LD纵向泵浦Nd：S－VAP晶体激光特性研究

Ｎｄ：Ｓ—ＶＡＰ晶体是一种新型激光工作物质。我们通过纵向ＬＤ泵浦Ｎｄ：Ｓ－ＶＡＰ晶体研究了它的激光特性，得到基横模（ＴＥＭ００）输出，泵浦阈值为１１ｍｗ，斜效率为２６．７％。     

新型实时时钟芯片DS12887原理与运用

ＤＳ１２８８７为ＤＡＬＬＡＳ公司生产的实时钟芯片，除具有实时钟功能外，它还具有１１４字节的这用ＲＡＭ，内藏锂电池，并与广泛应用的ＤＳ１２８７，ＭＣ１４６８１８Ｂ脚对脚兼容。本文对应用角度出发，概述了其功能特点，外部特性，内部结构及与微机芯片的接口应用。     

单片机控制系统的红外线遥控器接口

文章介绍了红外线遥控发射器ＢＡ５０４８和接收器ＢＡ５０５０芯片的特性，它与ＭＣＳ５１系列单片机系统的接口电路，并给出了软件识别键码的方法和汇编子程序。     

ADSL—铜绞线上实现交互型宽带业务

本文介绍了非对称数字用户线路（ＡＤＳＬ）引入的背景，说明充分利用现有用户铅缆资源传递宽带业务的必要性，着重介绍了ＡＤＳＬ的传输技术、结构和功能，及ＡＤＳＬ可能提供的业务和它所具有的特性，并论述了ＡＤＳＬ的应用前景。     

高精度5V基准源AD586

ＡＤ５８６高精度５Ｖ基准源是ＡＮＡＬＯＧＤＥＶＩＣＥＳ公司生产的新型离子注入埋藏齐纳二极管器件，它体现了单片电压基准源技术水平的新进展，精度高、噪声低，输出调整能力强等特点。本文详细介绍了ＡＤ５８６的基本特性、工作原理及应用实例。     

ALE的二阶输出统计特性

自适应谱线增强器（ＡＬＥ）是一种新的自适应滤波器结构，本文从理论上分析了它的二阶输出统计特性，导出了ＡＬＥ信噪比增益的计算公式。最后给出了单正弦信号的例子。     

Nb超导量子结中AlO_x－Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ）；Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜Ａ｜Ｏｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。由Ｆｉｓｋｅ台阶电压，ＡＶＳ中的Ａｌ峰和Ｉ－Ｖ特性的畸变，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间由常态Ａｌ而引起的亲近效应的存在，并用ＭｃＭｉｌｌａｎ理论作了讨论。     

PtTi阻挡层对AuTi／AuGe：Ni／GaAs系统热稳定性及欧姆接触特性的影响

用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了ＰｔＴｉ阻挡层与ＡｎＴｉ／ＡｕＧｅ：Ｎｉ／ＧａＡｓ系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明，系统在２５０℃以下热处理是稳定的，它具有良好的欧姆接触特性；在更高的温度下，发现阻挡层下面的Ｔｉ扩散穿过接触层并消耗接触层的ＧａＡｓ，在欧姆接触层下形成Ｔｉ－Ｇａ－Ａｓ／ＧａＡｓ接触。接触电阻Ｒｃ迅速增加，由原始的几欧增大到几百欧。在３２０℃热处理时，系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。     

模拟乘法器AD834的原理与应用

ＡＤ８３４是美国ＡＤＩ公司推出的宽频宽、四象限、高性能的模拟乘法器。它工作稳定，计算误差小，并具有低失真和微功耗的特点，本文介绍了ＡＤ８３４模拟乘法器的主要特性、工作原理、应用考虑和应用实例。     

精密低功耗仪表放大器INA118及其应用

ＩＮＡ１１８的美国Ｂ－Ｂ公司生产的精密仪表放大器，它在内部集成了输入保护电路，其增益可由外部可调增益电阻Ｒｇ进行调节。本文介绍了ＩＮＡ１１８的原理、特性及应用电路。     

HV－2405E型AC－DC电路的原理与应用

ＨＶ２４０５Ｅ是美国Ｈａｒｉｓ公司生产的离线式ＡＣＤＣ变换器，不需变压器即可把１１０Ｖ／６０Ｈｚ或２２０Ｖ／５０Ｈｚ的交流电转换成５～２４Ｖ的直流电，最大输出电流为２５０ｍＡ。本文详细介绍了它的内部结构、电路特性，给出了二个实用电路，详细说明了使用方法和注意事项     

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．     

功率PHEMT的直流特性研究

描述了高电子迁移率晶体管的作用、工作原理及发展概况，叙述了器件特性。制作出了栅长为１μｍ的ＰＨＥＭＴ样品，它的最大跨导为１７０ｍＳ／ｍｍ，击穿电压为４Ｖ，最大电流密度为２７０ｍＡ／ｍｍ，阈值电压为１．５Ｖ。     

Nb超导量子结中AlOx—Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ），Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜ＡｌＯｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。     

可用比特率业务及其拥塞控制机制

通过ＡＢＲ业务同ＣＢＲ、ＶＢＲ和ＵＢＲ业务比较，描述了它的本质特性，然后分析讨论目前适用于ＡＢＲ业务的几种基于速率控制，闭环反馈形式的拥塞控制机制。     

1.3μm超辐射发光二极管制作和实验

通过在激光二极管端面底高减反膜，实现了辐射发光，制成了超辐射发光二极管，它在较宽的驱动电流范围（３３￣６８ｍＡ）内均呈现超辐射发光特性，对超辐射发光二极管特性进行了研究，实验表明，它的发射谱很宽，在输出功率达１ｍＷ情况下，谱线宽度仍达１５ｎｍ。     

IR8200单片式DMOS H电桥功率控制IC

ＩＲ８２００是ＤＭＯＳＨ电桥单片式功率控制ＩＣ，它将电极场效应管和控制逻辑电路集成一起，要控制额定电压为５５Ｖ，连续电流为３Ａ的负载，本文介绍了该芯片的工作特性，并给出了在四相直流马达控制中的应用。     

利用UAF42设计带阻滤波器的方法

文章介绍了美国ＢＢ公司的最新器件ＵＡＦ４２的主要特性与性能，利用它给出了设计带阻滤波器的计算公式，步骤及实例。     

HV—2405E型AC—DC电路的原理与应用

ＨＶ－２４０５Ｅ是美国Ｈａｒｒｉｓ公司生产的离线式ＡＣ－ＤＣ变换器，不需变压器即可把１１０Ｖ／６０ＨＺ或２２０Ｖ／５０ＨＺ的交流电转换成５－２４Ｖ的直流电，最大输出电流为２５０ｍＡ。本文详细介绍了它的内部结构、电路特性，给出了二个实用电路，详细说明了使用方法和注意事项。     

1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．