碳化硅材料及技术研究进展

<正>一、引言在半导体材料的发展历史上,通常将硅(Si)、锗(Ge)称作第1代半导体。将砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)、磷化镓(Ga P)等为代表的合金半导体称作第2代半导体。在其之后发展起来的宽带隙半导体,碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)、氮化铝(Al N)及金刚石等称为第3代半导体。Si C作为第3代半导体的杰出代表之一,相比前2代半导体材料,具有宽带隙、高热导率高、较大的电子饱和漂移速率、高化学稳定性、高击穿电场高等诸多优点,在高温、高频、大     

碳化硅材料特性及其应用浅析

正一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较,Si C具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。Si C是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一,Si C在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方     

碳化硅薄膜热敏材料的制备

本文介绍了采用硅、碳复合靶射频溅射镀制碳化硅薄膜。用四探针法分别测得了在不同氩气分压下,不同溅射功率与基板温度下,电阻率与温度关系曲线。用 NP-1型光电子能谱仪测量薄膜成分。结果表明在不同的溅射条件下,制备的碳化硅薄膜属于硅、碳、碳化硅混合成分的薄膜,其电阻率相差很大。本工艺制备的碳化硅薄膜,在所测量的0～300℃温区内,具有明显的负温度系数。     

半导体器件引线框架材料的现状与发展

本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状 ,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析 ,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展 ,引线框架材料今后的发展趋势。     

半导体器件引线框架材料的现状与发展

本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展,引线框架材料今后的发展趋势。     

对于绿色设计的机械产品材料选择相关问题探讨

随着经济技术和生活水平的提高,人们环保意识也慢慢增强,在制造业内绿色设计就是一个很好的体现。机械产品生产材料的选择是有关绿色设计的一个关键内容,材料的性能对产品的环保性能有直接的影响。本文针对传统机械设计与绿色设计的根本区别,对绿色设计材料选择方法进行了分析,提出了一些建议及完善措施,希望对机械产品材料选择相关的绿色设计发展有所帮助。     

碳化硅半导体材料的研究现状及发展前景

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点,是具有广阔前景的第三代半导体材料。本文从半导体产业链分析了碳化硅半导体的研究现状及发展前景。     

移液器相关问题探讨

正移液器又被人们俗称为移液枪,包括手动移液器、电动移液器;定量移液器、可调移液器;单通道移液器、多通道移液器。其结构由容量调节器、吸液嘴推卸器、体积显示窗、活塞、活塞套筒、吸引管连接头等部分组成。一、移液器及吸液嘴的选择1.移液器的选择对于使用者而言,选择一支经久耐用且准确性可靠的移液器,要考虑以下几点:(1)产品的性能:移液器的准确度和重复性     

碳化硅材料在核燃料元件中的应用

采用溶胶-凝胶法制备了稀土La离子掺杂的纳米TiO2光催化剂（La-TiO2）,通过XRD、PL、U、LVis对La-TiO2样品进行了表征和分析,并以亚甲基蓝（MB）作为目标降解物,研究了不同热处理温度及不同La掺杂浓度的（La-TiO2）样品对MB的光催化降解效果。结果表明,所制备样品的晶型均为锐钛矿相和金红石相的...     

碳化硅镜片材料的加工研究现状

为了推动碳化硅（SiC）光学材料镜面加工研究的发展,介绍了不同种类SiC及其针对性应用,综述了可用于SiC的精加工技术及获得高质量镜片表面的方法,并指出SiC光学材料镜面加工的发展方向．     

反应烧结碳化硅的磨削特征

采用金刚石砂轮对(RBSiC)进行磨削, 系统研究了表面形貌、残余应力和弯曲强度等磨削特征. 结果显示, 材料主要以脆性断裂去除, 局部区域为塑性切除. 随着轴向进给增大, 表面粗糙度(R_a)增加, 为降低R_a可进行适当光刀. 随着轴向进给增加, 磨削区的冷却效果被削弱, 使磨削残余压应力值下降. 与0.9 μm/s相比, 用1.35 μm/s磨削后试样的表面损伤程度增加. 工作台转速2.1 r/min、轴向进给0.9 μm/s并光刀1 min是保证高加工效率并获得较好质量表面的最优参数.     

浅析当前食品包装材料中存在的问题

本文主要分析了近年来食品包装材料中暴露出来的问题,并总结归纳了目前我国食品包装标准相关的卫生标准和产品标准及主要的检测项目,并提出了解决问题的一些浅显思考.     

浅谈当前市政管理的问题和相关对策

国家管理的重要内容之一就是市政管理，这是由城市地位的重要性所决定的。我国的市政管理由来已久，而现代的市政管理的形成经历了漫长和曲折的过程，逐步稳定下来的市政管理体系具有显著的中国特色。但是，当前的市政管理仍然存在着一些问题，需要相关的对策予以完善，作者在本文中就这些问题提出了自己的看法。     

浅谈当前市政管理的问题和相关对策

国家管理的重要内容之一就是市政管理，这是由城市地位的重要性所决定的。我国的市政管理由来已久，而现代的市政管理的形成经历了漫长和曲折的过程，逐步稳定下来的市政管理体系具有显著的中国特色。但是，当前的市政管理仍然存在着一些问题，需要相关的对策予以完善，作者在本文中就这些问题提出了自己的看法。     

铁电薄膜材料及其相关问题研究进展

铁电薄膜材料是目前国际上研究的热点之一.综述了铁电薄膜及其制备技术研究的新进展,介绍铁电薄膜材料的性能及应用,并重点分析了铁电薄膜不同制备技术的优缺点,指出了目前关于铁电薄膜研究中的一些重要问题.     

浅谈当前市政管理的问题和相关对策

国家管理的重要内容之一就是市政管理，这是由城市地位的重要性所决定的。我国的市政管理由来已久，而现代的市政管理的形成经历了漫长和曲折的过程，逐步稳定下来的市政管理体系具有显著的中国特色。但是，当前的市政管理仍然存在着一些问题，需要相关的对策予以完善，作者在本文中就这些问题提出了自己的看法。     

碳/碳化硅刹车材料的显微结构分析

采用反应熔体渗透法(reactive melt infiltration, RMI)制备了碳/碳化硅(C/SiC)刹车材料, 利用X射线衍射分析了材料组成, 并通过光学、扫描电子和透射电子显微镜从不同尺度观察了刹车材料的微观结构. 结果发现, 反应生成的SiC是面心立方的β-SiC, 主要分布在胎网层、针刺纤维附近以及无纬布层的纤维束间; 残余的单质Si分布在SiC的颗粒间. SiC在SiC-Si界面上, 以大约5～15μm的粗大颗粒存在; 而在SiC-C界面上, 以粒径100nm左右的细小颗粒存在.     

高温下工作之零件用碳化硅材料

由于缺少可提高碳化硅塑性的适宜結合剂,故而限制了碳化硅作为結构材料的采用。目前采用下面三种主要的結合剂:硅酸盐、氮化硅和硅。 在碳化硅方面应用最广的結合剂是硅酸盐,由硅酸盐可以制造各种用途的高級陶瓷材料。然而,这种結合剂在1205～1510℃下开始     

碳化硅作为先进材料的应用与制备

很少材料具有和碳化硅(SiC)一样卓越的综合性能。在物理性质方面,碳化硅具有几乎和金刚石一样的极高硬度,它能耐1000℃以上的温度,在这样的高温下不发生明显变化。作为半导体,和硅一样,碳化硅具有许多优良特性,适合用于在高温和高频条件下工作及在辐射环境中工作的电子器件。它还有透明性,刚性和强度极高的特点。由于具有这样一些引人注目的特性,SiC一直是由研磨材料到高温器件的各种传统与精密用途的首选材料。     

碳化硅:实现国产材料的中国梦

<正>随着5G移动通讯技术、高压智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、移动互联、海亮光存储、可见光通讯等市场巨大拉动,全球对以碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N)为代表的具有带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等特征的宽禁带半导体材料(亦称"第3代半导体材料")活跃度日益提高,产业进入了快速发展阶段。法国悠乐(Yole)公司7月公布的最新数据显