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1.
采用皮秒泵浦-探测方法研究了碲镉汞材料中非平衡载流子动力学过程,发现其差分透射强度在经过饱和之后出现一个负的极小值,归结为深能级的再吸收过程.采用速率方程模型,并引入两个深能级弛豫时间常数,很好地拟合了差分透射强度的延时曲线.两个深能级弛豫时间常数的存在意味着同时存在两种不同类型的深能级,揭示了碲镉汞材料中深能级特性的... 相似文献
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建立了一套碲镉汞薄晶片加工过程中的少数载流子寿命面分布自动检测系统,用于碲镉汞我元光导器件制备工艺生产线,获得了180地器件性能分布同薄晶片少数载流子寿命分布一致的结果。 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p~+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质. 相似文献
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通过把迁移率的实测值与影响HgCdTe晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比,得出结论:位错是HgCdTe晶体低温电子迁移率降低的主要原因。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg_(1-x)Cd_xTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上制作以避免晶粒间界的影响。材料未经有意掺杂,生长出来的晶体为P型,为获得N型晶片,可 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg1-xCdxTe(x=0.4)p+n结中H2(0.29)空穴陷阱的俘获机制,发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制,该能级俘获截面的温度关系满足σ(T)=σ∞exp(-EB/kT)形式,推测多声子无辐射复合起着决定性作用 相似文献
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根据Hg1-xCdxTe本征吸收系数的经验公式及Hougen模型,建立了一种用室温红外透射谱研究Hg1-xCdxTe外延薄膜组份均匀性的方法,用这种方法检测了LPE、MBE、MOCVD薄膜的组份分布,并与二次离子质谱(SIMS)测量结果进行了比较 相似文献
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研究了表面固定电荷密度对HgCdTe光导探测器性能的影响,计算结果表明,表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响,选择合适的钝化工艺,控制表面固定电荷密度,可以优化器件性能 相似文献
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采用傅里叶变换红外光谱仪,在4.2~300K、20~350cm-1范围测量了Hg1-xCdxTe的远红外透射光谱,研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为.除了单声子及双声子模外,还观察到杂质能级和由杂质导致的振动模 相似文献
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用红外光荧光测量分析了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的发光特性,观察到局域激子及束缚激子发光.当外延层减薄至2μm后,PL信号的峰位将向高能方向移动,这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的 相似文献
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利用变频导纳谱研究了Hg1-xCdxTe(x=0.6)n^+-on-p结中的深能级缺陷,得到其缺陷能级位置在价带上0.15eV,同时给出了其俘获截面和缺陷密度,初步认为是Hg空位或与其相关的复合缺陷。根据深能级的有关参数,估算了器件的少子寿命和器件优值参数R0A。 相似文献
17.
用波长以1849和2537为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射,结果表明,器件探测率和响应率显著提高. 相似文献
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The diffusion coefficients (D) of Cd and Hg in liquid Te were measured at 465-495° C. D was found to depend on concentration
for concentrated solutions, and to have a minimum value for saturated solutions. 相似文献
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碲镉汞体材料的显微Raman光谱 总被引:1,自引:1,他引:0
利用Raman显微镜测量了ACRT-Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模,由此证明了碲镉汞按品格振动的分类方法属于二模混晶;识别出了一个来源于类HgTe的TO1模+LO1模的二级Raman散射峰;观察到了碲镉汞体材料中两个新的Raman散射峰,分别位于662 cm-1和749 cm-1;观察到了碲镉汞基本光学振动模的TO1模与LO1模的Raman散射强度比的变化,指出该现象是由于Raman散射几何配置不同引起的. 相似文献
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A modified mass-loss measurement technique is employed, for the direct,in- situ determination of the metal vacancy formation in (Hg1x2212;itxCd
x
)1−y
Te
y
(s) withx = 0.2 and 0.4. Forx = 0.2, the metal vacancy concentrations are determined between 336 and 660° C for three different compositions(y) within the homogeneity region and range from 2.4 to6.8 x 1019cm−3. The enthalpy of formation of a singly-ionized metal vacancy is derived to be between 0.17 and 0.45 eV depending upon the
deviation from stoichiometry (compositiony). Forx= 0.4, three samples of different y-values give the metal vacancy concentrations from 1.9 to 5.5 x 1019cm−3 between 316 and 649° C, and the enthalpy of vacancy formation between 0.25 and 0.40 eV. Compared to the recent data on HgTe(s),
these experimental results show a slight but significant decrease in the enthalpy of vacancy formation from HgTe to Hg0.8Cd0.2Te, which supports theoretical predictions of the bond weakening effect of Cd for the latter alloy system. Based on the simultaneously
determined equilibrium Hg partial pressures within the homogeneity range, the vacancy concentration-partial pressure isotherms
are constructed. The Hg partial pressures are also measured along the three-phase boundaries of the solid solutions of bothx = 0.2 and 0.4, and these are in close agreement with published data obtained by optical absorption measurements. 相似文献