300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析

对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察,颈部晶体的断裂属于脆性断裂,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力,从而可以制得更大重量的单晶。缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响。讨论了颈部晶体的断裂机制。     

大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟

数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟，通过对300单晶炉内热场的数值模拟计算，得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。     

Φ20mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

密闭热系统中拉制硅单晶

本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明：密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗，而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。     

Φ125mm硅单晶的控氧技术

Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...     

CZ硅单晶中氧含量轴向分布的测试研究

本文双ＣＺ硅单晶中氧含量的测试实验中找出了我厂４英寸电路级ＣＺ硅单晶中氧的轴向分布规律，为生产检测中按规定氧含量切割单晶提供了准确的实验数据。另外，本文还对影响ＣＺ硅单昌氧含量及轴向分布的因素作了初步的探讨。     

大直径（100）区熔硅单晶生长的特点

大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电...     

300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为.从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验.实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加.这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大.     

掺氮对300 mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷（voids）和氧化诱生层错（OSFs）的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷（FPDs）的密度变小,氧化诱生层错环（OSF-ring）向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区（OSF-ring）的范围变大。     

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化，并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明。双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同，从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固，液混合接触区时，协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系，使之达到平衡，可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。     

260mm×300mm连铸坯内裂纹的分析和改进工艺实践

通过控制钢中硫含量≤0．020％，不同炉次中间包钢水温度波动范围由25℃降至10℃。调整结晶器水量为190～200m^3／h，控制拉速0．55～0．75m／min，使20CrMnTiH、40Cr、GCr15等钢种260mm×300mm连铸坯的内裂废品率由0．30％降低到0．01％，基本消除了铸坯内裂纹。     

2300mm轧机酸洗定尺数控控制系统的设计与实现

介绍了太钢冷轧硅钢厂2 300 mm轧机酸洗机组数控的改造过程和控制原理及特点,阐述了酸洗机组数控的自动控制的总体设计思想。全自动工艺控制的实现,不仅降低了工作强度,更提高了生产效率和控制精度,具有令人满意的效果和推广价值。     

VGF法生长6英寸Ge单晶中热应力的数值模拟优化

VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中均具有较低的温度梯度(这里的温度梯度是指的界面附近的温度梯度),尤其当晶体生长进入等径生长阶段后,晶体中的轴向温度梯度在2～3 K.cm-1之间,熔体中的轴向温度梯度0.8～1.0 K.cm-1之间;晶体中的热应力除边缘外均在(2～9)×104 Pa之间,低于Ge单晶的临剪切应力,且晶体生长界面较平整;坩埚与坩埚托之间的间隙对于晶体生长中的边界效应影响显著,将8 mm间隙减小至2 mm后,埚壁外侧的径向热流增加,使得晶体边缘的最大热应力减小至0.21 MPa和Ge单晶的临剪切应力相当,实现了热场的优化。     

4 300 mm宽厚板厂工艺设计与分析

概要介绍首钢秦板4 300 mm宽厚板车间的生产工艺和先进技术,同时对4 300 mm宽厚板车间方案设计时遇到的一些工艺问题予以简要说明.     

60Si2Mn弹簧钢150 mm x 150 mm铸坯缺陷分析与工艺优化

针对60Si2Mn弹簧钢(/%:0.56～0.64C,1.50～2.00Si, 0.70～1.00Mn,≤0.025P,≤0.020S)的150 mm×150 mm连铸坯角部存在横向表面裂纹缺陷问题,通过采用金相显微镜和扫描电镜对铸坯角部横向表面裂纹缺陷进行分析及试验比对。结果表明：结晶器铜管锥度过大、拉坯阻力大、保护渣润滑效果差以及二次冷却不均匀导致角部产生横向表面裂纹。通过将结晶器铜管锥度从2.2 mm降到1.6 mm、保护渣熔化温度从1182℃降到1072℃、粘度从0.76 Pa·s降到0.52 Pa·s以及二次冷却比水量从0.45L/kg降到0.32L/kg等措施,降低铸坯在铜管内拉坯阻力,改善结晶器冷却传热和二冷段喷淋冷却效果,提高铸坯冷却均匀性,使得铸坯缺陷得到有效控制,铸坯表面探伤合格率从35%提高到92%。