LDO类IC多工位测试方法探索

随着科技的发展,芯片的功能、可靠性和稳定性变得越来越重要,从而使得芯片测试越来越受到重视.低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)因其成本低廉,应用广泛,市场需求量巨大,该类芯片的测试在硬件测试中的地位不可或缺.而LDO类芯片根据其衬底不同,测试方法也不尽相同.研究不同衬底下LDO类芯片多...     

CP2114：桥接芯片

Silicon Laboratories推出无需片外晶体的USB转I^2S音频桥接芯片,支持基于USB的音频应用中多数编解码器和数模转换器（DAC）。新型CP2114简化USB与I^2S接L]问的音频数据传输过程,无需另外花费时间开发代码。     

CMOS低压(LDO)稳压器芯片

美国National Semiconductor不久宣布，推出一款可延长GSM、TDMA及CDMA蜂窝电话通话及备用时间的CMOS低压降(LDO)稳压器芯片。这款型号为LP3985的芯片信噪比性能较同类产品更好，它采用小巧的微型表面贴装器件封装，适合采用细小而廉价的陶瓷电容器。该芯片具有低导通电阻(Rds On)特性，在150mA的全负荷下，输入及输出电压之间的典型压降只有60mV。这款集成电路的低静态电流只有160μA，采用关机模式时，静态电流可降至1μA。     

无线通信设备通用测试方法

随着我国无线通信的迅速发展,对无线通信设备的技术要求越来越高,如何确定其性能指标已成为设备生产厂商与网络运营商以及通信测试机构所共同关注的问题。本介绍了用于确定无线通信业务特性的测试方法。这些删试方法适用于频率调制或相位调制系统,频率范围：25MHz到1000MHz,信道间隔12.5kHz,20kHz及25kHz。     

CCD电荷转换因子通用测试方法研究

通过分析电荷耦合器件(CCD)图像传感器光电转换、电荷转移、电荷输出的工作原理,提出了一种通用高效的电荷转换因子(CVF)测试方法。该方法采用在CCD感光区域施加直流偏压,水平区施加连续转移的驱动时序的方式,使CCD光敏区以电荷溢出方式往水平区转移电荷,水平区以固定频率不间断转移输出电荷包,从而让CCD输出强度恒定的响应信号;然后通过复位漏电流与输出信号强度的对应关系计算出CCD器件的CVF值。根据该方法的原理设计了一种适应各种CCD器件的通用测试装置,并对多款CCD进行测试验证。结果表明,该方法有效提高了CCD电荷转换因子的测试效率、测试精度和稳定性。     

集成LDO的复杂SoC芯片电源网格研究与实现

本文阐述了集成LDO的复杂SoC芯片电源网格在EPS（Encounter Power System）环境下更精确的分析和实现方法，指出了传统的基于理想电压源的电源网格分析的不足，并对EPS基于LDO的数模混合电源网格分析的结果与SPICE仿真的结果进行了比较，从而保证了集成LDO的SoC芯片的电源稳定性和时序收敛的正确性。     

SDH通信芯片的测试方法

通过自身的工作实践，总结出有关SDH通信芯片的测试方法，供大家参考和借鉴。     

芯片阻抗测试方法的研究：一个新视角

伴随着半导体技术的进步和信息产业的快速发展,射频/微波半导体器件的应用广泛性在不断增加[1]。因此,对于这些器件参数的精确测量在设计阶段的重要性也随之上升。这不仅对芯片的设计者产生了深远影响,他们需要准确测量芯片的各项参数,同时也使得芯片的使用者期待获得准确的参数。在微波网络的S参数测量中,需要处理由于芯片键合线和传输线引起的测量误差[2]。因此,开发一种可以快速测量芯片阻抗、低成本、周期短且能够测量芯片相应S参数的方法具有极大的实际价值。本文从技术角度出发,探讨了这类通用的测量方法。     

无源RFID标签芯片灵敏度测试方法研究

提出一种测试UHF频段无源RFID标签芯片灵敏度的方法。该方法依据矢量网络分析仪和标签测试仪接口特性阻抗相同的特性,利用矢量网络分析仪测试标签芯片的反射系数,然后通过标签测试仪测试芯片和仪器接口的匹配损耗,进而计算标签芯片的灵敏度。利用该方法对NXP_G2XM芯片和Impinj_Monza3芯片在800～1 000MHz频段内灵敏度进行测试,并将测试结果与datasheet进行对照,分析误差产生的原因,最终证明此方法的准确性。该测试方法采用常规仪器对800～1 000MHz频段内灵敏度进行测试,有重要实际意义。     

一种低压差线性稳压电路的并行测试方法

介绍了一种特别的低压差线性稳压电路,以及针对该电路的测试方法。该电路的特殊之处在于圆片上所有管芯的输出端短接在一起,无法直接用常规方式进行多工位并行测试,需要使用浮动电源对每个工位进行隔离测试。同时在测试方案中加入了自校准功能,可以在长期大规模测试中有效地保证测试准确性,避免因测试系统出现异常造成误测。     

基于负载电流动态泄放技术的LDO线性稳压器

通过对LDO瞬态响应的分析,基于负载电流动态泄放技术,提出一种新型LDO线性稳压电路,减小了负载电流阶跃变化对输出电压的影响,从而改善了系统的瞬态响应特性.采用0.18μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,负载电流从1mA到120mA阶跃变化时,输出电压负向过冲减小60.1mV,恢复时间缩短33.4μs;从120mA到1mA阶跃变化时,输出电压正向过冲减小47mV,恢复时间缩短214.3μs.     

基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究

详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论分析。这些结论可以为CP法测量界面态密度提供实验指导,同时为更加准确地分析高压LDMOS器件的CP测试曲线提供理论指导。     

针压敏感芯片圆片测试探索

圆片测试中存在大电流的测试项目,比如基准电压的测试,它会受接触电阻的影响,接触电阻太大会抬高测试回路中模拟地的零点,导致测试的基准电压比真实值偏大。类似于以上描述对于在圆片测试过程中受针压大小影响较大的芯片即为针压敏感芯片;此类芯片在测试过程中一般都需要将探针针压加大或者在测试过程中不断地清针和磨针来减小接触电阻,从而减小测试误差。不断地清针和磨针将会给探针造成不可挽回的损耗,缩短探针的使用寿命。为解决以上问题,介绍了一种解决针压影响测试电压的方法。     

一种适用于无源高频RFID的LDO稳压器的设计

给出了一种适用于高频RFID标签芯片的LDO线性稳压器的电路设计。该LDO稳压器具有较宽的输入电压范围(3.3~7.2 V),较低的输入输出压差(120 mV)和静态电流(15.3μA),能高效地利用标签天线上感应到的能量,产生整个芯片的工作电源。设计采用中芯国际0.35μm工艺库,并给出了Spectre仿真环境下的仿真结果和最终版图。     

一种基于低压差线性稳压器的放大器设计

设计了一种静态电流约为0.6μA的运算跨导放大器电路,并已经成功地应用于一款超低静态电流的新一代低压差线性稳压器芯片中。此放大器的突出优点是与Foldback过流保护电路融合在一起,使得芯片不需要专门的限流模块,大大减少了器件与电流支路,极大地提高了电流利用率,实现了超低功耗。     

LDO线性稳压器结构的改进

通过改进传统电路结构,设计出了一种低压差线性稳压器。通过解决系统上电所带来的一些问题,达到了低功耗的设计目的。给出了带隙基准源和误差放大器等关键电路的设计方法,采用和舰0．35μ mCMOS工艺模型Spice进行了仿真,验证了设计的正确性。     

一种无片外电容LDO的稳定性分析

电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5～6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100μA到100mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz     

适用于片内集成的可修调低失调LDO

提出了一种新型可修调低失调LDO电路,该电路适于片内集成应用.现有的修调方法一般直接作用在反馈网络中,修调电路的自身失调会造成修调精度损失.本文提出一种失调隔离模块,以大大减小修调电路引入的误差.仿真结果表明,在修调电路发生10％的电流失调时,输出电压仅变化0.31％,使LDO输出电压的修调获得很好的线性度.     

基于混合宏模型的无电容型LDO设计

模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率.提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计.基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25 μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计.