(E) 本会议录收集了新世纪智能系统与技术会议上发     

半导体器件

Y2002-63318-3 0327740传输和分布应用中的功率半导体=Power semiconduc-tors in transmission and distribution applications[会,英]/Chokhawala,R.＆Danielsson,B.//2001 IEEE Pro-ceeding of the 13th International Symposium on PowerSemiconductor Devices ＆ICs.—3-10     

半导体器件

Y2002-63306-541 0307160扫描扩展电阻显微术检测 InP 基器件可靠2维载流子轮廓=Reliable 2-D carrier profiling with SSRM on InP-based devices[会,英]/Xu,M.W.& Hantschel,T.//2001 IEEE International Conference on Indiurn Phos-phide and Related Materials.—541～544(E)Y2002-63352 0307161第4届 Kharkov 国际会议录:物理学与毫米波、亚毫米     

半导体器件

0219655用荧光粉转换方法制备纯绿色 LED[刊]/蒋大鹏//发光学报.—2002,23(3).—311～313(E)采用荧光粉转换的方法制备了纯绿色 LED,所制备的纯绿光 LED 的发光峰值在520nm,其半峰宽约为30nm,法向光强为600mcd。参20219656高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析[刊]/邓云龙//发光学报.—2002,23(3).—255～260(E)通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了 LED 的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大,     

半导体器件

Y2000-62474—731 0101959超薄氧化物中的低压隧道效应:界面态与衰降监视器=Low voltage tunneling in ultra-thin oxides:a monitorfor interface states and degradation[会,英]/Ghetti,A.& Sangiorgi,E.//1999 IEEE International Electron De-vices Meeting.—731～734(PC)Y2000-62185-179 0101960镉砷化物薄膜器件的介质击穿和电沉淀现象=Dielec-tric breakdown and electrofoming phenomenon in thecadmium Arsenide thin films devices[会,英]/Din,M.B.H.& Gould,R.D.//1998 IEEE International Con-ference on Semiconductor Electronics.—179～183(E)     

半导体器件

Y98-61438-1455 9913112带有化学汽相淀积(CVD)金刚石热扩散器的微电子器件的大功率瞬时特性的有限元热模型=Finite elementthermal model for high power transients in microelectron-ics with CVD diamond heat spreaders[会,英]/Clark,K.& Olrich,R.//1998 IEEE 48th Electronic Components& Technology Conference.—1455～1458(AG)