光致抗蚀剂电沉积新工艺

概述了制造细线图形印制板的光致抗蚀剂电沉积新工艺，该工艺被简称为ＰｈｏｔｏＥＤ工艺，现已成功地用于生产５线／２．５４ｍｍ的高精密度印制板，其优点为：（１）抗蚀剂与基材表面附着性良好；（２）抗蚀剂对有伤痕或凸凹不平基材的涂复性良好；（３）在短时间内就可形成厚度均匀、分辨率优良的ＥＤ膜；（４）ＥＤ液属水溶液体系，安全而无污染。     

液体光致抗蚀剂

就光致抗蚀干膜与湿膜性能进行了比较，后者分辨率高，成本低，更能适合高新技术产品要求，同时，介绍了湿膜的基本组成及使用方法。     

以马来酰化明胶为主体的电沉积光致抗蚀体系的研究

<正> 一、前言印制电路板(PCB)作为一种重要的组装部件,几乎应用于各种设备之中。因此 PCB 的生产是现代电子工业的基础和主要支柱.美国 PCB 年产值历来屠世界首位,但91年起,日本已跃居美国之前.从应用角度来说,PCB 在计算机方面的用量为最多,约占46%;其次为家用电器,占14%.主要产品是单面板和双面板。PCB 制作的关键是抗蚀剂的应用性能。光致抗蚀剂应用于 PCB 的制作始于1942年英国人 Eisler 发明的印刷布线法。其工艺过程大致如图1所示.     

193—nm光刻中的光致抗蚀剂

当今世界处于信息时代,电子信息产业日新月异地飞速发展着,计算机的影响已遍及每一个经济领域和人们生活的每一个方面.微电子技术作为新技术革命的主角,已成为衡量一个国家经济实力和科技进步的重要标志[1,2].微电子技术的不断发展得益于半导体与集成技术的不断提高,光刻技术和光致抗蚀剂是微电子技术中的核心技术和关键材料.大规模集成电路的集成度以三年增长四倍的速度发展着[3～7].集成度的不断提高,不仅意味着最小器件尺寸的变小,也意味着高速、高可靠、低能耗和低成本.由于光刻工艺的极限分辨率Ｒ正比于曝光波长λ,反比于棱镜的孔径Ｎ…     

电沉积法制备泡沫铜

以聚氨酯软泡沫为基体,经预处理、化学沉积、电沉积和焚烧及热还原工艺制备了均匀分布三维网状孔结构的、高空隙率（＞９５％）且具有一定拉伸强度的泡沫铜材料．通过电子显微镜及生物显微镜观察了制备过程各步骤产品的形貌,用图像分析仪测定了泡沫铜的孔径分布,并运用线性电位扫描法对在泡沫上电沉积的阴极过程进行了研究．     

电沉积制备Sn-Cu无铅钎料电镀工艺的研究

Sn-Cu无铅钎料具有优良的物理化学性能,研究了以柠檬酸为配位剂的电镀液中电沉积Sn-Cu薄膜.应用SEM,EDS,XRD等仪器分析手段对镀层进行了分析、表征;根据测定的阴极极化曲线对Sn-Cu电沉积机理进行了探讨.实验结果表明:电沉积能得到由Sn和Cu6Sn5两相组成、Sn的质量分数为99%的Sn-Cu膜层.     

电沉积法制备CIGS薄膜的工艺研究

电镀液中GaCl3的浓度对电沉积法制备的CIGS薄膜光电性能有明显的影响,通过研究样品的开路光电压,找到了最优浓度.用退火工艺处理样品,可以获得平滑、致密的薄膜,且能增大薄膜中CIGS的结晶程度和含量.通过测试CIGS薄膜的XRD图谱,得知薄膜晶型为黄铜矿型.     

全球PCB化学品及半导体封装材料市场综述

简要叙述了全球主要国家和地区印制电路板用化学品和半导体封装材料生产情况.并提出在全球电子化学品产业转移的有利条件下,加强自主研发能力,开发高技术产品是我国电子化学品行业发展的方向.     

电沉积法制备泡沫银工艺

以聚氨酯泡沫塑料为基材,探索电沉积法制备泡沫银的工艺条件.结果表明,聚氨酯泡沫塑料经化学镀、电沉积、还原烧结等,可制得三维网状的通孔泡沫银材料,其抗拉强度大于0.72 MPa,孔隙率大于98%,比表面积大于0.6 m2·g-1(BET 法).     

电沉积法制备氮化碳晶体

氮化碳是一种比金刚石更坚硬的材料,其拥有广泛的发展和应用前景。文章采取电化学沉积方法,在尿素的甲醇溶液中制备氮化碳,通过引入NaNO3,在单晶硅表面电沉积晶体薄膜,分析了薄膜形成的过程,并用XRD、Raman等手段进行了表征,结果表明,形成的薄膜是一种氮化碳结构,并含有氧元素。     

磷化钢板的电沉积涂装与防蚀

从电化学角度讨论了电沉淀涂装机理，结合对磷化基膜和装饰涂膜的实验研究对电沉积工艺条件进行了分析。     

电沉积触媒的制备及其合成金刚石的研究

用电沉积的方法以Ni70Mn25Co5为基材制备了合成金刚石的触媒，选择适当的合成条件，在国产六面顶压机上用此电沉积触媒合成出颜色和晶型都较好的金刚石，为纯铁片做为基材制备电沉积触媒，降低合成金刚石触媒生产成本奠定了一定基础。     

电沉积法制备磷酸钙生物活性陶瓷涂层

综述了用电沉积法在金属生物材料表面涂敷磷酸钙生物活性陶瓷的工艺,分析了电沉积工艺的特点,并介绍了制备金属－羟基磷灰石复合涂层的复合电沉积工艺。     

电沉积法制备金属多层膜的述评

概述了电沉积制备金属多层膜的发展。金属我层膜微观结构的分析及其形成机制,提出了该课题今后的研究方向．     

电沉积法制备高活性析氢电极

高活性阴极材料在电化学工业中具有重大的应用价值。介绍了电沉积积法制备高活性析氢电极的发展,现状及应用前景。     

电沉积法制备纳米SnO_2薄膜

采用一种电沉积法室温下制备纳米SnO2薄膜。经研究得到了电沉积SnO2薄膜的最佳工艺条件:电流密度、电沉积时间、主盐浓度、游离酸浓度分别为i=8 mA.cm-2,t=120 m in,c(SnC l2)=0.02 mol/L,c(HNO3)=0.03 mol/L。用X射线衍射、红外光谱和扫描电镜、透射电镜等对薄膜的物相和微观结构、表面形貌等进行了研究。结果表明,室温下干燥得到的薄膜由SnO2.xH2O组成,但经过400℃热处理后,逐渐转变成结晶较为完整的四方结构SnO2薄膜,薄膜的表面较为平整、呈多孔状,薄膜粒径大小为8~20 nm。     

液态光致抗蚀油墨的研究

随着印制电路板（PCB）行业的飞速发展，液态光致抗蚀油墨已逐渐成为精细导线图形制作的主要方法。综述了液态光致抗蚀油墨的组成，特性及其诱人的发展前景。     

复合电沉积的研究及进展

对各种工艺参数对颗粒共析量的影响,共沉积的机理和模型,复合电沉积技术在工业中的应用进行了综述,并指出了复合电沉积技术的发展趋势。     

一种质量优异的阳离子电沉积涂料

介绍了一种环保型阳离子电沉积涂料的制备技术路线,着重讨论了该涂料的性能、用途、技术指标和技术创新点。     

电沉积纳米晶材料制备方法及机理

介绍了用电沉积技术制备纳米晶材料的方法和机理,如直流电沉积、脉冲电沉积、复合电沉积、喷射电沉积、超声波电沉积和刷镀,展望了电沉积纳米晶材料的应用前景.