二极管反向饱和电流取值的实验分析

采用电压大范围,小间隔变化的方法确定了二极管的饱和电流,实验结果表明,这种方法比较合理。     

PN结反向饱和电流的实验研究

对PN结反向饱和电流进行了精确测量,研究了PN结反向饱和电流与温度之间的关系,证明此关系遵循指数分布规律。     

测二极管反向伏安特性实验的改进

用定值电阻代替滑线变阻器，用分压器调节电压，可使二极管反向特性的测量更加方便．     

二极管双向限幅电路的实验研究

本文研究了二极管双向限幅电路、二极管双向限幅电路中VD2反向的实验电路、二极管双向限幅电路中VD1反向的实验电路和二极管双向限幅电路中VD1、VD2均反向的实验电路四种电路结构,分析了当输入正弦波电压时,上述四种电路的输出波形,并给出实验实测波形,实验结果验证了理论分析。     

二极管反向漏电流特性测试仪的设计

设计了一款在0~100℃和反向电压VR为0~1 000 V条件下,能够测试二极管反向漏电流特性的测试仪.它采用桥式输入I、CL7650组成的高精度放大电路、ADC0804和AT89S51完成了高压到低压的转换、信号的放大、采样、量化及显示,通过编程软件对测试结果进行修正,提高系统的测量精确度.对二极管IN4007的测试结果表明:所得反向漏电流分辨率达0.1 nA,准确度达1.79%.     

微封闭真空微电子二极管的实验研究

微封闭真空微电子二极管的实验研究＊刘卫东朱长纯（西安交通大学，７１００４９，西安）对真空微电子器件进行真空封装，是其得以广泛应用的重要先决条件［１］．未密封的真空微电子器件的长期稳定工作及各项性能测试，往往需要庞大的真空系统，这限制了它的广泛应用．目...     

“二极管伏安特性曲线”实验方案的改进

针对"二极管伏安特性曲线"实验方案的不足,提出了实验的改进方案,用大内阻的数字电压表替代小内阻的指针式电压表,再参考改进的伏安法电路所测数据,使用电压补偿电路进行详细的测量。采用上述方案测试了几种常见二极管的伏安特性曲线。结果显示,改进后的方案能准确的给出二极管的正、反向伏安特性,有助于二极管伏安特性实验总体目标的实现。     

pn结太阳电池饱和电流密度的理论研究

为提高太阳电池的开路电压Vac和效率η,必须减小饱和电流Jo,据此,对影响Jo的各种因素进行了研究,推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳电池的表面复合速度和少子加速场对Jo影响的表达式,并且对两者的影响进行了数值模拟,直观地得出了以下结论：在保证消除重掺杂效应带来不良影响的条件下,增大发射区少子漂移场强,可减小,Jo,提高电池Vco;减少电池的表面复合速度,能提高电池的性能。     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

塑封二极管的全自动测试

介绍工业生产中塑封二极管全自动测试的实现方法。重点介绍高电压和大电流可编程电源的硬件实现，并讨论了小电流的测试方案、软件结构及工艺措施。     

偏置电压对离子电流信号影响的试验研究

研究了在用火花塞作传感器直接测量发动机缸内燃烧状态时检测占所加的偏置电压对检测信号的影响,提出可获得所需离子电流信号的适当的偏置电压为200－600V,研究中发现：当偏置电压不同时,不仅离子电流的幅值和持续时间不同,而且其波形也有较大差异,在燃烧过程中会出现单峰,双峰和三峰现象,当偏置电压增至5KV时,驻燃烧过程中有离子电流信号,而且在进,排气冲程中,离子电流信号也异常突出,给出了不同偏置电压下离子电流的波形特征,获得了较为理想的离子电流信号的曲线,为用火花塞作为检测传感器实现汽油机缸内燃烧信号的检测奠定了试验研究基础。     

P-I-N型电力二极管反向恢复特性的仿真模型

讨论了一种简单的二极管反向恢复模型,通过采用与存储电荷相关的寿命时间常数来考虑Ａｕｇｅｒ复合过程及少子扩散电流的影响,从而得到更大精确的结果,该模型在电力电子系统ＣＡＤ软件ＰＥＣＳ中实现,采用该模型及软件对多种器件进行了分析和比较。     

基于恒电流二极管的LED驱动电路设计

LED照明是当前照明市场的热点趋势,对于其驱动电路设计方案也层出不穷.本文根据恒电流二极管的特性,针对LED照明中的小功率和大功率LED的不同特性,分别给出了驱动电路设计.保证LED驱动电路性能的同时大大简化了其驱动电路设计,降低了驱动电路的成本.     

P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析     

电流互感器饱和对单元件横差保护影响的仿真分析

针对电流互感器（CT）严重饱和会影响单元件横差保护的动作性能问题，采用ATP（Alternative Transients Program)仿真程序对CT的饱和问题进行了研究，分析比较在不同条件下CT饱和的行为特征及其对单元件横差保护的影响，研究表明，在各种防止CT饱和的方法中，增大CT变化是最直接有效的，在此基础上，给出了巨型发电机组单元件横差保护用电流互感器变化的选择方案以及向种提高电流互感器传变特性的方法。