8-羟基喹啉锂材料及器件特性的研究

阐述了蓝光材料Liq的合成及其提纯方法,并用Liq作为发光材料制备了蓝色有机发光器件,研究了CuPe对该器件特性的影响.结果表明,CuPe的加入降低了空穴载流子的注入势垒,有利于提高空穴注入能力,因而提高了器件的亮度和发光效率.在电压为16 V时,没有缓冲层的器件效率为0.363 cd/A,有缓冲层的器件效率为0.731 cd/A.     

8-羟基喹啉锂蓝色有机电致发光器件

合成了蓝色有机薄膜电致发光材料8-羟基喹啉锂(Liq),8-羟基喹啉锂薄膜的PL光谱峰位于475nm^2分析了8-羟基喹啉锂发射光谱蓝移的原因^2制备了两种结构的蓝色发光器件,其最高亮度分别为1200cd／m^2和2000cd／m^2,EL峰位于490nm^2用能级图比较和分析了两种器件的特性。     

八羟基喹啉金属配合物的发光特性的研究

合成了八羟基喹啉铝和八羟基喹啉锌．测量了粉末和薄膜的荧光光谱．并分析了从粉末到薄膜发射峰红移的原因。制备了单层和双层的器件，从载流子注入平衡的角度分析了器件的救率变化的原因。     

多孔硅与有机发光材料复合的光电特性

用旋涂法实现了多孔硅(PS)与有机发光材料聚乙烯咔唑(PVK)和八羟基喹啉(Alq3)的复合，研究了PS／(PVK，Alq3)复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现，PS／PVK复合体系的PL同时具有PS和PVK的峰；在485nm的位置出现了1个新峰，讨论了这个峰的来源。研究了n型单晶Si制备的PS与PVK复合(n-PS／p-PVK)和P型单晶Si制备的Alq3复合(p-PS／n-Alq3)后的}y特性。测试表明，这两个复合体系的I-V曲线都显示了良好的整流特性。结果表明，PS／(PVK，Alq3)复合体系适合用来制备PS基的发光二极管。最后借助无机半导体的能带理论对此进行了分析。     

八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.     

八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.     

有机薄膜发光器件的研究进展

有机薄膜电致发光器件具有发光效率高、驱动电压低、功耗小、响应速度快等优点,已成为近年来显示技术领域的研究热点.基于有机发光器件的能级结构,分析了电极、有机薄膜以及界面三者对器件性能的影响及相应的改进措施.重点介绍了有机发光材料的研究进展,简要介绍了国内外在有机电致发光显示方面的最新进展.     

发光薄膜的制备及应用

与传统的发光粉制作的显示屏相比，发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、均匀性、与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性。因此，作为功能材料，发光薄膜在诸如阴极射线管（CRTs)、电致发光显示（ELDs)及场发射显示（FEDs)等平板显示领域中有着广阔的应用前景。发光薄膜的制备方法有许多种，包括溅射法、金属有机物化学汽相沉积法、溶胶－凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法、蒸镀法等。本文系统地对这些发光薄膜的制备方法及其应用情况作以简单的介绍，最后对发光薄膜的发展趋势进行了展望。     

有机EL发光材料的现状

本文综述了有机电致发光材料的发展现状．     

激发态质子转移型有机分子7-羟基喹啉的光开关效应

本文研究了质子转移型有机分子７－羟基喹啉在皮秒激光脉冲作用下的光开关现象。实验结果表明７－羟基喹啉在３５５ｎｍ的皮秒光脉冲的作用下对４８８ｎｍ和６３２．８ｎｍ的光有明显的开关效应,而在５３２ｎｍ的皮秒光脉冲的作用下无此效应。产生开关效应的原因是由于７－羟基喹啉分子在激光态质子转移过程中生成的阳离子和阴离子具有较大的光学非线性。     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

Bis-(8-hydroxyquinoline) copper nanoribbons: preparation, characterization, and photoconductivity

Bis-(8-hydroxyquinoline) copper nanoribbons with an average width of 400 nm, a thickness of 70 nm and the length of up to tens of micrometers, were synthesized by a facile solvothermal method. X-ray powder diffraction and Fourier transform infrared spectrum were employed to determine their structure. The photoconductivity of a bundle of nanoribbons was also measured, which exhibited unique photoresponse to light, indicating their potential applications in photoswitch nanodevices in the furure.     

Bis-(8-hydroxyquinoline) mercury nanoribbons: preparation, characterization and photoconductivity

Bis-(8-hydroxyquinoline) mercury nanoribbons with average width of 300nm, thickness of 50nm and length of up to tens of micrometers were synthesized by a facile solvothermal method. X-ray powder diffraction and Fourier transform infrared spectrum were employed to determine their structure. The conductivity of a bundle of nanoribbons was also measured, which exhibited linear current-voltage characteristics and excellent photoresponse to light, indicating their potential applications in photoswitch nano-devices in the future.     

有机半导体材料蒽薄膜的生长

利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态.结果显示:蒽膜生长时,蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长,即蒽首先形成许多三维岛状的晶核,核长大增高为岛,然后在蒽离域大π键的作用下,相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜.     

八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法.X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-Ⅴ曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于分子在电场作用下的空间取向的变化,对这一现象提出了一种可能的理论解释.     

八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

介绍了八羟基喹啉锌（Znq2）有机薄膜及器件的制备方法. X射线衍射谱指出，用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构；通过对Znq2有机薄膜I-V曲线的分析，揭示了Znq2薄膜的开关特性. 基于分子在电场作用下的空间取向的变化，对这一现象提出了一种可能的理论解释.     

碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性

报道了在水平、常压ＭＯＶＰＥ实验型生产装置中,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,用金属有机化合物ＤＭＣｄ、ＤｉＰＴｅ和元素Ｈｇ,在ＣｄＴｅ和ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜,其组分和薄膜厚度的均匀性以及ｐ型电学性质,初步达到了目前红外焦平面列阵研制的要求,同时,这种薄膜的生长具有一定重复性。     

Synthesis and electroluminescence properties of tris-[5-choloro-8-hydroxyquinoline] aluminum Al(5-Clq)3

A new electroluminescent material tris-[5-choloro-8-hydroxyquinoline] aluminum has been synthesized and characterized. Solution of this material Al(5-Clq)₃ in toluene showed absorption maxima at 385 nm which was attributed to the moderate energy (π-π^*) transitions of the aromatic rings. The photoluminescence spectrum of Al(5-Clq)₃ in toluene solution showed a peak at 522 nm. This material shows thermal stability up to 400 ℃. The structure of the device is ITO/0.4 wt%F4-TCNQ doped α-NPD (35 nm) / Al(5-Clq)₃(30 nm)/ BCP (6 nm)/ Alq₃(30 nm)/ LiF (1 nm)/Al(150 nm). This device exhibited a luminescence peak at 585 nm (CIE coordinates, x= 0.39, y= 0.50). The maximum luminescence of the device was 920 Cd/m² at 25 V. The maximum current efficiency of OLED was 0.27 Cd/A at 20 V and maximum power efficiency was 0.04 lm/W at 18 V.     

一种有机薄膜器件的制备及电存储特性

研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征.     

一种有机薄膜器件的制备及电存储特性

研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征.