新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究

提出了一种简单可行的CNT-FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF₂薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验.     

电子束阴极用LaB_6单晶的制备及其应用

六硼化镧(LaB_6)具有良好的热稳定性和化学稳定性,以及非常低的功函数和蒸发率,是一种性能优异的电子束发射阴极材料.该文对目前国内外LaB_6单晶的制备方法以及应用现状进行了介绍,对比分析了LaB_6单晶的几种主要制备工艺的优缺点,并报道了作者近期在铝助熔剂法和区域熔炼法制备高质量LaB_6单晶方面的研究进展,最后对LaB_6单晶阴极的应用前景进行了展望.     

硅氧烷改性自交联丙烯酸阴极电泳涂料树脂的制备

采用自由基聚合法合成了硅氧烷改性自交联丙烯酸阴极电泳涂料树脂.研究了影响改性树脂分散液贮存稳定性、粒径大小及其分布、交联度等性能的主要因素.结果表明,采用一次投料法,聚合温度为85℃时,所得分散液粒径小且分布窄,贮存稳定性好.功能单体的引入提高了涂膜交联度,有机硅氧烷与丙烯酸酯类单体发生了共聚反应,改善了涂膜的耐水性和耐化学品性.     

稀土-钼阴极二次电子发射性能研究

运用液固、液液、固固掺杂等方法制造稀土氧化物,并掺杂钼粉,而后运用等离子体的快速烧结与常规的高温、压制的烧结分别制造稀土-钼金属陶瓷的材料,同时应用金相显微镜与发射性能测试的方法对这些样品的微观结构和二次的电子发射的性能实施研究。结果显示稀土的氧化物混合均匀掺杂和组织上的细化,将有助于提高材料的发射性能。在实行高温的氢气处理后,会让这些样品的激活温度大幅度的降低,而发射系数就会大幅度的提高。     

氯化钠电解槽新阴极材料的研究

阐叙了用脉冲电镀法在NiCl2，Na2S2O3，CoSO4为主盐的溶液中，在碳钢基村上镀制低氢过电位Ni-S—Co合金新阴极材料的方法，初步确定了脉冲电镀的有关参数．研究了能降低镍基镀层氢过电位合金的成份及镀层氢过电位与各组成元素含量的关系，并对镀该组成、电流密度和合金镀层组成的关系，以及电沉积条件和合金组织的关系进行了一系列探讨．     

酸性介质中TeCd阴极沉积和阳极溶出过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平（EQCM）方法研究了酸性介质中CdTe在Pt电极上阴极沉积和阳极溶出过程．结果表明：在含或不合Cd的TeO2溶液中，本体Te沉积的机理不同，但阳极溶出过程相类似；在实验条件下，只有当阴极电位小于．0．2V时，方可发生CdTe电沉积，其阴极电沉积和阳极溶解都是一个3．电子过程，并提出了CdTe电沉积和阳极溶出过程的机理．本文从电极表面质量定量变化的角度提供了CdTe阴极沉积和阳极溶出过程的新数据．     

直流热阴极PCVD方法制备碳纳米管的工艺研究

文中介绍了以氢气和甲烷作为反应气体,采用直流热阴极PCVD沉积碳纳米管的方法,研究了制备碳纳米管的工艺过程.介绍了沉积碳纳米管的实验设备,给出了制备工艺参数及对基片的选择.在镀有金镍(金镍膜厚分别为20 nm/40nm、40nm/40nm、60 nm/40nm)复合膜的硅片上仅用十几秒的时间就得到了Y型碳纳米管,碳纳米管的直径在20nm到80m之间.     

Ru(bpy)_3~(2+)阴极电化学发光行为的机理研究

为了研究发光电位在0.20 V(vs.Ag/AgCl)左右的Ru(bpy)32+阴极电化学发光行为的机理,改善此电化学发光体系的灵敏度和重现性,考察了电位扫描圈数、扫描范围对此阴极电化学发光行为的影响。结果表明,Au和Nafion在这种独特的阴极电化学发光中起了关键的作用。基于实验结果,提出了一种可能的激发模式,并应用此激发模式对一些电化学发光现象进行了解释。     

La1．7Bi0．3CoMnO6阴极材料的制备及在固体氧化物燃料电池中的应用

采用柠檬酸-EDTA法制备La1．7Bi0．3CoMnO6阴极材料,并研究了其基本的物理性质．XRD结果表明La1．7Bi0．3CoMnO6在1000℃烧结12h后为单相．样品La1．7Bi0．3CoMnO6在850℃的电导率达到最大值为11．37s·cm^-1．对La1．7Bi0．3CoMnO6进行阻抗性能测试,在800℃时阻抗值最小为0．72Ω·cm^2．     

诺氟沙星在碳糊电极上的阴极吸附伏安法研究

报道了用碳糊电极阴极吸附伏安法测定诺氟沙星的方法.在DR(pH=8.0)缓冲液中,诺氟沙星在碳糊电极(CPE)上有一灵敏的吸附还原峰,峰电位为-1.12 V(vs.SCE).氧化峰的二阶导数峰电流与诺氟沙星的浓度在8.0×10-9～2.0X10-7 mol/L(富集90 s)范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.994 6,检出限为4.0×10-9 mol/L(S/N=3,富集110 s),探讨了诺氟沙星在碳糊电极上的伏安性质和电极反应机理,并且成功应用于胶囊中诺氟沙星含量的测定与回收.     

电弧放电法中碳纳米管的微结构控制

通过分析不同放电条件下得到的阴极沉积物形貌和微结构,提出整体温度较低的沉积物边缘具有较高的局部温度和较大的碳离子流;并提出阴极上存在两种电子反射机制:边缘区域的冷阴极场致电子发射,引起边缘硬壳的形成;中心区域的热电子发射,为碳纳米管的生长提供必要的条件.     

铝硅磷掺杂碳纳米锥场发射性质的理论研究

采用第一原理密度泛函理论方法,分别研究了铝、硅和磷原子掺杂碳纳米锥的几何结构和电子结构,进而研究其场发射特性．计算结果表明：与纯碳纳米锥相比,铝和硅原子掺杂对其场发射性能的提升意义不大,磷原子易于掺杂在碳纳米锥顶部,引起其费米能级附近最高占据分子轨道明显提升,功函数和离化能降低．计算结果表明,磷掺杂碳纳米锥体系是较好的场发射材料．     

PDP选址驱动芯片的设计与实现

设计出一种适合PDP选址驱动芯片的HV—NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性．提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV—PMOS的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀．文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求。     

噻吩浓度对陶瓷和石英为基底的CVD法制备碳纳米管的影响

采用二甲苯为碳源,二茂铁为催化剂,分别在陶瓷和石英基底上进行化学气相沉积(CVD),制备出多壁碳纳米管(MWNTs)及大面积的碳纳米管列阵膜。结果表明,噻吩的加入量对能否生成碳纳米管及其产量具有重要影响。对于不同基底,噻吩浓度对碳纳米管生长的影响亦不同,石英基底对噻吩浓度的敏感性更强,在石英基底上能够生长出碳纳米管列阵膜。     

碳纳米管电极电吸附脱盐工艺的研究

研究了碳纳米管电极电吸附苦咸水脱盐.对碳纳米管的预处理、电极炭化、碳纳米管孔径以及不同操作条件,包括不同电压、初始浓度、水通量和电极片数等对脱盐的影响进行了一系列的测试与分析,结果表明:预处理使电极脱盐性能大为提高;炭化将加强电极片的强度,碳纳米管电极的最佳脱盐孔径为2~10 nm;并且这种新型脱盐器最佳脱盐的电压和水通量分别为2.0 V和10 ml/min.在此最佳条件下,盐水的浓度越高,脱盐效果越好;并且电极片越多,脱盐性能越好.同时文中也对脱盐器循环寿命进行了测试,结果表明:这种新型脱盐器脱盐效率高、循环周期长.     

锯齿型单壁与双壁碳纳米管电子学特性比较研究

采用基于广义梯度近似(GCA)的密度泛函理论中的简化广义梯度近似方法(PBE)分别对(6,0)和(15,0)锯齿型单壁碳纳米管(SWCNT)和双壁碳纳米管(DWCNT)的能带和态密度进行了计算,并对所得结果进行了比较,发现了单壁与双壁碳纳米管之间的电子学异同点.通过比较发现,虽然双壁碳纳米管和单壁碳纳米管具有相似的能带结构,但是双壁碳纳米管的能隙较单壁碳纳米管的能隙要小,这说明双壁碳纳米管的电子输运性能要远优于单壁碳纳米管.     

纳米碳管的能带结构特征

发展了计算能带结构的sp^3s^*模型,并应用该模型对无限长单壁纳米碳管的能带结构进行了系统的分析;发现对于[n,m]纳米碳管当n=m时为金属性纳米碳管,m—n=3q(q为整数)时为窄隙半导体管．而其他类型的纳米碳管均为宽隙半导体管．且对于n—m≠3q的其禁带宽度与半径大致呈反比关系．     

水溶性聚季铵盐修饰多壁碳纳米管的制备

采用聚季铵盐修饰的方法合成了水溶性的多壁碳纳米管(MWNTs)。用混酸(浓硫酸与浓硝酸,体积比为3∶1)对平均直径为20 nm的MWNTs进行氧化处理。红外光谱分析表明,氧化1 h~3 h可使MWNTs表面生成羧基,扫描电镜测试表明MWNTs被氧化为短管。氧化2 h的MWNTs经过与氯化亚枫的酰氯化及与聚季铵盐的脂化缩合两个反应步骤,合成了表面接枝聚季铵盐的MWNTs,红外光谱分析证明了该MWNTs的生成。透射电镜测试显示聚季铵盐修饰的MWNTs在乙醇中能够有效地克服团聚倾向;水溶性实验表明改性后的MWNTs在水中具有自分散性,并能够保持长时间的溶解能力。     

二茂铁修饰玻碳电极的研制与抗坏血酸的测定

研制了一种简单的二茂铁修饰玻碳电极.利用二茂铁修饰玻碳电极对抗坏血酸的电催化作用来测定抗坏血酸.结果表明:在2.0×10-3～4.0×10-6mol/L的浓度范围内,抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度呈线性关系,最低检测限(3σ)为1.0×10-6mol/L.用这种方法测定Vc片剂中的抗坏血酸,方法简单、准确、快速、结果满意.