铁电超晶格相变性质的推迟格林函数方法研究

基于横场伊辛模型，用推迟格林函数方法研究了双层铁电超晶格的居里温度和自发极化.通过对横场伊辛模型的格林函数运动方程进行高级截断近似，给出了格林函数中本征频率的普遍表达式，并进一步地获得了铁电超晶格的本征频率.然后对铁电超晶格的居里温度、各层的自发极化以及平均自发极化进行了计算和分析.     

铁电多层膜与铁电超晶格

铁电多层膜和铁电超晶格是改善铁电薄膜性能并探索新的物理现象的有效途经.作者结合自己的研究工作,介绍了铁电多层膜和铁电超晶格的研究现状和进展.     

用横场伊辛模型研究退极化场对铁电薄膜的影响

考虑到退极化场对铁电薄膜性质的影响,提出了一个改进的横场伊辛模型,在平均场理论的框架下研究了薄膜的一系列铁电行为.计算结果表明退极化场使薄膜的自发极化曲线更加平坦,膜的极化变得更加均匀,得到了与朗道—金兹堡理论的一致结果.     

铁电多层膜中的退极化场

从最基本的电介质方程出发,给出了铁电双层膜、铁电三明治结构、铁电超晶格中退极化场的表示形式,并详细研究了退极化效应对反铁电耦合的铁电双层膜的极化以及电滞回线的影响.     

有限集团近似研究二维和三维晶格横场伊辛模型的热力学性质

本文在有限集团近似的框架内研究了自旋为1/2的二维平方晶格和三维简立方晶格横场伊辛模型的热力学性质,得到了相应的相图,临界温度和临界横场。有限集田近似方法与平均场近似相比,在数学上处理同样简单,但可给出更好的结果。     

退极化因子

各向同性线性电介质在外电场作用下极化,其极化与外场及介质本身的几何形状有关,本文从导出椭球形介质的退极化因子入手,对退极化因子的物理意义作了比较全面的讨论     

铁磁超晶格的热力学性质

本文应用双粒子集团近似和离散路径积分技术相结合的方法，研究了用横向伊辛模型描述的无限铁磁超晶格的热力学性质，讨论了超晶格的临界温度与其几何结构、交换作用强度的关系，得出了自发磁化强度随温度的变化关系。     

退极化场对Ba0.5 Sr0.5 TiO3外延薄膜的铁电和介电性能的影响

基于Ginzburg-Landau-Devonshire唯象理论,定性研究了在有或无退极化场情形下外延Ba_0.5Sr_0.5TiO₃薄膜的铁电和介电性能随厚度的依赖特性。结果表明:与无退极化场相比,退极化场的存在使薄膜极化强度空间分布更均匀,抑制了系统的平均极化强度,降低了相变温度(ΔT_c),但增加了临界厚度(Δh_c、Δh_m)和调谐率(Δφ),尤其在电极弱补偿情况下更加显著,厚度为100 nm时薄膜的ΔT_c、Δh_c、Δh_m和Δφ分别约为-57.5 ℃、15 nm、40 nm和20%;外延薄膜的介电性能取决于极化强度对外加电场的响应能力,而非极化本身,这一观点可从完全相反的极化强度和调谐率厚度依赖性趋势充分证明。     

质子射频场照射对13C自旋晶格弛豫的影响

用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照 射时¹³C的自旋晶格弛豫过程. 理论分析表明, 在1H受到射频场照射时, ¹³C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程, 但在特定实验条件下可以变为单指数过程. 数值模拟可显示出满足T^C₁H₁和T C₁>TH₁条件的 ¹³C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对¹³C自旋晶 格弛豫的影响. 通过实验观察固体L-缬氨酸的甲¹³C自旋晶格弛豫过程, 测定 相应的弛豫时间. 所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合.     

在晶格场和Aharonov-Bohm势场中的电子能级的计算

对于一个二维模型体系 ,采用WKB近似方法计算了金属层中电子在晶格场和Aharonov Bohm势场 (以下简称A B势场 )中的能级。得出的束缚态能级表达式中 ,包含了与A B势的磁通有关的量 ,表明层状模型中金属层厚度很小时 ,能级中存在量子边界和量子尺寸效应的影响     

人工复合铁电多层膜热释电性质的理论研究

建立3种具有不同相变温度的铁电材料垂直于极化方向复合而成的铁电薄膜的理论模型,在ginzburg-landau-devonshire (GLD)唯象理论的框架下展开研究,同时引入局域分布函数来描述不同材料间过渡层的性质,主要研究了复合铁电薄膜的热释电性质.通过改变3种不同铁电材料的复合方式,计算了铁电多层膜内部的极化强...     

芳香族铁电液晶高速电光开关的性质

研究用(+)-对烷氧基苯甲酸对′-2-甲基丁氧基苯酚酯液晶和(+)-对烷氧基苄叉对′氨基肉桂酸-2-甲基丁酯液晶制成的电光开关的微观结构,以及响应时间τ和对比度I与驱动电压V和液晶盆温度T的关系。τ随V的增加而减小,与V的倒数成正比关系;τ达10μs级;当V一定时,τ在T接近居里温度T_c处存在一极小值;I随V的增加而增加,随T的增加而减小。     

夹杂对铁电颗粒畴结构及性能的影响

采用相场方法模拟了内含夹杂的铁电颗粒的畴结构演化, 研究了夹杂对铁电颗粒畴结构和性能的影响. 研究发现, 铁电极化电荷在夹杂表面的聚集可导致电势的局部升高或降低,改变退极化电场, 影响夹杂边界区域的极化矢量的生长和偏转, 会增加畴结构的无序度; 该影响在夹杂数量较多以及尺寸较大时尤为明显. 最后, 通过模拟电滞回线发现了颗粒的铁电性随夹杂的增加显著减弱的现象. 因此, 在微型电子器件的应用中应尽量避免在铁电颗粒中出现夹杂.     

手性液晶的研究：X.强极性铁电液晶的合成及其性能

合成了同系列的两个化合物－２－氯－３－甲基戊酸－４，４＇－辛氧基联苯酚酯和－２－氯－３－甲基戊酸－４，４＇－癸氧联苯酚酯。经红外光谱和质谱分析确证了其化学结构。测定了３Ｍ２ＣＰＯＯＢ的响应时间、倾斜角、电滞回线、自发极化率等物性参数，证明其是一个低温、宽温程、大自发极化率的铁电液晶，响应时间达微秒级。     

双频交流电场对超晶格中电子漂移速度的影响

利用半经曲理论得出了超晶格中电子漂移速度与外加双频交流电场的电场幅值和电场频率的关系，并且利用数值方法，计算了在相差和频率不同时，漂移速度随电场幅值的变化关系，也计算了在相差和频率之比不同时，漂移速度随电场频率的变化关系。     

磁场对水介电系数作用的研究

基于研究工业物料水分检测新方法的目的，对磁场作用下水的介电系数随外加电场频率变化的色散特征ε（ｆ）进行了测试．结果发现，经磁场作用后水的介电系数在低频区域有明显提高，其增幅在１ｋＨＺ内大于３０％，在１ＭＨｚ内大于１０％．对实验装置与方法也作了必要的阐述．     

介质电容器场中能量的变化规律

本文进一步讨论了电容器中介质场能量与电场能量的相互转换规律。     

聚合体网络对铁电液晶的影响

通过定点聚合混合在小分子铁电液晶中的可交联单体来制备高聚合体网络稳定铁电液晶（PNSFLCs）。试验中所用单体为紫外固化光学粘合剂NOA65，其用量少于5%，铁电液晶中存在很少量的聚合体网络可以引起相变行为的显著变化。聚合体网络的存在可减小分子倾斜角和降低液晶载体的自发极化强度。分子倾斜角和自发极化强度与温度的对应关系可用指数函数来描述，但在聚合体存在的情形下，函数参数的数值不同于在均场近似下由经典朗道理论所得到的数值。对于纯铁电液晶，自发极化强度与分子倾斜角之间存在与温度无关的线性关系；在聚合体网络存在的情形下，这一线性关系的温度独立性被破坏。     

FLC编码系统中材料参量设计的电路实验研究

提出用电路模型实验的方法对铁电液晶基相位编码系统进行材料参量设计.建立了编码系统中关于相位分析的铁电液晶电路模型.以铁电液晶材料的典型参数(自发极化强度、转动粘滞系数以及液晶薄膜厚度)为参变量,给出了稳态方位角(表征外加电场引起的铁电液晶折射率变化)与各参变量间的依赖关系,以及各参变量对调制速率的影响.实验结果表明:调制速率随自发极化强度的提高而增加,随转动粘滞系数、液晶薄膜厚度的提高而减慢.控制自发极化强度取值大于38nC/cm3,转动粘滞系数小于210mPa.s,液晶薄膜厚度小于24μm可使稳态方位角满足基于相位编码系统提出的参考值.