一种高速高分辨率电流舵D/A转换器的设计

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3.3 V/1.8 V(模拟电路部分电源电压为3.3 V,数字电路部分电源电压为1.8 V)、最大刷新率为200 MSPS、分辨率为14位的高速D/A转换器(DAC).该DAC采用传统的5-4-5温度计码与二进制权重码混合编码的分段电流舵结构.对电路中的关键模块,如运算放大器、带隙基准源,进行了优化设计;给出了整体电路的版图设计.仿真结果显示,采样频率为200 MHz时,DAC的SFDR为87 dB左右.     

巧用BUCK方式DC-DC产生高频调谐电压

<正> 在数字电路的设计中,供电电压大多以5V、3.3V 居多,而电源输出的电压一般都是12V。要产生5V、3.3V 就要用到DC-DC 电路。有时也有特殊情况需要一些高电压,例如高频头的调谐电压33V,这样就需要用一些芯片来完成电压提升的任务。本文中介绍一种利用12V 转5V     

一种低功耗CMOS可编程模拟延时电路

提出了一种基于65 nm CMOS工艺的5位可编程模拟延时电路。采用1.2 V的电源电压和0.01 V的步进控制电压来实现方波输入信号的延时控制。利用Cadence软件对该延时电路进行了性能分析。仿真结果表明,在典型低阈值工艺角下,该延时电路利用5位延时控制信号达到了0.34 ns/LSB的最高延时分辨率和41.47 ns的最长输出延时,实现了对1 kHz~1 MHz范围的数字方波信号的有效延时控制。该延时电路适用于低频数据采集、数据存储等系统。     

CMOS数控振荡器设计

设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。     

14 Gb/s高速串行接口发送端电路设计

介绍了一种采用SMIC 65 nm CMOS LL工艺、工作在14 Gb/s的高速串行接口发送端电路。该电路主要由多路复用器、时钟分布电路和连续时间线性均衡器组成。低速复用器由数字电路构成,节约了功耗;高速复用器采用电流型逻辑电路结构,提高了工作速度。线性均衡器具有较高工作频率和较低功耗,并能够提供适当的高频补偿。重点分析了数据和时钟信号之间的时序问题,并使用改进的时钟链路,保证电路在工艺、电源电压和温度变化时能正常工作。仿真中引入焊盘、键合线及PCB走线模型,模拟电路的实际工作情况。仿真结果显示,发送端电路能工作于14 Gb/s;在1.2 V电源电压下,功耗为80 mW;当输出信号经过10 cm的RLGC传输线后,50 Ω负载上接收到的信号眼高为427 mV,抖动为4 ps。     

快速判测“555”

被誉为万能电路的“555”集成电路以独有的电路结构和控制特性,被广泛地应用在电子控制、信号检测、仪器仪表、家用电器、定时控制中,可构成“单稳态、脉宽调制,形波信号”等独立的单元电路。由于“555”集成电路在结构上是模拟——数字电路的结合,在功能上又把模拟和数字兼容在一起,拓展了摸拟电路,延伸了数字电路。工作中又采用单电源模式,能在4.5-15V宽电压范围内工作,可和数字电路,模拟电路兼容。因而在很多电子教科书中都选为“范例”,正是由于其应     

一种共源共栅自偏置带隙基准源设计

在分析带隙基准理论的基础上,针对SoC芯片的1.2V数字电路供电,设计一个低功耗低温度系数、高电源抑制比的带隙基准源。电路由一个与绝对温度成正比(PTAT)电流源和一个绝对温度相补(CTAT)电流源叠加构成,采用低压共源共栅自偏置结构来减少镜像失配和工艺误差对电路的影响。在SMIC0.13μm混合信号CMOS工艺下,电源电压为2.5V时,使用Cadence Spectre对电路进行模拟,结果表明可实现1.2V输出电压,电源抑制比在低频段为-86dB、高频段为-53dB,温度系数为12×10-6/℃、功耗为0.57mW。带隙电压基准源的版图面积为75μm×86μm。     

CASIO CT—640型电子琴电源电路原理与检修

一、电路原理结合实物测绘的电源电路如附图所示(图中元件标号为笔者自定)。集成块IC(CA6722)是该电源电路的核心元件。它能输出精确而稳定的 5V直流电压。从IC第①脚输入 9V直流电压,经IC内电路稳压后,由第⑥和第⑧脚输出 5V电压。电压V_(DD)为ROM、RAM以及CPU中的部分电路供电(CPU中其它电路的工作电压由DV_(DD)供给)。电压AV_(DD)用于电子琴中模拟电路的小信号部分。电压DV_(DD)供电子琴中其它数字电路     

低温漂带隙基准源及驱动电路设计

基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路。该电路采用0.6μmCSMC-HJN阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在–55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V￣6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA￣2mA的电流驱动能力。     

一种混合信号型时分复用上电复位及模拟音量控制电路

为了满足助听器SoC高精度、低功耗应用,提出一种基于8位逐次逼近模数转换器的混合信号型时分复用上电复位及模拟音量控制电路。该电路利用逐次逼近模数转换器输出结束标志信号作为时分信号,对电池电压和模拟音量电压进行交替检测。数字逻辑电路可实现对上电、欠压阈值以及延迟时间的灵活配置,同时也可进行信号处理以及产生上电复位和欠压报警信号。电路采用SMIC 130nm 1P8M混合信号工艺实现。测试结果表明,在供电电压1V时,电路能够完成高精度的上电复位、欠压报警和模拟音量检测功能;输入120 Hz正弦信号和15kHz时钟频率时,逐次逼近模数转换器输出信号最大信噪失真比为46.5dB,功耗仅有86μW。     

一种低功耗LDO线性稳压器的设计

基于UMC40nm工艺,设计了一种为数字电路供电的LDO线性稳压器,输出电压为1.1V.该电路工作在大负载电流和小负载电流两种模式下.对LDO的基本原理进行了分析,详述了关键电路的设计,最后通过cadence spectre仿真验证了设计的可行性.低功耗模式下,静态电流可以低至3.75uA.全负 、载范围内,增益可达6...     

一种高性能的Σ-ΔA/D转换器的设计

提出了一种高速高分辨率的过采样率可配置的四阶基于2-1-1级联拓扑结构的SigmaDeltaA/D转换器的设计方法。设计采用的是0.18μmCMOS混合工艺,模拟电路和数字电路的供电电压分别为3.3V和1.8V。该转换器的采样时钟速率最高可以达到64MHz,过采样率可以配置为32、16两种方式,当过采样率为32时,可达到115dB的无杂散动态范围和95dB的信噪比,总功耗约为200mW。     

一种高速低功耗LVDS发射器设计

依据标准IEEE Std.1596.3-1996,提出了一种高速低电压差分信号(LVDS)发射器电路,给出电路结构、仿真数据及版图。电路采用65 nm 1P9M CMOS Logic工艺设计实现。用Spectre仿真器对发送器进行模拟仿真,仿真结果表明该发射器电路在电源电压为2.5 V的工作条件下,数据传输速率可以达到2 Gbps,平均功耗为9mW。     

提高开关频率缩小L/C体积

随着工艺的发展,数字电路的电源电压变化问题日益突出。为了减小其变化量,需要对供给电源电压和电流的电源电路动大手术。这已经成为今后半导体器件发展的必然趋势。用于抑制电源电压变化的方法,主要有两种。一种方法是缩短负载(数字电路)和电源电路之间的距离。如果将流过 1.0     

数据转换器采用90nm工艺开发产品电源电压以1V左右为主流

数据转换器的最大特色是工艺取得了大幅度进步.在上届会议上发布的ADC和DAC中有半数以上采用了180nm工艺;但这一次的器件有一半(8件)采用了90nm工艺,采用130nm工艺的占4件,甚至还有1件采用了65nm工艺.随着工艺的发展,1V左右的电源电压成为了主流.     

一种带使能控制的16选1高压模拟开关电路的设计

模拟开关市场需求量巨大,正朝着高工作电压、多样化逻辑控制的方向发展.为顺应市场需求,基于高压工艺设计了一款带使能控制的16选1高压模拟开关电路.电路可采用正负双电源供电,也可采用单电源供电.电路可正常工作的高压供电范围较宽,为双电源±4.5～±20 V,单电源4.5～40V.其性能参数能完全实现的供电电压范围为双电源±...     

无源超高频RFID标签的模拟前端电路设计

设计完成了一款无源超高频RFID标签的低功耗模拟前端电路。采用了一种新的阈值消除技术,整流电路的能量转换效率可以达到30%以上;使用一种低功耗的稳压电路,为数字电路提供稳定的1 V电源电压的同时功耗为500 nA。此外提出了一种等效灵敏度的测试方法,可以简便地获得标签芯片的激活功率水平。该设计采用TSMC 0.18μm工艺,整个芯片面积为700μm×800μm。测试结果显示:稳压电路可以输出稳定的0.95 V电压,解调模块可以正确调解幅度大于150 mV的天线信号。根据等效灵敏度测试方法,测得本设计的灵敏度约为-14.9 dBm。     

一种新型基准电流源电路设计

模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。     

一种高性能的∑-△A／D转换器的设计

提出了一种高速高分辨率的过采样率可配置的四阶基于2-1-1级联拓扑结构的Sigma Delta A／D转换器的设计方法。设计采用的是0．18μm CMOS混合工艺，模拟电路和数字电路的供电电压分别为3．3V和1．8V。该转换器的采样时钟速率最高可以达到64MHz，过采样率可以配置为32、16两种方式，当过采样率为32时，可达到115dB的无杂散动态范围和95dB的信噪比，总功耗约为200mW。     

有线通信集成光调制器的WDM收发器40Gbps也采用CMOS工艺实现小型化和低功耗

有线通信领域在利用CMOS工艺提高速度和降低成本方面正在取得进展.采用CMOS工艺不仅能够以低功耗传输10Gbps以上的信号,而且还能集成各种各样的功能.同时,为了使用更低的电源电压提高电路特性,将模拟电路替换成数字电路已是大势所趋.