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准分子激光制备多层铁电薄膜的C—V特性研究 总被引:3,自引:2,他引:1
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜,采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。 相似文献
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激光制备多层薄膜及铁电性能的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
利用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法,在Si基片上制备了BIT/Si〔100〕、PZT/BIT/Si〔100〕和BIT/PZT/BIT/Si〔100〕铁电薄膜。用XRD分析了多层铁电薄膜的晶相结构;用Sawyer-Tower电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明,单层BIT的矫顽场Ec为4kV/cm,剩余极化强度为3.4μC/cm2;PZT/BIT的矫顽场Ec为82kV/cm,剩余极化强度Pr为36μC/cm2;BIT/PZT/BIT夹层铁电薄膜的矫顽场Ec为57kV/cm,剩余极化强度Pr为29μC/cm2。最后讨论了薄膜的铁电性能与多层结构的关系 相似文献
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多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 相似文献
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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压 总被引:1,自引:1,他引:0
利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT/PZT/BIT、PZT/BIT和BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压,其中Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb最小而Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb最大,但Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb与Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb相差不多。Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的I-V特性曲线非对称的整流特性和P-V回线的刻印失效是最小的而Au/BIT/p-Si(100)的则是最大的。 相似文献
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多层结构氧化锌薄膜制备 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了高频声体波微波延迟线用多层结构氧化锌薄膜的制作方法,并对这种交替排列不同结晶取向的多层氧化锌薄膜的微观结构、成膜机理进行了分析和阐述。用具有不同机电耦合系数、厚度为半波长的交替排列多层氧化锌薄膜制成了中心频率为8GHz的声体波微波延迟线。同时亦给出了这种新结构的氧化锌压电材料的生长条件及相应的实验结果 相似文献
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硅基铁电薄膜的制备和特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文详细介绍了在硅衬底上用SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜电容的工艺步骤,对铁电薄膜进行了XPS分析、表面形貌分析、XRD分析,测量了铁电电容的电滞回线及C-V曲线,并分析了各种工艺条件对铁电薄膜性能的影响. 相似文献
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通过计算多层薄膜结构的特征矩阵,应用微波网络的思想导出了金属背景多层薄膜结构反射系数的计算方法,并举例验证了该计算方法的正确性,为金属背景多层薄膜结构电磁散射的近似计算提供了理论基础. 相似文献
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Sol—Gel方法制备掺Y PZT铁电薄膜材料的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
介绍用Sol-Gel方法制备掺YPZT(PYZT)铁电薄膜的工艺,并比较了PZT和PYZT薄膜的性能参数。实验结果表明,掺Y后使PZT铁电薄膜的性能得到改善 相似文献
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硅基铁电薄膜的电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 ,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势 相似文献
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用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能 总被引:4,自引:1,他引:3
采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶充分和大晶粒尺寸有利于获得较大的 Pr值 相似文献
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 总被引:7,自引:1,他引:7
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 相似文献
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