NaPd3O4的电子结构和光学性质

用第一性原理对金属化合物NaPd3O4进行了电子结构与光学性质的理论研究.结果表明该材料导电的主要原因是由于Pd原子d轨道电子的贡献,氧原子P轨道电子对导电性也有影响,实质上钠原子对这种材料的导电性几乎没起作用,并且在O原子和Pd原子之间存在着离子键.基于电子能带结构并对介电函数的虚部作相应的解释,同时对NaPd3O4的反射系数、吸收系数、能量损失系数、折射系数和湮灭系数等光学性质进行了研究.     

缺陷对石墨烯电子结构的影响

基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现,多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带,并导致其能隙有不同程度的增大,而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中,Stone...     

一种新型光学装饰材料

主要论述了可作为新型装饰材料的微珠结构的光学定向散射膜片的原理及其实现方法，给出此种装饰材料的制做试验结果。     

半导体纳米微粒的光学特性

半导体纳米微粒不仅具有实际应用前景 ,而且也是研究固体物理过程的工具。这是因为纳米微粒与块状单晶相比具有新性质 ,例如 ,许多半导体纳米微粒在可见光区有强的发光。用电化学腐蚀产生的纳米结构与原始单晶相比有更为完善的晶格。发现了阳极腐蚀得到的 Si/ Six Ge1 -x单晶超晶格的声子模相互作用。Н.Н.Мелвник等人研究了 Si/ Six Ge1 -x半导体纳米微粒的光学性质 ,并探讨了不同构形的相互作用纳米微粒可控系统的制备方法。他们是在“Катунв”型装置上使用束外延法制备 Si/ Ge和 Si/ Six Ge1 -x原始超晶格的。使用阳…     

用HREELS和UPS研究多孔硅的电子结构

使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构。实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阚值测得的PS的能隙移到2．9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列。     

新型激光防护材料的制备及其光学特性

针对目前激光防护材料存在的缺点，开展新型激光防护材料技术的研究。自行合成了紫外、可见和近红外激光吸收剂，确定了合理的配方和工艺条件，采用一次浇铸成型工艺，制备出新型激光防护材料样品。通过测试．样品的性能为：对：200—400nm、532nm、1064nm波长激光的光密度大于4；可见光透过率大于60％。     

石墨烯基材料的能带调控技术研究进展

石墨烯具有一系列特殊的物理和化学性质,因而近年来受到人们的极大关注.然而目前石墨烯在光电子领域的应用尚不广泛,其主要原因是由石墨烯的半金属性决定的,所以将石墨烯由半金属转变为半导体就成为人们关注的一个焦点问题.我们针对石墨烯能带调制问题开展了系统的石墨烯基材料与器件的制备研究,开发了单层、双层石墨烯的CVD制备技术、氧化石墨烯的\     

锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响

通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.     

新型电子材料

意义：这种只有几个原子厚的新型材料具有超常的电学和光学特性，未来可能成为硅和其他传统材料的替代物。单层辉钼矿是二维的，具有透明、柔软和高传导性等特性。此处介绍的晶体管是用这种材料制作的第一个高效能设备，可用于制造高速、低能耗的数字逻辑电路，以替代已经达到应用极限的硅。此外，辉钼矿在制造高效能柔性太阳能电池和LED显示屏方面也具有优势。     

Be掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响

基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质.计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大.这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增加几乎保持不变,而Zn4s随掺杂最x的增加向高能端移动.光学介电函数虚部计算结果表明:在2.0,6.76eV位置随掺杂浓度的增加蜂形逐渐消失,是由于Be替代Zn导致Zn3d电子态逐渐减少所致;而9.9eV峰彤逐渐增强,是由于逐渐形成的纤锌矿结构Beo的价带O2p到导带Be2s的跃迁增加所致.     

Be掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响

基于密度泛函理论（DFT）第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质. 计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大. 这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增加几乎保持不变,而Zn4s随掺杂量x的增加向高能端移动. 光学介电函数虚部计算结果表明：在2.0, 6.76eV位置随掺杂浓度的增加峰形逐渐消失,是由于Be替代Zn导致Zn3d电子态逐渐减少所致;而9.9eV峰形逐渐增强,是由于逐渐形成的纤锌矿结构BeO的价带O2p到导带Be2s的跃迁增加所致.     

石墨烯带长度变化与电子结构和电子输运的关系

利用基于非平衡格林函数的密度泛函方法,对长度变化石墨烯带的电子结构和输运特性进行了研究,得出在同一长度的石墨烯带内,系统态密度的峰值与电子传输概率的峰值具有较好的对应关系,但是电子传输概率的大小与电子态密度值的大小没有明显的正比关系。随着长度的增加,电子的传输更倾向于集中在某几个能量态,传输曲线呈现梳齿状,这是由于石墨烯带越长,电子态呈现越稳定的分布。研究还得出不同长度的石墨烯带的电导值和HOM O-LUM O差值成反比,且随着石墨烯带长度增大,其电导出现非线性变化,且呈现规则的振荡状态。     

LiH电子结构与光学性质的密度泛函计算

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了LiH晶体的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电函数、吸收系数、复数折射率等计算结果,并对计算结果进行了分析.介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等的峰值位置存在一一对应关系,这表明它们之间存在着内在的联系,与电子从价带到导带的跃迁吸收有关.

Abstract：

Electronic structure and optical properties of LiH crystal were investigated by using plane-wave ultra-soft pseudopotential method based on density functional theory. Electronic state density, dielectric function, absorption coefficient, and the complex reflectivity index of LiH crystal were calculated and analyzed. The peaks of the imaginary part of dielectric function, absorption spectra and complex reflectivity index of LiH crystal are corresponding with each other. Such results are related to the transition absorption of electrons from valence band to conduction band.     

香蕉型液晶的电子结构计算和电激发特性

用舒克紧束缚法计算了一种新型香蕉型液晶1,3-phenylene bis [4-(4′-nonyloxy) phenyliminomethyl] benzoate 的电子结构,结果表明: LUMO和HOMO的能量差别主要是受到香蕉型液晶的中心核、桥键(-COO-)的影响,而烷基尾对香蕉型液晶电子结构的影响不大;在6种可能跃迁中,只有能量最低的两种(π→π*, n→π*)在200~800 nm可见光范围内是经常发生的.对于这种香蕉型液晶,电子激发主要发生在4.0 eV (310 nm)和 1.7 eV (730 nm)处.     

ITO薄膜的能带结构和电导特性

从ITO薄膜的电镜照片、XRD分析出发,构造了该材料的平衡及非平衡能带结构简图.用克龙尼克-潘纳模型给出了带尾态分布.通过测量,得到了一个未见报道过的滞回式I-V特性曲线,这个实验值和理论模型给出的值大体相当.分析了I-V特性的形成机制,证明了能带结构模型的合理性.最后,测量了ITO薄膜的温度特性,结果显示,方块电阻与温度的关系曲线斜率从正变化到负.     

ITO薄膜的能带结构和电导特性

从ITO薄膜的电镜照片、XRD分析出发,构造了该材料的平衡及非平衡能带结构简图.用克龙尼克-潘纳模型给出了带尾态分布.通过测量,得到了一个未见报道过的滞回式I-V特性曲线,这个实验值和理论模型给出的值大体相当.分析了I-V特性的形成机制,证明了能带结构模型的合理性.最后,测量了ITO薄膜的温度特性,结果显示,方块电阻与温度的关系曲线斜率从正变化到负.     

石墨烯薄膜的制备及其在电子材料中的应用

阐述石墨烯薄膜制备技术的特点,包括微机械剥离、金属表面沉积、液相剥离、化学气相沉积技术,探讨石墨烯薄膜在高频电子器件、集成电路、光电探测器、光调制器、透明导电材料中的应用。     

碱金属掺杂SnO2材料的电子结构和光学性质

文章基于第一性原理研究了碱金属掺杂的SnO2的能带结构以及态密度.研究结果表明:掺杂能够使能级增多,很好地调节带隙值.Li,Na,K,Rb掺杂的SnO2材料,价带顶有能级穿过费米线,材料呈现出半导体特性.其中Rb掺杂使材料在费米面附近产生杂质能级.而Cs,Fr掺杂的SnO2材料,价带顶向低能级方向移动,费米能级不再穿过价带,费米线附近出现轨道杂化,两者相比Fr掺杂使费米面附近能级分布更加离散.掺杂后SnO2的反射率变化主要体现在可见光以及紫外区域,吸收边发生了红移,对实现SnO2光催化起很大作用.     

类金刚石薄膜的结构和光学特性研究

本文用PCVD方法在Si、Ge、玻璃等基片上制备出品质较好的类金刚石薄膜,用Raman光谱和红外吸收谱等研究了制备膜的结构,并且研究了膜的光吸收和在Si、Ge等基片上的红外增透作用。