VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

FoxBASE+中调用外部大型程序一法

将用于启动系统的ＣＯＭＭＡＮＤ．ＣＯＭ程序拷贝到ＦｏｘＢＡＳＥ＋（或ＤＯＳ能找到的）目录中，并更名为ＦｏｘＶＩＥＷ．ＣＯＭ．在ＦｏｘＢＡＳＥ＋中用下面的格式调用：ＦｏｘＶＩＥＷ／Ｃ，外部程序．利用这种方法比利用ＦｏｘＳＷＡＰ．ＣＯＭ能多提供１８Ｋ左右的常规内存给外部程序或命令．     

论市场经济下高校档案的开发利用

论市场经济下高校档案的开发利用ＯＮＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴＡＮＤＵＴＩＬＩＺＡＴＩＯＮＯＦＣＯＬＬＥＧＥＳ／ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＩＥＳＡＲＣＨＩＶＥＳＩＮＭＡＲＫＥＴＥＣＯＮＯＭＹＳＹＳＴＥＭ童晓风ＴｏｎｇＸｉａｏｆｅｎｇ（浙江水产学院办公室，舟山３１６...     

浅谈社会主义市场经济条件下的高校后勤队伍建设与管理

浅谈社会主义市场经济条件下的高校后勤队伍建设与管理ＡＮＥＬＥＭＥＮＴＡＲＹＤＩＳＣＵＳＳＩＯＮＯＮＴＨＥＥＳＴＡＢＬＩＳＨＭＥＮＴ＆ＭＡＮＡＧＭＥＮＴＯＦＴＨＥＲＥＡＲＳＥＲＶＩＣＥＳＯＦＵＮＩＶＥＲＳＩＴＩＥＳＵＮＤＥＲＴＨＥＣＯＮＤＩＴＩＯＮＯＦ...     

夏大豆苗期摘心诱导双茎栽培研究初报Ⅰ．不同叶位摘心诱导双茎栽培试验分析

夏大豆苗期摘心诱导双茎栽培研究初报Ⅰ．不同叶位摘心诱导双茎栽培试验分析卢思慧，王茹芳，刘秀英（河北省沧州市农林科学院沧州，０６１００１）ＰＲＩＭＡＲＹＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＣＵＬＴＩＶＡＴＩＯＮＯＦＤＵＡＬＳＴＥＭＳＳＵＭＭＥＲＳＯＹＢＥＡＮＤＥＲＩＶ...     

高压VDMOS场板终端技术的研究

采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正,在工艺上首次引入了聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线,形成阶梯形场板,使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ。     

农用三轮运输车动力输出装置的设计及机具配置的试验研究

农用三轮运输车动力输出装置的设计及机具配置的试验研究郑玉才，刘长荣，陈芳，杜青（河北农业技术师范学院农业工程系，昌黎，０６６６００）ＡＳＴＵＤＹＯＮＤＹＮＡＭＩＣＯＵＴＰＵＴＤＥＶＩＣＥＡＮＤＩＭＰＬＥＭＥＮＴＤＩＳＰＯＳＡＬＯＦＦＡＲＭＩＮＧＴＲＩ...     

数据库中的批量数据录入技术

不论数据库开发应用平台是何种版本,在关系型数据库的程序设计中,一般都需要有原始数据录入或者叫做基础数据采集等功能模块。在以往传统的编程模式中,基本上可以说都是采用逐条数据录入,对应ＦＯＸ系统而言往往不是用ＡＰ－ＰＥＮＤ（如 ＡＰＰＥＮＤ ＢＬＡＮＫ与ＳＣＡＴ ＭＥＭＯＭＥＭＶ、 ＧＡＴＨ ＭＥＭＯ ＭＥＭＶ配合或者ＡＰＰＥＦＲＯＭ ＡＲＲＡ等等）就是用ＩＮＳＥＲＴ（如ＩＮＳＥＲＴＢＬＡＮＫ与ＳＣＡＴ ＭＥＭＯ ＭＥＭＶ、ＧＡＴＨ ＭＥＭＯＭＥＭＶ配合或者ＩＮＳＥＲＴ ＩＮＴＯ－ＳＱＬ）相关的命令来实现原始…     

对接沟道NMOS结构击穿特性的二维数值分析

对VDMOS－NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟,模拟结果分析表明：在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下,对接NMOS的对接区域对VDMOS－NMOS兼容结构的击穿特性影响很小,对接沟道NMOS结构可以较好地实现VDMOSFET与p阱NMOS电路的兼容集成．同时通过原理性实验对模拟结果进行了验证．     

大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真

作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。     

电子镇流器的可靠性设计

讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法，并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案．     

高压 VDMOS场板终端技术的研究

采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入聚酰亚胺/SiO     

双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流—电压特性的影响

通过对DVMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析，发现在此结构中，寄生的双极管对器件性能具有不良影响，可以来用一种新型的具有浅扩散p^ 区的自对准VDMOS结构，以完全消除寄生的BJT导通机制，这对MOS技术的发展十分有益。     

低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系,模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。     

预硬型贝氏体钢中合金元素的作用

研究了新型预硬型贝氏体钢（Ｙ８２）的合金设计及性能,分析了合金元素Ｓｉ, Ｓ, Ｃａ 的作用。结果表明： 新型预硬型贝氏体钢（Ｙ８２）成分简单,价格低廉,空冷淬透性好; 合金元素Ｓｉ改变了奥氏体连续冷却转变曲线（ＣＣＴ）的位置,使ＣＣＴ曲线中贝氏体转变区向右下方移动。使贝氏体转变发生在较低的温度,可以形成细小的针状下贝氏体,从而提高了钢的机械性能; 合金元素Ｓ提高了钢的易切削性,元素Ｃａ 对夹杂物有变质作用,使钢中ＭｎＳ形成一种特殊的形态,因而使Ｙ８２ 在预硬状态时（硬度约为３５～４０ ＨＲＣ）仍具有良好的切削加工性能。     

点光源跟踪系统的设计

以TI公司的单片机MSP430F149为核心,设计了一个点光源跟踪系统。该系统主要由白光LED驱动电路、光源检测、数据处理及跟踪控制4部分构成。单片机对光敏电阻检测到的光照强度进行处理,判断点光源的位置,跟踪算法通过PWM方式控制X/Y方向的两个步进电机转动,从而带动激光笔跟踪光源。实验结果表明,本系统能较好地跟踪光源并具有自适应性,在对太阳能的跟踪方面具有参考价值。     

GCNMOS结构电源和地之间的ESD保护电路设计

分析了电源与地之间ESD保护电路的必要性,研究用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压达到了3 kV.     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．