Y2O2SO4: Eu3+ 亚微米棒的合成及发光性能

以Na2SO4和K2SO4为熔盐,采用熔盐法合成了一维Y2O2SO4:Eu3+亚微米棒。应用X射线衍射、扫描电子显微镜和光谱仪等方法对合成产物的晶体结构、形貌和发光性能进行表征。考察了烧结温度、Eu3+掺杂浓度对合成产物的晶体结构、形貌和发光性能的影响,结果表明,原料混合物在1100℃空气中煅烧2 h可合成纯相、表面光滑的Y2O2SO4: Eu3+亚微米棒,Y2O2SO4: Eu3+亚微米棒的长边大于10 μm,短边为500~800 nm。在270nm紫外光的激发下,Y2O2SO4: Eu3+亚微米棒呈红光发射,最强发射峰位于616 nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁,Y2O2SO4: Eu3+亚微米棒Eu3+的最佳掺杂浓度为10mol%。     

Eu/Tb共掺杂Y_2O_3荧光粉的发光性质研究（英文）

稀土掺杂荧光粉在固态照明中有良好的应用前景。这里用固相法合成了Y_2O_3:Eu~(3+),Tb~(3+)荧光粉,粉的相结构用X射线衍射仪进行了表征,发现合成了纯相Y_2O_3,掺杂的稀土离子未对基质结构产生影响。稀土离子单掺杂的Y_2O_3荧光粉在各自特征领域表现出良好的发光性质,Y_2O_3:Tb~(3+)发射出亮绿光,而Y_2O_3:Eu~(3+)发射出亮红光颜色。调控它们的浓度,可以在Y_2O_3:0.2%Eu~(3+),2%Tb~(3+)处实现白光,详细分析了它们的发光光谱,计算了它们的色坐标,对应的CIE色坐标分别标记在色坐标图中。     

红色荧光粉Ca_3Y_2Si_3O_(12):Eu~(3+)的制备及发光特性

采用高温固相法合成了红色荧光粉Ca_3Y_2Si_3O_(12):Eu~(3+)。研究了Eu~(3+)离子掺杂浓度、助熔剂及Gd~(3+)共掺杂对荧光粉发光特性的影响。XRD检测结果显示,荧光粉的主晶相为Ca_3Y_2Si_3O_(12),属单斜晶系。荧光光谱分析表明:硅酸盐荧光粉Ca_3Y_2Si_3O_(12):Eu~(3+)的发射光谱包含2个主峰,峰值分别位于590和614 nm,归属于Eu~(3+)离子从~5D_0→7~F_1和~7F_2的特征跃迁。用614 nm最强峰监测,得到激发光谱为一多峰宽带(200~500 nm)。改变Eu~(3+)离子掺杂浓度发现:随着掺杂量增加,荧光粉发光强度先增加后降低,最佳掺杂量为20 mol%;讨论了几种助熔剂的影响:NaCl、CaF_2作为助熔剂,对荧光粉的发光强度影响不大,H_3BO_3作为助熔剂降低荧光粉的发光强度,而NH_4F能显著提高荧光粉的发光强度;Gd~(3+)可以作为一种很好的共激活剂,敏化Eu~(3+)离子发光。     

Y_2O_3:Eu,Tb纳米荧光粉的制备与发光性能

以氧化钇、氧化铕、氧化铽、硝酸、柠檬酸等为原料,采用溶胶凝胶法制备Y_2O_3:Eu,Tb荧光粉体。通过X射线衍射分析(XRD)研究前驱体煅烧产物随温度变化的过程,用透射电镜(TEM)观察粉体的显微形貌,使用荧光光谱仪分析样品的激发和发射光谱。结果表明,1100℃煅烧3h可以得到结晶良好的纳米粉体,颗粒呈不规则形状,粒径分布在30~100nm之间。Y_(2(1-x))O_3:Tb_(2x)的粉体具有良好的发光性能,最佳掺杂浓度为1.0mol%。Y1.98-2xO_3:Eu0.02,Tb_(2x)粉体的发光同时表现出Eu~(3+)和Tb~(3+)的发光特征,两种离子之间存在能量传递,当Tb~(3+)离子用量大于1.0mol%时,出现浓度猝灭。     

燃烧法制备Y2Zr2O7:Tb3+纳米晶及其发光性质研究

以甘氨酸作燃烧剂采用燃烧法制备Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶粉末.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计对Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶的相结构、形貌和发光性质进行研究.结果表明:所得到的纳米晶粒度均匀、结晶完好,属于立方萤石结构.发光光谱的测试表明:Tb~(3+)呈现其特征绿色发射,最强峰位于542 nm处.Tb~(3+)的掺杂摩尔浓度在0.5%～6%的范围内,3%为最佳掺杂浓度.     

Ca_2AlSi_3O_2N5:Sm~(3+)荧光粉制备及发光特性

采用原位共沉淀与气氛还原氮化相结合的方法,在1100℃下制备出Ca2AlSi3O_2N5:Sm~(3+)。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)以及稳态瞬态荧光光谱仪(PL)对合成产物的结构、微观形貌和发光特性进行了研究。在287nm紫外光激发下,测得Ca2AlSi3O_2N5:Sm~(3+)的发射光谱为1个多峰宽谱,主峰分别为602nm(4G5/2→6H7/2)和650nm(4G5/2→6H9/2)。研究了Sm~(3+)掺杂浓度对Ca2AlSi3O_2N5:Sm~(3+)红光荧光粉发光性能的影响。结果表明,随着Sm~(3+)掺杂浓度增大,发光强度先增大后减小。     

掺杂离子对Gd2O2S:Eu3+磷光体结构和发光性能的影响

采用高温固相反应法制备出新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Xn+(X为Mg、Si、Ti中的一种或两种),研究掺杂离子对Gd2O2S:Eu3+磷光体的晶体结构、形貌粒度和发光性能的影响。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和分光光度计等对合成产物进行分析与表征。结果表明:掺杂离子没有改变Gd2O2S:Eu3+磷光体的晶体结构,颗粒的形貌为类球形,分散性良好。同时,掺杂离子显著地延长发光材料Gd2O2S:Eu3+的余辉时间,并显示纯正的红色发光。     

溶剂热-溶胶凝胶两步法合成(Y,Gd)(P,V)O_4:Eu~(3+),Bi~(3+)荧光粉及其发光研究

采用溶剂热-溶胶凝胶两步法合成了(Y1-z,Gd z)1-x-y(P z,V1-z)O4:x Eu3+,yBi3+系列红色荧光粉。用XRD、SEM和荧光分光光度计,对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行了表征。结果表明:样品为四方晶系,掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大;样品形貌均一,呈短杆状或椭圆状;激发光谱由位于250~400 nm的O2--V5+带和Eu3+-O2-带组成;最强发射峰位于619 nm,归属于Eu3+的5D0→7F2特征跃迁发射;Eu3+的最佳掺杂量为5 mol%(x=0.05);掺杂Bi3+、Gd3+、P5+后,样品发射强度得到显著提高,Bi3+的掺杂还会使激发带红移至400 nm。说明这类荧光粉是可用于近紫外芯片激发的白光LED用红色荧光粉。     

Eu~(3+)掺杂RE_2Sn_2O_7(RE=La,Gd,Y)纳米荧光材料的水热合成与发光性能

采用水热法合成Eu3+掺杂的RE2Sn2O7(RE=La,Gd,Y)系列样品,并采用XRD、SEM、FT-IR和荧光光谱对合成产物的晶体结构、颗粒尺寸、形貌和光学性能进行研究。结果表明:水热合成产物为单一相烧绿石结构的RE2Sn2O7:Eu3+(RE=La,Gd,Y),产物具有由一次纳米颗粒团聚而成的不规则球状形貌。激发光谱和发射光谱测试结果表明:Eu3+掺杂RE2Sn2O7(RE=La,Gd,Y)样品可以被紫外光有效地激发,发射出Eu3+离子特征的橙红色光。与其他样品相比,Gd2Sn2O7:Eu3+样品具有最强的橙红色发光,并对其原因进行了分析。     

Y3Al5O12基质中Sm3+离子浓度对其发光特性的影响

采用溶胶-凝胶/燃烧合成法制备不同Sm~(3+)掺量的Y_3Al_5O_(12)发光体.用XRD,PL等手段研究样品的物相结构和光致发光性能与掺杂浓度之间的关系,并探讨了Sm~(3+)的自身浓度猝灭机制.结果表明:Sm~(3+)掺量对样品晶体结构无明显影响;Y_3Al_5O_(12):Sm~(3+)样品的激发主峰位于405 nm(~6H_(5/2)→~4F_(7/2))附近,而最大发射峰在617nm(~4G_(5/2)→~6H_(7/2));Sm~(3+)在Y_3Al_5O_(12)基质中的最佳掺杂浓度为3.0 m01%,其自身浓度猝灭的原因主要是相邻中心的电四极一电四极相互作用引起的交叉弛豫(~4G_(5/2)+~6H_(5/2)→~6F_(9/2)+~6F_(9/2))所造成的.     

KLa(MoO_4)_2:Sm~(3+),Eu~(3+)荧光粉中能量传递研究

采用高温固相法合成了KLa0.7-x(MoO4)2:0.3Eu3+,xSm3+系列红色发射荧光粉,利用XRD对样品的晶体结构进行了分析,发现所得到的样品均为纯相。采用荧光光谱手段对样品的发光性质及能量传递进行了研究。在低Sm3+掺杂浓度时采用277及394 nm激发样品,其发光强度几乎不随掺杂浓度变化,若利用404 nm激发样品发光随Sm3+浓度有明显增强;当Sm3+掺杂浓度较高时,利用277,394及404 nm激发观察到了Sm3+对Eu3+发光产生了猝灭作用。采用电多极相互作用模型及交换相互作用模型对Sm3+到Eu3+的能量传递过程的物理本质进行了探讨,确定了在低掺杂浓度下Sm3+到Eu3+的能量传递是基于交换相互作用的结果。通过对Eu3+的5D0能级荧光动力学过程的分析进一步证实了在低Sm3+掺杂浓度时Sm3+充当能量传递供体,而高掺杂浓度时Sm3+对Eu3+发光产生了猝灭作用。     

共沉淀法制备Eu~(3+)掺杂La_3PO_7荧光材料及其性能

采用共沉淀法合成Eu~(3+)掺杂La_3PO_7荧光材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)和荧光光谱等对合成产物的物相结构和光学性能进行研究,并对合成体系的p H值、Eu~(3+)掺杂量的影响进行分析。结果表明:采用共沉淀法可制备单一相单斜晶系的La_3PO_7:Eu~(3+)晶体。所制备La_3PO_7:Eu~(3+)样品可被280 nm波长紫外光有效激发,在617nm处发射出属于Eu~(3+)的5D0-7F2跃迁的强烈红色光。当Eu~(3+)掺杂量高于4%时(摩尔分数)观察到浓度淬灭现象,其浓度猝灭机理为离子间交换相互作用。     

电荷补偿剂对红色发光材料CaAl_(12)O_(19)∶Mn~(4+)发光性能的影响

采用高温固相法在1 500℃保温4h的条件下合成了CaAl_(12)O_(19)∶Mn~(4+)红色发光材料。通过发光性能测试表征了Mn4+浓度、Na+、Li+、K+以及Mg2+等掺杂离子对材料发光性能的影响。研究发现,在紫外和蓝色波段均可有效激发CaAl_(12)O_(19)∶Mn~(4+),其发射主峰位于652nm的深红色光波段,其两侧的肩峰(640、666nm)可归属为声子副带发射。研究结果表明,Mn4+的最佳掺杂浓度为0.05 mol%;共掺的Na+、Li+、Mg2+、K+均可有效提高CaAl_(12)O_(19)∶Mn~(4+)的发光强度,其中Na+和Li+的最佳掺杂浓度均为5mol%时的发光强度可被提高2倍以上。因此,CaAl_(12)O_(19)∶Mn~(4+)是一种潜在的可用于提高LED显色性的红色发光材料。     

溶胶-凝胶法制备Eu掺杂Sr_2MgSi_2O_7光致发光性能

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备稀土离子Eu掺杂的Sr2MgSi2O7硅酸盐基发光材料,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光分光光度计(PL)对样品的晶体结构、形貌及光学性能进行测试。XRD测试结果表明,在较低的处理温度下可获得Sr2MgSi2O7,但样品中也存在其它的杂质相。荧光光谱测试结果表明,经空气中处理的Eu3+在395 nm光激发下产生590 nm、610 nm的发射峰,通过氢气还原处理后得到的Eu2+离子的发光从250到400 nm的紫外区可以激发峰值为460 nm左右的宽谱带,且随氢气还原温度的升高和Eu离子掺杂浓度的提高发光强度也增强。     

Li含量、沉淀时间以及溶液浓度对Y_2O_3:5%Eu~(3+),x%Li~+薄膜的形貌和光学性能的影响（英文）

利用电化学沉积法制备Li掺杂的Y_2O_3:5%Eu~(3+),x%Li~+荧光薄膜,并且研究了Li含量,沉积时间和溶液浓度对样品的表面形貌和发光强度的影响。结果表明,上述三者对所制备的Y_2O_3:5%Eu~(3+),x%Li~+荧光发光薄膜的形貌和发光性能均有影响。并且当x=15时,样品的形貌和发光强度表现最佳。     

Sr_2MgAl_(22)O_(36):Mn~(4+)的高温固相合成及发光性能

采用高温固相法合成了Sr_2MgAl_(22)O_(36):Mn~(4+)荧光粉,在365nm紫外灯照射下发红色荧光。样品通过XRD、SEM以及荧光光谱分析,探讨了煅烧温度、Mn4+掺杂浓度以及助熔剂H3BO3对样品发光性能的影响。结果显示,在温度高于1400℃条件下合成的Sr2MgAl22O36:Mn4+荧光粉均为Sr2MgAl22O36单相,可被紫外、近紫外及蓝光激发,其发射光谱的峰位分别位于645,659,671nm,归结为Mn4+的2E-4A2跃迁发射;Mn4+的猝灭浓度为1.2%(摩尔浓度),助熔剂H3BO3最佳掺杂量为反应混合物的2%(质量分数)。     

LaMgAl11O19: Mn2+和LaMgAl11O19:RE, Mn2+(RE=Eu2+, Gd3+)的发光特性

以H3BO3作助熔剂,用高温固相法在1150℃、保温4 h的条件下成功制备了LaMgAl11O19:Mn的单相粉末样品并研究了其真空紫外光激发下的一系列发光特性.在紫外光(254 nm)激发下,LaMgAl11O19:Mn不发光;真空紫外光(147 nm)激发下,观察到Mn2+很强的3d5→3d44s的跃迁发光,峰值位于516 nm,结果表明,Mn2+的掺杂浓度在0.05 mol/mol时发光最强.为了继续增强LaMgAl11O19中Mn2+的发光强度,在固定Mn2+的浓度为0.05 mol/mol的条件下又合成了LaMgAl11019:(Eu2+,Mn2+)与LaMgAl11O19:(Gd3+,Mn2+),利用(Eu2+,Mn2+)和(Gd3+,Mn2+)间存在有效的能量传递的特性,很好的达到了增强Mn2+的发光的目的.     

白光LED用新型红色荧光粉SrMgSi2O6:Eu3+, M(M=Gd3+, Ti4+)的合成及性质

以Na2CO3为电荷补偿剂,采用凝胶-燃烧法合成新型红色硅酸盐发光材料SrMgSi2O6:Eu3+。用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计等对合成产物进行分析和表征。结果表明：SrMgSi2O6:Eu3+ 的晶体结构与Sr2MgSi2O7相同,同属四方晶系。样品SrMgSi2O6:Eu3+的激发光谱在220～300 nm出现一宽带吸收,归属于O2--Eu3+之间的电荷迁移,300 nm以后出现的锐线峰为Eu3+的f-f跃迁吸收峰,其最强锐线峰位于400 nm,因而,可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发。发射光谱由两个强发射峰组成,位于592和618 nm处,分别属于典型的Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。此外,研究发现：共掺Gd3+或Ti4+均能敏化Eu3+的发光,可有效提高样品的红光发射。因此,SrMgSi2O6:Eu3+, M(M=Gd3+, Ti4+)有望成为一种与InGaN管芯匹配的白光LED用红色荧光粉     

稀土离子RE(RE=Pr,Nd,Eu)在Sr_2CeO_4基质中的发光性质

通过燃烧法合成了Sr2CeO4∶RE材料,研究了Sr2CeO4材料的结晶过程和发光性质及Pr3+,Nd3+和Eu3+稀土离子在Sr2CeO4基质中的发光性能。实验通过燃烧法制得的前驱体在1200℃焙烧2h可得均一的Sr2CeO4相,较传统方法的合成时间大为降低。稀土离子Pr3+,Nd3+和Eu3+的在基质中的少量掺杂(0.02%)均可使Sr2CeO4在475nm左右的特征发射谱峰明显变宽增强,且Eu3+离子的掺杂可使材料在510nm,540nm,610nm左右产生多个明显的稀土离子的特征发射峰。实验合成的发光材料具有良好的发光性能,证明Sr2CeO4材料可作为一种优良的发光材料的基质使用,为寻找新型的发光材料提供了一条新的途径。     

物质比及掺杂浓度对燃烧合成制备Eu掺杂Ca-α-SiAlON荧光粉的影响

采用高效、便捷的燃烧合成工艺,通过调整多项工艺参数,制备出了高性能Eu~(2+)掺杂的Ca-α-Sialon体系荧光粉。对原始反应物中燃烧物质的比重进行了步长为1%(质量分数)的精细调控,探索了硅粉原料比例对产物性能的影响规律,确定了最佳原料配比;通过精细调控体系中作为发光中心的Eu2+掺杂量,探究了产物发光性能随铕离子掺杂浓度的变化规律;最终确定了最为适宜的燃烧合成反应参数。通过使用XRD、SEM、等测试手段对产物进行分析,发现其α-Sialon相纯度高,残余硅少,颗粒结晶良好,粒度分布均匀,PL谱测试表明其在250~350 nm和350~450 nm区间内存在2个较宽的吸收带,在580 nm附近处有较强的黄光发射,半峰宽约为94 nm。