真空间隙的直流脉冲长延时击穿

就高压真空绝缘来说，导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程，到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明，机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高，而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比，商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外，我们也对击穿过程中的暂态电压和电流进     

真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中电极间隙和真空灭弧室的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中预击穿特性的因素。     

真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中电极间隙预击穿特性的因素，并对真空灭弧室的顶击穿特性进行了研究。     

Cu合金在真空小间隙下的击穿表面特征

本文研究了真空Ｃｕ，ＣｕＣｒ３和ＣｕＣｒ５０合金在真空小间隙下的击穿强度和击穿后表面组织特征，认为个同成份的合金由于表面熔化层快速冷却时产生的不同表面组织形貌特征是影响其击穿强度的一个重要原因。     

电极表面形态对真空击穿特性的影响

真空击穿是影响许多电子器件性能的一个重要因素,引起真空击穿的原因很多,其中电极的表面形态在真空击穿的起始阶段发挥着重要的作用。采用有限元法分析了不同电极表面形态对电极间电场的影响,研究表明当电极表面有凹凸缺陷时易引起击穿的发生,其中凸缺陷将导致电场强度几十倍增加,且圆锥形凸起引起的最大电场强度和尖端角度成线性关系;并进一步模拟研究了老炼对真空击穿特性的改进,结果表明老炼可将峰值电场强度降低70%以上。     

真空中均匀电场间隙发生介质击穿的概率

为了研究用真空作为绝缘介质的设备的绝缘可靠性,本文对真空间隙中击穿概率的分布进行了分析。并做了多次实验来研究试验方法、电极面积和电极材料对均匀电场间隙中击穿概率分布的影响。试验结果表明真空间隙的击穿概率分布可用一个临界参数通过维泊尔分布来阐明。而此参数表示临界击穿电压。为了能做出高可靠的真空绝缘设备,进行绝缘设计时要把刚才的位置参数这个重要因素考虑进去。位置参数与电极面积有关。这可能是由于微观隆起与微观粒子这些击穿弱点的存在概率与电极面积有关。     

真空中延时击穿的研究

我们用一个高清晰度的双筒摄像机（ICCD），通过一些试验来研究真空断路器的延时击穿现象，延时击穿可以引起电弧重燃，导致开断失败，这种开断失败比较少见，它可以由好几种机理产生，本文介绍了研究这种特殊现象的方法，并且展示了击穿发生的初始阶段电弧的图象。     

配永磁机构的真空断路器的同步关合的研究

通过真空灭弧室的预击穿和真空断路器的关合速度对同步关合的影响,以及对配永磁机构的真空断路器进行动态计算,可以得出真空间隙随时间的变化关系。     

真空电击穿的材料显微组织影响因素

本文总结了合金的显微组织对真空击穿的影响规律。应用材料学科和电子、电气学科的基本理论，在大量实验基础上提出了关于合金耐电压强度的新观点。本文介绍了真空击穿实验过程，并从四个方面说明材料显微组织对耐电压强度的影响：①合金的首击穿相；②老炼的作用；③硬度与耐电压强度的关系；④添加合金元素的影响。     

金属表面形貌对真空击穿阈值的影响

探索提高真空击穿阈值的方法,对脉冲功率技术的发展和应用具有重要意义。在金属表面电子发射理论分析的基础上,采用有限元法计算电极表面电场随二极管电压的变化规律,设计实验系统,并开展实验研究。实验对比钛合金TC4阴极在不同表面粗糙度下真空击穿阈值,实验表明,当阴极表面粗糙度(轮廓最大高度Rz)分别为26.13 m,10.41 m,6.75 m,1.12 m,0.13 m时,击穿阈值分别为306 kV/cm,345 kV/cm,358 kV/cm,392 kV/cm,428 kV/cm。当Rz由26.13 m减小至0.13 m时,击穿阈值提高39%。金属表面击穿阈值随Rz减小而提高,减小金属表面的Rz,是提高真空击穿阈值的有效方法。     

利用真空电子器件产生THz技术的发展

THz波技术在生物医学、材料科学、天文学和军事通信等方面都具有广泛的应用前景.介绍了几种能够产生THz波的真空电子器件的工作机理及其在发展过程中遇到的瓶颈问题,并得出了利用真空电子器件产生THz波的各种优势.介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状,并对用真空电子器件产生THz波的技术进行了展望.     

微波真空电子器件的发展与应用

根据真空电子器件的工作原理,其百年发展史可分为三个阶段：以静电控制的普通电子管阶段、以动态控制原理工作的微波真空电子器件阶段、基于相对论效应的新型器件阶段,每个阶段的代表管型在各自的应用领域都发挥了重要的作用。随着电磁波谱的开发利用,微波真空电子器件的技术水平向高频率、高功率、高效率方向发展,推动着军用装备和工业应用的不断拓展,特别在航天领域有长足发展。本文综述微波真空电子器件在厘米波段、毫米波段和太赫兹波段技术发展和装备应用概况,探讨未来的发展方向。     

真空电子器件的失效模式及原因分析

通过研究真空电子器件可靠性的国内外动态,发现国产真空电子器件的可靠性与国际先进水平相比还存在较大的差距.为了寻找改进的切入点,从器件结构和使用环境两方面讨论了国产真空电子器件的常见失效模式及其失效原因,为进一步地开展国产真空电子器件的可靠性研究进行有益的探索.     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍 了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势 以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子 器件应用前景。     

星用微波组件低气压放电与真空微放电效应研究

低气压放电效应与真空微放电效应(亦被称为电子二次倍增效应)是装载在航空器或航天器上的星用微波组件在上天过程中与正常定轨后工作所要经历的两个阶段,经历发射至定轨工作的全过程(亦被称为入轨)的星用微波组件要经历低气压放电的考验,而对定轨后运行的星用微波组件则要经受真空微放电的考验。其放电机理和环境条件各异,两种环境试验不具有互换性,对此进行了研究;并对低气压放电与真空微放电提出了相应的防护措施。     

太赫兹微型电真空器件及其制造工艺

随着科学技术发展,人类对电磁频谱的掌握与应用也在不断发展,继毫米波波段开发的日益成熟之后,科学界已开始了向太赫兹领域进军。太赫兹电真空器件可以产生高功率太赫兹辐射真空电子器件,在太赫兹辐射源方面可做出很重要的贡献。本文介绍了国内外几种大力发展的太赫兹真空电子器件的研究技术水平及发展方向;重点分析了太赫兹电真空制造工艺的特点和关键技术。     

真空电子器件输出窗次级电子倍增效应研究进展

真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势,可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源,对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义。输出窗是真空电子器件的关键部件,输出窗击穿是器件失效的主要原因之一,而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因。本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状,在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向,以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考。     

微型真空电子器件技术研究

微波真空电子器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频率扩展,随着器件频率的提高,高频结构的尺寸越来越小,传统的机械加工方法已经不能满足零部件精度的要求,需要借助微细加工技术.这一类利用微细加工技术,特别是深刻技术,如LIGA,DEM,DXRL、DRIE等,制作的真空器件,已经形成一门新兴的交叉学科,微真空电子学及相应的技术和应用.本文对目前微真空电子器件的现状,深刻技术在器件加工的应用进行了分析,希望对开展这些研究打下基础.     

A new photon source for ultraviolet photoelectron spectroscopy of organic and other damage-prone materials

Accurate measurements of the valence electronic structures of organic semiconductors are important for the development and understanding of organic electronic devices, materials, and interfaces. Ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) is a well-established technique for probing valence electronic structures; however, many organic semiconductors undergo rapid sample degradation upon exposure to traditional laboratory-based vacuum ultraviolet (VUV) photon sources. Here, we report on a novel VUV photon source for UPS measurements that utilizes H Lyman-α emission with a narrow linewidth and a widely tunable intensity, and apply it to a number of organic materials of interest to show its ability to overcome this hurdle of sample degradation. Furthermore, the H Lyman-α source displays no measureable higher energy emission lines, which significantly reduces the background over typical He I discharge sources and allows for the onset of the density of states to be clearly observed over several orders of magnitude.     

MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用

金刚石膜是一种集众多优异性能于一身的新材料,尤其是其热导率高、绝缘性能好以及微波介电损耗低等特点,使金刚石膜在微波电真空器件领域有着重要的应用前景。目前,以微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法制备高品质金刚石膜的技术已趋向成熟。本文将针对微波电真空器件这一应用背景,简要介绍国内外高品质金刚石膜MPCVD沉积技术的发展现状,进而对金刚石膜材料应用于微波电真空器件领域的一些典型实例进行简单的介绍。