激光制备多层铁电薄膜的C—V保持特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性，是铁电场效应晶体管的理想栅极材料     

后续热处理配合PLD制备铁电PZT薄膜及其工艺优化研究

利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积工艺在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制行了Ｐｂ（Ｚｒ５２Ｔｉ４８）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜。并用Ｘ射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。     

溶胶—凝胶法制备BST铁电薄膜及性能研究

研究了一种以水为溶剂的(Ba     

BST薄膜的膜厚与铁电性能关系研究

采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线。结果表明,当膜厚从250nm增加到650nm时,BST薄膜的εr、εr的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10–6C/cm2逐渐增加到1543,19%,30×10–6C/cm2,而矫顽场强随膜厚的变化较复杂。进一步分析发现,膜厚通过影响矫顽场强和最大极化强度进而影响铁电薄膜的电压非线性。     

ZnO过渡层对BiFeO_3薄膜铁电性能的影响

采用溶胶–凝胶法,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上采用逐层退火工艺制备了BFO(BiFeO3)、ZnO/BFO和ZAO(掺铝氧化锌)/BFO薄膜,研究了ZnO、ZAO过渡层对BFO薄膜晶相以及铁电、漏电和介电性能的影响。结果表明:与BFO薄膜相比,ZnO/BFO薄膜的表面更加致密、平整,结晶性更好,双剩余极化强度(2Pr)有非常大的提高,漏电和介电性能也均有改善。ZAO/BFO薄膜的铁电性能比ZnO/BFO薄膜的铁电性能差,这与ZAO的导电性强于ZnO有关。     

YMnO3薄膜的铁电性能及其应用

对金属－铁电体－半导体场效应晶体管器件而言，具有六方晶系结构的稀土锰酸盐（ＲｅＭｎＯ３）是性能优良的薄膜材料，它们的介电常数低，仅仅只有单一的极化轴，没有挥发性的元素Ｐｂ、Ｂｉ等。本文作者对ＲｅＭｎＯ３材料的结构特性、制备方法及其铁电性能等进行了介绍，并指出存在的困难及其发展方向。     

脉冲准分子激光制备PCLT热释电薄膜

采用脉冲激光沉积的方法,在Pt/SiO_2/Si衬底上制备了掺Ca的(Pb,La)TiO_3薄膜。薄膜呈多晶结构,具有较好的铁电性和热释电性。由于掺Ca的作用,使薄膜的材料探测优值和电压响应优值几乎与单晶MgO衬底上的c轴取向的PbTiO_3或(Ph,La)TiO_3薄膜相比拟。这些较好的实验结果是在硅基衬底上的铁电薄膜中获得的,因而对研制单片集成的红外热释电阵列将有一定的意义。     

Si基Bi4Ti3O12薄膜电滞回线及铁电性能的研究

采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)法直接在p—Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜，研究了Ag／Bi4Ti3O12／p—si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度，而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。     

多离子束反应共溅射制备TbTiO3铁电薄膜的微结构研究

本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了Ｐｂ－Ｔｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显著降低薄膜后续热处理的温度；薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中Ｐｂ的含量有关；较之Ｓｉ衬底，在ＭｇＯ衬底上的薄膜较易获得好的晶体结构和优良的薄膜表面形貌。对所观察到的形象，从衬底与薄膜相互作用的角度进行了讨论。     

准分子激光制备多层铁电薄膜的C—V特性研究

采用脉冲准分子激光工艺，在ｐ型Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪，分析了它们的Ｃ－Ｖ特性曲线的记忆窗口，讨论了记忆窗口与频率的关系，记忆窗口与多层结构的关系。结果表明，三层结构铁电薄膜的Ｃ－Ｖ特性的窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。     

多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。     

铁电薄膜：理论与应用

本文评述了铁电薄膜的制备力法;对铁电薄膜的理论研究成果作了概括的讨论,重点讨论表面层与膜层内应力对薄膜铁电行为的影响;文中介绍了铁电薄膜在存储、发光、显示及探测等方面的应用;最后简要地指出了铁电薄膜的理论与应用研究的前景。     

钙钛矿型铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备

介绍了溶胶－凝胶薄膜制备法，研究了浸涂法和旋涂法对薄膜质量的影响因素和控制理论，阐述薄膜干燥法与裂纹形成机理，基片因素对晶体结构的影响等问题。讨论溶胶－凝胶法制膜过程中，铁电薄膜全钙钛矿相的形成和晶粒的定向生长。     

YMnO_3薄膜的铁电性能及其应用

对金属 -铁电体 -半导体场效应晶体管器件而言 ,具有六方晶系结构的稀土锰酸盐 ( Re Mn O3)是性能优良的薄膜材料 ,它们的介电常数低 ,仅仅只有单一的极化轴 ,没有挥发性的元素 Pb、Bi等。本文作者对 Re Mn O3材料的结构特征、制备方法及其铁电性能等进行了介绍 ,并指出存在的困难及其发展方向。     

PLT铁电薄膜的漏电流与I—V特性的研究

室温下在ＭＯＤ法制备的ＰＬＴ铁电薄膜的样品上，观察不同电场强度下电流随时间的变化，根据电流的变化情况，把电场划分为弱、中、强三个区间。在弱场下，电流随时间的变化可用幂指数的衰减来模拟，而且衰减系数随场强的增加有减小的趋势。在中强场时，电流随时间在水平方向上上下波动。在强场下，电流随时间在波动的同时不断增大。因此在对不同区间电流随时间变化Ｉ（ｔ）曲线分析的基础上，确定某一电场强度下的漏导电流，作出了Ｉ－Ｖ曲线。同时发现不同配方，在相同工艺条件下的样品，其弱、中、强场的数值区间是不一样的，因此作出的Ｉ－Ｖ曲线也有所区别。对非欧姆区的导电机理用空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）模型和晶界限制电流（ＧＢＬＣ）模型来解释，同时对样品正向与反向的导电机理进行了对比研究。而且对热释电电流测量中有指导意义的薄膜充电后缓慢的放电过程进行了观察和分析     

在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降

利用准分子激光原位淀积制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，建立了一条修正的经验幂定律I＝A（ξV）^a和一个层状铁电流密度－电压（I－V）曲线的近似公式，它包括了非线性系数a和界面电位降特征参数ξ。由修正的经验幂定律和I－V曲线近似公式算出的界面电位降Vi与由C－V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容，薄膜电容及耗尽层电容有关。     

硅基铁电薄膜的电性能研究

以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 ,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势     

多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压

利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT／PZT／BIT、PZT／BIT和BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压，其中Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si（100）的ΔVb最小而Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb最大，但Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb与Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb相差不多。Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的I－V特性曲线非对称的整流特性和P－V回线的刻印失效是最小的而Au/BIT/p-Si(100)的则是最大的。     

激发物激光烧蚀法制备铁电和压电薄膜

本文叙述用激发物激光烧蚀法沉积几种铁电和压电薄膜的制备法和性能，并介绍了这些薄膜在微电子学器件和微波声学器件方面的应用。