共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
硅基恒流二极管研究现状及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素.同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流制作方法,包括横向沟道结构和垂直沟道结构(注入形成p+区,沟槽填充多晶以及MOS结构等).对不同器件结构的优缺点进行了比较分析,认为垂直沟道CRD在器件集成度和恒定电流调整等方面具有一定的优势.简要介绍了CRD在LED驱动中的应用.展望了CRD的未来发展前景. 相似文献
2.
本文介绍了一种可编程的低功耗运算放大器TLC271,它兼有低漂移的输入失调电压和高输入阻抗,并具有偏置选择功能,可广泛用于各种测量电路,并给出了TLC271可编程低功耗运算放大器的多种应用电路。 相似文献
3.
低功耗CMOS集成运算放大器的研究与设计 总被引:2,自引:0,他引:2
基于0.35μm N阱硅栅CMOS标准工艺,设计了一个工作电压为±2.5 V的CMOS两级全差分运算放大器。通过采用密勒电容和调零电阻串联的补偿电路,有效地改善了电路的频率响应特性,提高了转换速度,使该两级运算放大器在获得较大输入共模范围和输出摆幅的同时,还获得了较高的增益及相位裕度,满足便携式电子产品的低功耗、高性能要求。Cadence SpectreBSIM3V3模型仿真结果表明,在10 GΩ负载电阻和1 pF负载电容并联的条件下,该两级运算放大器的功耗为3 mW,开环直流电压增益为73 dB,单位增益带宽达到90 MHz,相位裕度为47°。 相似文献
4.
5.
6.
7.
低压低功耗运算放大器结构设计技术 总被引:6,自引:0,他引:6
低电压、低功耗、动态摆幅达到轨到轨(Rail—to—Rail)的运放是实现SOC设计的核心,而相关的输入输出模块是其中的关键技术。本文分析了两种分别工作于弱反型区和强反型区的恒跨导Rail—to—Rail输入级,同时给出了低压和极低压下两种AB类控制输出级的实现方案,并对各方案进行了比较和总结。 相似文献
8.
仪表放大器及其应用(六)低功耗仪表放大器的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
1.概述AD620是一种低功耗、高精度仪表放大器,它只需要一个外接电阻,即可设置各种增益(1~1000)。AD620与分离元件组成的仪表放大器(三运放结构)相比较具有体积小、功耗低、精度高等优点。AD620已在精密数据采集系统(如衡量器和传感器接口)... 相似文献
9.
基于2μm标准P阱CMOS工艺,实现了一种1.5V低功耗Rrail-to-Rail CMOS运算放大器.本运算放大器采用两对跨导器作rail-to-rail输入级,并运用电流折叠电路技术,将最低电源电压降到VT+3VDS.sat.运放同时采用一种适合于低电压要求的对称AB类推挽电路作rail-to-rail输出级,获得了高驱动能力和低谐波失真.芯片测试结果表明,在100pF负载电容和1K负载电阻并联条件下,运放的静态功耗只有270μW,开环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了70dB,2.2MHz和60. 相似文献
10.
一、OPA2353简介
TI/BB公司生产的运算放大器OPA2353与上一回介绍的NS公司生产的LME976一样。也是具有电源电压低、消耗电流小、输入/输出轨到轨特性的双运算放大器集城电路。 相似文献
11.
12.
在集成电路内建自测试的过程中,电路的测试功耗通常显著高于正常模式产生的功耗,因此低功耗内建自测试技术已成为当前的一个研究热点。为了减少被测电路内部节点的开关翻转活动率,研究了一种随机单输入跳变(Random Single Input Change,RSIC)测试向量生成器的设计方案,利用VHDL语言描述了内建自测试结构中的测试向量生成模块,进行了计算机模拟仿真并用FPGA(EP1C6Q240C8)加以硬件实现。实验结果证实了这种内建自测试原理电路的正确性和有效性。 相似文献
13.
基于OKI(冲电气工业株式会社)0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分,达到曲率补偿的效果。仿真结果表明,在5 V供电电压下,223~423 K(–50~+150℃)内,基准电压的波动范围为1.175~1.182 V,温漂为2.15×10–6/K,具有较高精度,低频时电路电源抑制比为–64 d B,整体静态电流仅为5.6μA。 相似文献
14.
基于0.13μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semi-conductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化... 相似文献
15.
针对蓄电池的储能问题,提出了一种多输入源且可扩充的高效充电电路和相应的控制算法。该充电电路主要由数字控制单元(DCU)、比较器、基于Dickson电荷泵结构的时钟倍压器(CVD)以及模拟开关组成,可以对多个独立能量采集器(EH)进行电能收集。该系统支持通过热插拔方式扩充任意数量的EH。提出的控制算法可以将从各个EH采集到的能量传递到能量储存装置而不会互相干扰。采用0.18 μm CMOS工艺对提出电路进行了具体实现。实验结果显示,相比类似的蓄电池充电系统,该充电电路的功耗最低,只需1.72μW的功耗,能够为三个输入源提供高达96.1%的最大充电效率。 相似文献
16.
17.
18.
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管(HBT)的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景. 相似文献
19.
为适应现代电子测试对仪表的要求,以MSP430单片机为控制核心,采用高效DC-DC电源转换芯片、低功耗高精度仪表放大器和真有效值转换芯片等,设计并实现了一种数字多功能表.能够精确测量交直流电压值、电阻、电容、晶体三极管的β值等.整个系统由一块9V电池供电,具有低功耗、高精度和便携等特点. 相似文献