一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计

提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作.由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要;而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度.该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现.后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV.     

一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计

提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对（极零对的产生没有增加静态功耗）,不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作。由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要； 而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度，该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现，后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压（dropout电压）仅为120mV。     

一种带阻抗补偿的低功耗低压差线性稳压器

为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全负载范围内有足够相位裕度的低功耗LDO的设计,并采用HHNEC 0.18μm CMOS工艺实现版图设计,芯片的尺寸为150μm×120μm,输出电压为1.8 V,空载静态电流为5μA,额定电流为20 mA。与普通的LDO相比,本款LDO具有更高的相位裕度和更好的瞬态特性,在全负载范围内相位裕度的最小值大于65°,负载调整率小于2%。     

采用自适应频率补偿的全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器

本文提出了一种全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器（LDO）新结构。利用提出的自适应频率补偿（AFC）技术,该LDO在保持零到最大负载电流情况下稳定的同时,实现了全片上集成。与此同时,因为采用了一个小型的传输管（在AFC技术中该小型传输管起到使输出级增益快速下降的作用）,LDO的面积得到了很大的优化。该LDO在CMOS 0.35μm工艺下流片,仅占用了220×320μm 的芯片面积。这与采用相同特征尺寸工艺的先进设计相比面积缩减至58%。测量结果表明,该LDO在消耗54μA 静态电流的情况下能提供0-60mA 的负载电流。同时,在输入电压为2至3.3V时,稳压输出为1.8V。     

超低压差CMOS 线性稳压器的设计y

摘要: 设计出一种输出电流为300 mA 且具有微功耗超低压差低噪声性能的单片CMOS 线性稳压器, 对其电路结构 及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计。该稳压器具有过流过热保护, 工作电压范围为2?? 5 V~ 6 V。 基于现代公司的0??6 ??m CMOS 工艺模型, Hspice 模拟结果表明其输入输出压差的典型值分别为0?? 4 mV @ 1 mA 和 120 mV @ 300 mA, 静态电流的典型值为90 ??A。     

一种BiCMOS低压差线性稳压器的设计

设计了一种低压差线性稳压器,对其结构原理进行了分析,并用0．6μmBiCMOS工艺进行模拟验证。Hspice模拟结果表明在输出负载电流为150mA,温度为25℃,输入电压为4．3V时压差为120mV,输出噪声74．2pVRMs,静态电流只有15．43pA,而待机工作模式静态电流小于0．04pA。体现其具有低功耗、低噪声的优点,且该稳压器可工作在3．45～10V电源电压范围,并有过温保护和限流保护功能。     

一种快速响应低压差线性稳压器的设计

介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。     

一种采用线补偿技术的原边反馈AC/DC控制器

基于1μm 40V BCD工艺,使用Cadence软件对原边反馈AC/DC控制器进行仿真和分析。线补偿技术可以使原边反馈AC/DC电路获得很好的负载调整率,抵消电感上所消耗的电压和整流二极管上的压降,使输出达到的最佳值。在输入加220 V交流电压时,输出结果最大值为5.09 V,最小值为5 V,最大负载调整率为9.609%。     

提供恒定电流的低压差线性稳压器

通过在稳压器输出和地节点之间连接一支固定电阻器,线性稳压器就可以提供一种产生恒定电流的简单方法。稳压器恒定的输出电压通过电阻器产生一个恒定的电流。这个基本电路可以用作高侧或低侧电流     

低压差双电容补偿高瞬态响应线性稳压器设计

为适应现代电子产品对电源性能的较高要求,基于教学中应用的Spectre平台,采用源随器补偿方法设计了一种无片外电容的LDO稳压器。小补偿电容和大驱动能力的两级运放误差放大器,加快了电路的响应速度,提高了瞬态响应性能,并降低了输出电压波纹,从而增强了系统的稳定性。测试结果表明,电路的静态电流为30μA,工作输出电压为1.2 V,最大输出电流为100 mA,Vdrop为200 mV,相位裕度大于60°,在相应条件下的线性调整率SL、负载调整率So分别为0.05%(V/V),0.23%(V/A)。源随器补偿方法既可保证电路稳定工作,又能有效降低输出波纹和加快瞬态响应速度,已达到系统预期设计指标。     

一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计

设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.     

一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计

设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性. 与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗. 采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix 0.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.     

超低压差CMOS线性稳压器的设计

设计出一种输出电流为300mA且具有微功耗超低压差低噪声性能的单片CMOS线性稳压器,对其电路结构及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计。该稳压器具有过流过热保护,工作电压范围为2．5V～6V。基于现代公司的0．6μm CMOS工艺模型,Hspice模拟结果表明其输入输出压差的典型值分别为0．4mV@1mA和120mV@300mA,静态电流的典型值为90μA。     

一种新颖的BiCMOS高精度LDO线性稳压电路

设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8μm N阱BiCMOS高压工艺制作。Hspice仿真结果表明,在温度从-20℃到100℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA。     

极点跟随的LDO稳压器频率补偿方法

提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到了保证。     

一种新颖的LDO线性稳压器

设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电路输入电源电压VIN为-2～-18 V,可调输出电压为-1.3 V～VIN+0.5 V@Iour=15mA.该LDO功耗低,室温下空载静态电流约4.8μA,并且几乎不随VIN变化.内部带隙电压基准采用β二阶补偿,结构简单,温度系数为1.28×10-5/℃.线性调整率为0.015％,负载调整率为0.85 Ω.     

一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计

提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给.该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流.误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得设计的LDO为两级放大器结构,有利于简化补偿网络.所设计的LDO在低频时电源抑制比(PSR)为一69 dB,在lMHz处的电源抑制比为-19 dB.采用0.35 μm工艺流片,测试结果表明,该LDO可以为负载提供70 mA的电流.