电沉积工艺对p-CuSCN薄膜结构及半导体性质的影响

以乙二胺四乙酸二钠(ethylenediamjn tetraacetic acid disodium,EDTA)为鳌合剂,在水溶液络合体系中采用电沉积法制备了CuSCN半导体薄膜,应用电子隧穿成核和表面态热激发机理以及Mott-Schottky曲线分析了沉积电位和温度对薄膜结构和半导体性质的影响.结果表明:室温下,价带电子隧穿产生的电流与表面态空穴热激发电流在同一数量级,表面态空穴热激发电流不随电位改变,价带电子隧穿电流的变化趋势反映了整体电流的变化.随着阴极电位的升高,由于价带电子的隧穿几率变化,晶粒尺寸先减小后增大;半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.由于沉积反应受活化能控制,在高温条件下主要表现为晶粒生长,导致晶粒尺寸增大,薄膜致密度降低;同时也使半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.     

电沉积制备铜系薄膜太阳能电池吸收层的研究现状

介绍了一步沉积法和多步沉积法制备铜铟硒(CISe)、铜铟硫(CIS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜锌锡硫(CZTS)等铜系薄膜太阳能电池吸收层的电沉积技术,并对其未来发展进行了展望。     

薄膜太阳电池CIGS吸收层低成本制备-电沉积工艺研究

薄膜太阳能电池的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)吸收层的制备工艺对太阳能电池的性能起着决定性的作用,它不但与降低生产成本息息相关,而且与转化效率、能否大规模生产等产业化中的问题密不可分.电化学沉积是一种非真空工艺,可与卷绕工艺结合进行大规模生产,本文详细论述了电化学沉积的原理及其沉积电动势、电解质浓度、pH值、析氢、温度和衬底材料对CIGS薄膜吸收层的影响.     

P型Si上电沉积Ni-W-P合金薄膜

首次采用恒电流电沉积方式P型Si（111）上制备出Ni－W－P合金薄膜。考察了电沉积条件对镀层组成的影响，确定了制备表面致密、具有良好结合力的Ni-W－P合金薄膜的最佳工艺条件。     

电沉积TiO2纳米晶薄膜及其光电性能研究

采用阴极电沉积法在导电玻璃基体上制备了TiO2薄膜.运用扫描电子显微镜、X-射线能量散射分析仪和X-射线衍射仪对TiO2薄膜的形貌和结构进行了分析.以N719染料敏化的TiO2薄膜为阳极,0.5 mol/L KI和0.05 mol/L I2的乙氰和乙烯碳酸酯的混合溶液为电解液,碳电极为阴极,组成太阳能电池,通过电流-电压曲线研究了太阳能电池的性能.结果表明:TiO2薄膜的晶型为锐钛矿,其晶粒d平均为28.8 nm.太阳能电池的U开路为0.513 V,J短路为22.8 A/m2,填充因子为0.392,光电转换效率为0.466%.     

电沉积Cu_（2x）In_（2－2x）Se_2薄膜的光电化学研究

用电沉积法制得Ｃｕ＿（２ｘ）Ｉｎ＿（２－２ｘ）Ｓｅ＿２（铜铟硒）（０＜ｘ＜１）薄膜￣［１］并用ＥＤＡＸ对其组成进行分析．对薄膜电极的光电化学性能、光谱响应、能隙与ｘ的依赖关系进行了研究．借助于现场微区扫描光电流谱观察了热处理、薄膜厚度、光极化对薄膜电极的光电性能影响．研究了Ｐｂ（ＮＯ＿３）＿２有效的浸渍对薄膜光电性能的影响．     

电沉积Cu2xIn2—2xSe2薄膜的光电化学研究

用电沉积法制得Ｃｕ２ｘＩｎ２－２ｘＳｅ２（铜铟硒）（０＜ｘ＜１）薄膜＾［１］并用ＥＤＡＸ对其组成进行分析。对薄膜电极的光电化学性能、光谱响应、能隙与ｘ的依赖关系进行了研究。借助于现场微区扫描光电流谱观察了热处理、薄膜厚度、光极化对薄膜电极的光电性能影响。研究了Ｐｂ（ＮＯ３）２有效的浸渍对簿膜光电性能的影响。     

电化学沉积CdSe纳晶薄膜的性能及沉积机理

电化学沉积ＣｄＳｅ纳晶薄膜的性能及沉积机理王维波林瑞峰林原萧绪瑞（中国科学院感光化学研究所,光电化学中心,北京１００１０１）陈旭光杨勇（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门３６１００５）关键词ＣｄＳｅ纳晶薄膜,电化学沉积,扫描隧道显微镜...     

电沉积纳米ZnO薄膜的研究

分别以硝酸锌的水溶液、醇水溶液、表面活性剂OP-10水溶液及醇水OP-10混合液作电解液,采用恒电流法,在透明导电玻璃衬底上沉积了纳米晶ZnO薄膜.研究了电解液组分对薄膜的形成、结构和性能的影响.乙醇和表面活性剂的加入使阴极极化增加,晶粒细化,薄膜内应力减小, 薄膜结晶质量提高;薄膜表面粒径更加均匀,粗糙度减小; 薄膜...     

Ni-W纳米晶合金电沉积工艺条件的研究

纳米晶材料与常规晶体材料相比有许多优良的性能 ,已受到广泛关注。本文采用电沉积方法获得了Ni W纳米晶合金镀层。研究了镀液中钨酸钠含量、温度、pH值及电流密度对沉积速度的影响。测定了镀层的显微硬度 ,并用X -射线衍射仪对其微观结构进行了观察。结果表明 ,影响沉积速度最大的因素为pH值 ,其次是电流密度 ;镀层显微硬度最高可达 6 70 .3HV。通过正交试验得出适宜工艺条件范围为 :Na2 WO4·2H2 O 1 0～ 30g/L ,电流密度 1 0～1 5A/dm2 ,温度 6 0～ 70℃ ,pH值 6～ 7。     

常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究

采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。     

低温APCVD法制备氮化硅薄膜

本实验用常压化学气相沉积法（ＡＰＣＶＤ）在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜,研究了基板温度、反应气体比例,热处理等对氮化硅薄膜制备的影响,发现在７００℃以下,ＮＨ３／ＳｉＨ４流量比例为１５／１时制得较纯的氮化硅薄膜,比常规ＡＰＣＶＤ法制备温度低大约１５０℃。     

电化学沉积法制备钇稳定ZrO2(YSZ)薄膜

引　言钇稳定二氧化锆 (ＹＳＺ)是制备氧化物燃料电池和氧传感器的重要材料 .电解质薄膜化是开发高输出电流密度的固体氧化物燃料电池和高灵敏度的传感器的研究方向 .电化学气相沉积 (ＥＶＤ) [1～ 3] 制得的薄膜致密 ,且厚度仅 2 0～ 4 0 μｍ ,薄膜性能优良 ,但设备复杂 ,制备成本高 ,反应生成的氯气腐蚀性大 .激光沉积法具有设备复杂、成本高等问题 .等离子喷涂 (ＶＰＳ、ＡＰＳ) [4 ,5] 适于大规模制膜 ,但薄膜不够致密 ,裂缝较多 .溶胶 -凝胶法 (Ｓｏｌ -Ｇｅｌ) [4 ,6 ,7] 制得的ＹＳＺ薄膜致密且薄 ,设备简单 ,但对于基片要求很严 ,…     

掺钕钛酸铋薄膜的金属有机溶液分解法制备和性能研究

以无机盐为原料 ,采用金属有机溶液分解法在石英衬底上制备了不同钕含量的掺钕钛酸铋 (Bi4 -xNdxTiO1 2 ,BNT)薄膜。用X射线衍射和Raman光谱研究了薄膜的相组成和结构特征 ,用原子力显微镜对薄膜表面形貌和结晶颗粒度大小进行了分析。经过光学透射谱研究得到了薄膜的光学常数。结果表明 :不同钕含量的薄膜经 70 0℃退火处理后 ,都结晶为铋系层状钙钛矿结构 ,薄膜表面平整、无裂纹和空洞 ,颗粒大小为 80～ 10 0nm。Raman光谱分析发现 :当薄膜中钕含量 (x值 )小于 1时 ,钕离子只取代钙钛矿层中A位铋离子 ;而当钕含量超过 1以后 ,Bi2O2 层中的铋离子也被部分取代。透射谱分析得到了Bi3.2 5Nd0 .75Ti3O1 2 薄膜的线性折射率、线性吸收系数和光学带隙分别为 1.92 ,1.98× 10 2cm- 1 和 3 .5 6eV。     

用等离子化学气相沉积工艺制备Al2O3薄膜

以乙酰丙酮铝Ａｌ（ａｃａｃ）３为前驱体用等离子化学气相沉积工艺在玻璃、石英、Ｓｉ（１００）和Ｎｉ等底材上沉积出了Ａｌ２Ｏ３薄膜。所获得的沉积膜或无碳、透明、致密（平均３．８ｇ·ｃｍ＾－３），或为透明致密的硬质（硬度Ｈｋ达２３７０）涂层。研究了各种实验参数对沉积速率、薄膜组成及膜层硬度的影响，认为偏压是具影响的参数。     

脉冲激光沉积法制备ZrW2O8薄膜

采用纯ZrW2O8陶瓷靶材,以脉冲激光沉积法在石英基片上沉积并退火处理后制备了ZrW2O8薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱 仪和扫描电子显微镜观察和确定r薄膜结构、化学组分和表面形貌,用划痕仪、表面粗糙轮廓仪测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度.结果表明:脉冲激光沉积的薄膜为非晶态,膜层物质各元素之间的化学计量比与靶材成分一致;衬底未加热沉积的薄膜表而粗糙度较大,衬底温度为650℃ 时,薄膜表面平滑致密,粗糙度明显降低:非晶膜在1200℃密闭退火热处理3 min后淬火得到立方相ZrW2O8薄膜,退火后的薄膜品粒较大,同时 还出现一些沿晶界和晶内的裂纹缺陷.随着退火温度升高,薄膜与基片的结合力降低.     

STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF ZNO THIN FILMS PREPARED BY DIFFERENT SOL-GEL PROCESSES

ZnO thin films were prepared on quartz glass substrates by different sol-gel methods using a spin-coating technique. The structural and optical properties of ZnO thin films were studied by X-ray diffraction (XRD) and transmission spectra analysis. The results show that different factors such as Zn²⁺ concentration, solvent, sol stabilizer, pre-heat treatment temperature, and annealing temperature have a great impact on the structural and optical properties of ZnO thin films.     

自组装单层膜技术制备纳米晶态薄膜的研究

自组装单层膜(SAMs)技术是制备纳米尺寸超薄膜材料的一种极具应用前景的新型高效、环境友好的绿色制膜技术。本文首先比较详细地介绍了自组装单层膜技术(SAMs)的发展历程和研究现状,然后对SAMs技术诱导沉积纳米晶态无机薄膜的机理进行了综述,接着比较了SAMs技术与生物矿化的异同,最后对SAMs技术的应用做了一定的展望。     

浮法玻璃在线镀复合膜的力学性能

用化学气相沉积法在浮法玻璃上制备了复合薄膜.用台阶仪、纳米压痕和X射线衍射分别测定了薄膜厚度、弹性模量、纳米硬度和室温时薄膜的残余应力.实验结果表明:薄膜厚度为560.7nm,弹性模量为48.33GPa,纳米硬度值为10.65GPa,计算得到薄膜的残余应力值为-0.19GPa.对膜厚、气体的配比、流量、玻璃板的厚度、玻璃基体的化学成分等因素对薄膜残余应力的影响进行了讨论.