掺P、B对纳米Zn—0薄膜电学特性的影响

现在普遍采用ＩＴＯ薄膜 (Ｉｎ2 Ｏ3 ∶Ｓｎ)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于Ｉｎ资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Ｚｎ Ｏ是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ＩＴＯ薄膜作为窗口材料。由于ＺｎＯ ｎ Ｓｉ异质结太阳电池的转化效率为6 9%～ 8 5 % ,而ＩＴＯ光电转换效率为 12 %～ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺Ｐ、Ｂ对纳米ＺｎＯ薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺Ｐ、Ｂ随热处理温度的变化对纳米Ｚｎ Ｏ薄膜电学特性的影响。在研制过程中 ,对掺入Ｐ、Ｂ的纳…     

机械合金法制备六角形铁氧体磁性材料

研究了用机械合金化和热处理制备的ＭＦｅ１２Ｏ１９（Ｍ＝Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ）六角形铁氧体物结构和性能。测得Ｂａ、Ｓｒ的六角形铁氧体粉末的矫顽力为６￣７ＫＯｅ。矫顽力高与机械合金化和热处理导致的粒子尺寸小（￣０．１μｍ）有关。高矫顽力各向异性样品可由热压法制备，其剩磁为饱和磁化强度的７０％￣７５％。     

溶胶 凝胶法制备掺钒ZnO纳米粉

采用溶胶-凝胶法制备了掺钒(V)(V的原子数分数为2.5%)的ZnO纳米粉体。研究了不同热处理工艺对样品晶体结构和微观形貌的影响。采用X线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等对纳米粉体进行了分析。结果表明,热处理温度过低或时间过短都严重影响掺钒ZnO纳米粉的晶体结构,且随着热处理时间的增加,晶粒尺寸变大。XRD显示所有样品的晶体结构均为六方纤锌矿结构及(101)择优。由扫描电镜得到样品的晶粒尺寸为65～138nm。各个工艺的样品中,掺杂均匀,V含量与设计值基本一致,且样品中仅含Zn、V、O 3种元素。     

共沉淀法制备掺铝氧化锌粉末及其性能研究

采用共沉淀法制备了掺铝氧化锌(ZAO)粉末,研究了反应物终点pH值、煅烧温度、Al3+掺杂量对所合成的ZAO粉末红外辐射率的影响.借助于差热-热重分析 (TG-DSC)、X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、红外辐射率测试对制得的ZAO粉末的形貌、微观结构和红外辐射性能进行表征.研究结果表明,当反应物终点pH=8.5、煅烧温度为650 ℃、掺杂Al3+的摩尔分数为6%时获得的ZAO粉末的红外辐射率最低;制得的ZAO粉末属于六方晶系纤锌矿结构;具有红外辐射率最低值的ZAO粉末的形状为棒簇状.     

ZnS纳米粒子的水热法和溶剂热法制备

选用醋酸锌和硫代硫酸钠为原料,在“活性”水或甲苯中进行氧化－还原反应,制备了质量良好的ZnS纳米粒子。主要探讨在高温和高压的条件下以水或甲苯作为反应介质对ZnS粒子结构和形貌的影响。通过XRD、TEM、DSC等测试手段对ZnS粒子进行了分析。结果表明,所制备的ZnS纳米粒子粒径很小（约20nm),晶粒单一,属于立方晶系,分散性较好,结晶度、纯度较高,活性大,具有良好的应用前景;密闭高压体系有助于纳米粒子的分散和结晶度,产率的提高;与以去离子水作为反应介质相比,甲苯作为反应介质合成的ZnS纳米粒子纯度更高,分散性更好,但成本相应提高,此外,它在乙醇中的稳定性比在去离子水中的稳定性要好,粒子极性相对较低。     

CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究

利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．     

掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。     

硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较

用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon, PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较.结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700 nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能.从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和.     

锥状ZnO纳米结构薄膜的制备及其场发射特性

以醋酸锌和氨水为原料,采用直接水热法制备锥形纳米ZnO。借助于XRD、SEM等测试手段,对锥状纳米ZnO薄膜的制备条件、场发射特性和稳定性进行分析研究。研究结果表明,水热法直接合成的锥状纳米ZnO具有良好的场发射特性,是场发射平板显示器阴极的理想材料。     

LB法制备的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究

运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯(P(VDF-TrFE))共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为(110).运用波长范围为300～1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度(θ=75°和85°)测得的Ψ和Δ数据进行了拟合.获得了P(VDF-TrFE)薄膜的光学参数n, k, α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm2, 矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电-介电相变以及β弛豫.     

高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究

对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。X 射线衍射测量表明 ,重掺杂导致了GaN质量的下降 ,退火后略有恢复。霍尔测量表明 ,Cp2 Mg :TMGa的流量比小于 1:2 6.3时 ,退火后空穴浓度可达到 2× 10 18cm- 3;当Cp2 Mg :TM Ga的流量比为 1:2 1.9时 ,得到的高阻GaN在常规热退火和快速热退火后均只为弱 p型 ,存在明显的施主补偿现象。这被认为是重掺杂导致晶格缺陷增多 ,引入了施主能级 ,补偿了被激活的Mg原子的结果     

掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZnO:Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向.在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO:Zr薄膜电阻率具有最小值3.8×10-3Ω·cm.实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%.ZnO:Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.     

高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

采用能量 2 Ge V、剂量 10 1 0— 10 1 3cm- 2的 Ar+辐照 P型 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te材料 ,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究 .实验结果和分析表明 ,Ar+ 辐照在 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心 ,引起材料载流子 (空穴 )浓度的增大和迁移率的降低 .随着辐照剂量的增大 ,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快 ,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大     

氩氧分压比对ZnO薄膜的结构及电学性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅。     

掺钛氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺钛氧化锌(ZnO:Ti)透明导电薄膜.研究了靶衬间距对ZnO:Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,靶衬间距对ZnO:Ti薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在靶衬间距为4.6 cm时,实验获得的ZnO:Ti薄膜电阻率具有最小值4.18×10-4Ω·cm.实验制备的ZnO:Ti薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%.ZnO:Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.     

BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究

应用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了组分为r（Ba:Sr)=0.65:0.35的BST薄膜，研究了BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性，实验结果表明：BST薄膜经650℃热处理后，巳形成完整的立方钙钛矿结构，薄膜经900℃热处理后，其表面光滑、致密、无裂纹、无针孔，圆球形的小颗粒均匀分布。当偏置电压为0时，BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为542和0.035。漏电流特性分析结果表明：采用RuO2作为底电极，在1.5V的偏压下BST薄膜的漏电流密度为0.52μA/Cm^2，该值比Pt/RuO2混合底电极上制备的BST薄膜的漏电流密度（72nA/cm^2)大1个数量级，因此，Pt/RuO2混合底电极既克服了RuO2底电极漏电流大的缺点，又解决了Pt底电极难以刻蚀的困难，是制备大规模动态随机存取存储器的电容器列阵的最低底电极材料。     

GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究

介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法。利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性,包括表观电容、串联电阻和理想因子。实验结果表明,对于GaN基和GaAs基半导体激光器,其开始发光的过程同步于其电容由正转变为负的过程。进一步实验结果表明,GaN基半导体激光器比GaAs基半导体激光器具有更大的串联电阻和更大的理想因子。这是由于GaN基激光器的器件工艺不够完善以及外延生长的GaN材料具有很大的位错密度。该研究为提高和改善GaN基激光器的性能提供了必要的依据以及理论指导。     

高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

采用能量2GeV、剂量1010-1013cm-2的Ar+辐照P型Cd096Zno.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果和分析表明,Ar+辐照在Cd.6Zn004Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心,引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移率的降低.随着辐照剂量的增大,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大.     

掺Ce^3＋晶体的光谱和激光特性

本文综述了掺Ｃｅ＾３＋晶体由于激发态吸收，光离化，热诱导离化引起的瞬时和稳定色心吸收，直接淬灭了可能的激光增益或在了激光性能方面的研究结果，讨论了掺Ｃｅ＾３＋晶体研究方向的一些考虑。