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本文论述了多晶薄膜在玻璃基片上淀积的原理及主要影响因素,阐明了膜膜淀积的总速率是由玻璃基片的表面反应速率和反应剂分子扩散到玻璃表面的扩散速率决定的。硅烷浓度,玻璃板运动速率等因素也是重要影响参考。 相似文献
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继续以前亚麻仁油—马来酸树脂的电极淀积研究,现叙述紫胶从水体系的淀积。在异戊醇和胺的帮助作用下,紫胶溶解和分散。已得出结论:以适当溶解和分散的紫胶水溶液体系,在软钢上制成粘附的淀积物是可能的。电压高于临界值,通过电流时,紫胶分散体系产生热效应而受热。已经发现;加入0.2—0.5%巯基苯并噻唑,可以克服在电压高于临界值时溶液的热效应。 相似文献
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化学气相淀积是在微电子、光纤通讯、超导等新技术领域里广泛用于制备各种具有特殊性能的薄膜的工艺过程。该过程的机理和气固相催化反应十分相似。本文以该过程在微电子器件生产中的应用为背景,概述了化学气相淀积的优点,分析了化学气相淀积反应器中传递过程和化学反应的相互关系,介绍了运用数学模型方法研究化学气相淀积反应器的进展。 相似文献
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化学气相淀积反应器中成核与成膜控制 总被引:5,自引:1,他引:4
基于气溶胶动力学和化学反应动力学,建立了化学气相淀积(CVD)反应器中普适动力学方程,导出了CVD反应器中超细颗粒粒径分布谱函数和薄膜淀积速率的计算方法;研究了操作参数对钛酸丁酯高温裂解过程中成核与成膜的影响.用成核与成膜竞争判据——H准数,研究了CVD反应器中成核与成膜的控制策略. 相似文献
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高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子 总被引:4,自引:0,他引:4
利用高频等离子本化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料,合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36.3%的无定形氮化硅粉末,研究了放置环境,合成及热处理环境,进料位置,NH3与SiCl4配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响。推究了高温下四氯化硅与氨反应合成氮化硅的过程机理。 相似文献
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