三元硼化物TaNbB2的结构、力学性质及电子结构研究

目的 研究三元过渡金属硼化物TaNbB₂的结构、力学性质及电子结构。方法 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和粒子群优化算法(CALYPSO)晶体预测技术。结果 预测了三元过渡金属硼化物TaNbB₂在0 K,0 GPa下的基态相为一空间群为Amm2(No.38)的正交结构。通过形成焓、声子谱的计算以及基于弹性常数的力学稳定判据证明其能够稳定存在于常温常压。同时也系统研究了TaNbB₂的弹性性质、弹性各向异性和电子结构。结论 证明了Amm2-TaNbB₂是一种硬度、力学各向异性优异的晶体材料,并从原子尺度获得了其微观结构和宏观力学性质之间的关系,为工程应用、实验合成以及理论研究提供帮助。     

电化学电容器过渡金属氧化物电极材料的制备方法

综述了近年来电化学过渡金属氧化物电极材料电容器制备方法、讨论了这些方法的优缺点.通过对这些方法的比较,指出溶胶凝胶法最适合制备具有准电容特征的电化学电容器金属氧化物电极材料.     

微伸缩半线性热弹性力学材料的有限传播速度

基于微局部观点,利用频谱分析对角化的方法,讨论了一维半线性微伸缩热弹性力学材料的奇性传播问题,证明了该模型柯西问题解的奇性传播具有有限的传播速度. 所获结果表明了此类微伸缩固体材料应力集中处的变化规律.     

过渡金属掺杂BaTi03的磁性研究进展

钙钛矿结构氧化物BaTi03因其优良的铁电、介电性质而显示出广泛的应用前景.介绍了过渡金属掺杂对BaTi03晶体结构的影响,综述BaTiO3基材料磁性能的研究现状.     

Hf2+xMo3-xSi4(x=0.3)的合成、晶体结构及成键特性

电弧熔炼方法合成了Ｈｆ２＋ｘＭｏ３－ｘＳｉ４（ｘ＝０．３）,单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．化学式,Ｈｆ２．３（２）Ｍｏ２．７（２）Ｓｉ４,Ｍｒ＝７８１．９,晶体学及结构参数：正交晶系,Ｃｅ２Ｓｃ３Ｓｉ４类型,（６２）Ｐｎｍａ,ａ＝０．６５７９（１）,ｂ＝１．２８１８（４）,ｃ＝０．６７７８（１）ｎｍ,Ｖ＝０．５７１６（１）ｎｍ３,Ｚ＝４,Ｄｘ＝９．０８４ｇ／ｃｍ３,μ＝５０１．５５ｃｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ）,Ｆ（０００）＝１３４０,Ｔ＝２９６Ｋ,对于２５个修正参数和６３７个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０７５,ｗＲ＝０．０６８．此结构中,Ｓｉ原子两两成键联接成哑铃状,Ｍｏ原子均处于Ｓｉ原子所形成的配位畸变八面体中心,这些配位八面体最终联接形成三维Ｍｏ－Ｓｉ网络,Ｈｆ原子则散布在网络之间沿［１００］方向的隧道中．此化合物组成和结构不符合价键规律,成键具有过渡性且原子的配位环境遵守此类化合物规律．     

过渡金属材料的电化学储能性能研究

超级电容器是一种电化学能量储存设备,具有功率密度高、充放电速率快、寿命长等优点.依照反应机理,电化学电容可以区分为双电层电容和赝电容.赝电容超级电容器的能量密度高于双电层电容器.过渡金属氧化物和氢氧化物是一类重要的赝电容器电极材料.为了提高赝电容器的性能,大量的研究工作集中在设计具有特殊结构和尺寸的过渡金属氧化物和氢氧化物电极材料方面.作者综述了电极材料的设计、制备以及性能等方面的研究进展,总结了过渡金属的氧化物和氢氧化物在超级电容器方面的研究与应用.     

不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展

由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点.本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点.     

过渡金属掺杂对γ′-Fe_4N的热稳定性和磁性的影响

利用第一性原理密度泛函理论,对不同过渡金属M(M=Mn,Co,Ni)掺杂γ′-Fe4N的结构进行焓值计算.结果表明:以MnFe3N/Fe2,CoFe3N/Fe2和NiFe3N/Fe1为掺杂结构的能量最稳定,且均呈铁磁性;掺杂过渡金属元素的原子序数越小,体系的能量越低,材料的结构越稳定;随着压强的增加,掺杂元素替代面心不等价Fe位可有效减小压强对材料磁性的影响,使材料在更大压强区间内保持强铁磁性,衰减速率相对较低.     

过渡金属硫族化合物激子研究进展

分别介绍了激子的基本概念及过渡金属硫族化合物（transition metal dichalcogenides,TMD）材料中不同类型的激子态，并对TMD材料中激子的调控方法和手段进行了系统综述；总结了TMD材料中激子问题的潜在研究方向及应用.     

次弹性材料的无网格分析方法研究

次弹性材料在实际工程中是常见的,传统计算中大多数采用有限元方法。利用无网格伽辽金法对次弹性材料进行数值计算,并通过罚参数来实现本质边界条件,推导了求解此类问题的无网格伽辽金法离散格式。算例结果表明,无网格伽辽金法处理次弹性材料时,具有较高的计算精度,是一种有效的数值计算方法。