Hg（C4H8N2S）3Cl2晶体压电系数的测量

本文测量了Hg(C_4H_8N_2S)_3Cl_2晶体的压电系数,结果为:d_(33)=3.2,d_(31)=-0.2, d_(22)=2.9,d_(15)=3.3×10~(-12)C/N.     

LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

光折变晶体Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6压电系数和电光系数的测量

要用干涉法测最了光折变晶体Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6的压电系数和电光系数,结果为 d_(33)=108.9,d_(31)=-20.8,d_(15)=59.5×10~(-12)C/N;γ_(33)=184.2,γ_(13)=21.2,γ_(51)=-18.6×10~(-12)M/V。     

干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

铌酸钾单晶的非线性光特性

以YAG:Nd激光器详细研究了KNbO_3单晶的非线性光特性。测量了若干激光波长下的折射率。以Maker干涉法测量了单晶在室温下的非线性系数,结果如下:相对于石英的d_(11)而言,d_(31)=35,d_(32)=40,d_(33)=61。这些数值与铌酸钡钠(BNN)极为接近。测量了d_(ij)系数与温度的关系。确定了单晶临界和非临界相匹配条件。在室温下d_(31)和d_(32)系数均可达到临界相匹配。相匹配角的观测值与从折射率的计算值很一致。     

Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷的电致伸缩系数

本文在温度为-110— 100℃间,用应变仪、压电谐振和干涉技术三种方法精确地测定了Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷的电致伸缩系数Q_(33)和Q_(13).电极化强度与诱生应变之间甚至在铁电相和顺电相中都保持二次方关系.电致伸缩系数Q_(33)=2.3(±0.2)×10~(-2)m~4C~(-2)和Q_(13)=-0.64 (±0.05)×10~(-2)m~4C~(-2),该值几乎与温度无关.也测得了室温时场诱压电系数d_(33)和d_(31)随多流偏压的变化.d_(33)/ε_3和d_(31)/ε_ 3的值与诱生电极化强度成正比.从斜率计算的电致伸缩系数和用应变仪测到的完全一致.     

铌酸钾中近红外非临界相位匹配的二次谐波发生

在λ_(pm)=860毫微米处,利用非线性光学系数d_(32)=—40|d_(11)(SiO_2)|,观察了铌酸钾在室温下的非临界Ⅰ型相位匹配。把晶体温度提高到180℃时,相位匹配的波长就延伸到λ_(pm)=950毫微米。在室温下,当基波的功率密度I_ω=0.5兆瓦/厘米~2,晶体长ι=5.74毫米时,二次谐波发生的效率为15％。     

0.532微米泵浦的碘酸锂晶体中的参量振荡

碘酸锂(LiIO_3)晶体是一种负单轴晶体。作为非线性光学材料,它有许多优点:整个可见区至近红外区透明,非线性系数较高,d_(31)(LiIO_3)=11d_(36)(KDP),光损伤阈值达130兆瓦/厘米~2左右;较易于生长出大体积的光学性质均匀的单晶。     

Zn/Li掺杂PZT-PZN-PNN压电陶瓷的研究

采用传统固相合成法制备了Zn/Li掺杂的0.83Pb(Zr_1/_2Ti_1/_2)O_3-0.11Pb(Zn_1/_3Nb_2/_3)O_3-0.06Pb(Ni_1/_3Nb_(2/3))O_3(PZT-PZN-PNN)压电陶瓷,研究了不同含量的Zn/Li添加量对陶瓷的相结构、显微组织和电性能的影响。结果表明,随着Zn/Li掺杂量的增加,相结构由三方相向四方相转变;介电常数ε_r、压电常数d_(33)和机电耦合系数k_p均先增大后减小,而介电损耗tanδ和机械品质因数Q_m呈先减小后增大的趋势;当添加质量分数w(Zn/Li)=1%时,该压电陶瓷的综合性能最佳,即d_(33)=513pC/N,k_p=0.635,ε_r=1 694,tanδ=0.023 5。该材料有望用于制造低温共烧的叠层压电器件。     

光学双共振增强光电流光谱研究

本文利用YAG倍频激光器同时泵浦二台染料激光器研究Ne在空心阴极放电灯中1S_5-2P_6-4d_2,4d_3、4d_4、4d_5、4d_1~″和1S_3-2P_2-4s_1~′、4s_1″+4s_1~(′′′)、4s~(′′′′),光学双共振跃迁下的光电流光谱,获得了比单共振跃迁下光电流信号强约100倍的双共振增强光电流信号。固定一台染料激光器波长和1S_5-2P_6能级有不同的失谐量,另一台染料激光器波长在598.9nm附近(对应2P_6-     

高d_(31)高E_c压电陶瓷及其应用

本研究结果表明,ZNL_2压电陶瓷材料具有高的d_(31)和E_c值,其|d_(31)×E_c|值高达3.56×10~(-4),其K_p、K_(15)、d_(15)和温度稳定性均较高,是一种用途较广泛的压电陶瓷材料。目前,该材料在制造彩色录象机磁头自动扫描跟踪板、压电自控流量阀和切变加速度计等方面已获正式应用。     

BBC掺杂BSNN-BSZT陶瓷低温烧结性能的研究

采用传统的两步固相反应法制备了一种低温烧结的CuBBiO_4-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Ni_(1/3)Nb_(2/3))-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))(BBC-BSNN-BSZT)压电陶瓷,并研究了CuBBiO_4(BBC)掺杂量对陶瓷微观形貌、相结构、介电、压电性能和烧结温度的影响。研究结果表明,制备的陶瓷样品为单一的钙钛矿相,未发现其他杂相;掺杂的BBC低熔点化合物在烧结中提供适量液相,促进烧结,样品可在925℃烧结致密。该压电陶瓷材料的居里温度由158℃提升到230℃;当掺杂w(BBC)=0.75%(质量分数)时,陶瓷达到最佳压电性能:压电常数d_(33)=613pC/N,机电耦合系数k_p=0.7,介电常数ε_r=3 926,介电损耗tanδ=0.005 2,品质因数Q_m=70。居里温度T_C=227℃。     

能减小物镜口径的组合光学系统

在设计当中常遇到的减少激光束的发散度问题,一般都是采用伽利略望远镜系统这样的组合光学系统解决,而用开普勒望远镜系统是不适宜的,因为在这种情况下,把激光辐射聚焦在小面积上、会使能量大量集中,而使仪器在工作时可能击穿。但是仅仅采用伽利略望远镜系统成倍地减少光束的发散度,会大大增大组合系统的物镜口径。如果激光器发射端面到光学系统有大的距离,还会导致增大组合系统物镜的口径。例如:系统放大15倍时,激光器到光学系统的距离l=1600毫米,激光器端面的直径d_л=6.5毫米,由端面发出辐射张角2γ_л=25′,这时物镜口径达到d_(об)=280毫米;在l=700毫米时,d_(об)≈200毫米,这个数值由下面的公式决定:     

RbTiOPO_4晶体的电光性能

本文用干涉法测量了 RbTiOPO_4晶体的电光系数,结果为 r_(13)=9.7,r_(23)=10.8,r_(33)=22.5,r_(51)=-7.6,r_(42)=14.9(×10~(-12)m/V)。     

具有锥瓣形光波导的2-甲基4-硝基苯胺对Nd:YAG激光产生二次谐波

在最近几年,合成了具有极大的光学非线性的有机化合物。它们的非线性至少能与一般的非线性材料如磷酸二氢钾(KDP)或LiNbO_3相比或更大。本文研究中,采用2-甲基4-硝基苯胺(MNA)的薄晶片进行二次谐波产生的实验,MNA是用汽相生长法制备,它的非线性很大,SHG张量的最大分量d_(11)=2.5×10~(-10)m/V,品质因数比LiNbO_3大2000倍,在控温油槽(温度精度±0.1℃)内进行汽相生长。在密封玻璃管中,温度达到120℃,十天内生长出晶体。制出的MNA晶体是类似薄片的透射     

LAP晶体主轴电光系数的测量

用干涉法测量了LAP晶体的主轴电光系数,结果为:γ_(12)=0.3,γ_(22)=-0.5,γ_(32)=-2.3×10~(-12)m/V。     

《可靠性试验》思考题解答

一、解:已知N=44支,Δt=500小时,r(t)=7支,r(t+Δt)=9支。按照瞬时失效率公式计算1000小时失效率为λ(t)=(r(t+Δt)-r(t))/([N-r(t)]·Δt)=(9-7)/(44-7)(?)=2/(37×500)=1.08×10~(-4)/(小时)二、解:指数分布情形R(t)=e~(-λt)=e(-t/θ)=e(-100/1200)=92%正态分布情形查正态分布表得     

基于d_(15)模式的L型压电俘能器结构与性能研究

剪切模式压电俘能器利用较高的压电系数d_(15),理论上能够收集到更多的能量。该文设计了一种基于d_(15)模式的L型基座压电俘能器,通过有限元仿真分析与直立型结构进行了对比。结果表明,L型结构不发生谐振时的俘能性能与直立型结构基本相同,在很宽频带内均有稳定的能量输出;而在一阶模态频率,L型结构的输出功率有大幅增加。该文制作了L型基座d_(15)模式PZT-51压电俘能器,实测表明,压电俘能器的谐振频率为86 Hz,当加速度为2.5g(g=9.8m/s~2)时,在匹配负载203kΩ上输出功率为31.25μW,对应单位重力加速度下的功率密度为84μW·cm~(-3)。     

复合离子(NaCe)取代SrBi4Ti4O15陶瓷的介电、铁电、压电特性研究

利用普通陶瓷工艺制备了A位复合离子(NaCe)取代的Sr_(1-)_x(NaCe)_x_(/2)Bi_4Ti_4O_(15)(x=0.00～0.20)压电陶瓷,研究了(NaCe)对SrBi_4Ti_4O_(15)(SBT)陶瓷的介电、铁电和压电特性的影响。研究表明,复合离子(NaCe)的取代降低了SBT陶瓷的介电损耗tanδ,降低了SBT陶瓷的矫顽电场E_c,提高了SBT陶瓷的压电系数d_(33)。纯的SBT压电陶瓷的矫顽场E_c=94 kV/cm,复合离子(NaCe)取代的SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷的矫顽场E_c=70 kV/cm。随着复合离子(NaCe)含量的增加,SBT的压电性能先增加,然后减小。在x=0.10组分处,SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷具有最大的压电系数d_(33)=28 pC/N,约为纯的SBT陶瓷压电系数(d_(33)约15 pC/N)的两倍,其居里温度T_C为510℃。复合离子(NaCe)取代SBT陶瓷压电性能的提高归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的矫顽电场,使得SBT压电陶瓷更容易极化,从而发挥其潜在的压电性能。同时,压电性能的提高还归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的介电损耗和漏电流。材料的退火实验表明:复合离子(NaCe)取代的SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷在400℃以下具有较好的压电性能温度稳定性。     

Zr/Ti比及Sr掺杂对PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷性能的影响

采用固相烧结法制备了五元系PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷,通过X线衍射(XRD)研究了组分不同Zr/Ti比的相结构,并研究不同Zr/Ti比和Sr掺杂量对组分介电、压电性能的影响。研究表明,组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着Zr/Ti比的增加,组分的相结构由三方相向四方相转变,且组分的准同型相界位于r(Zr)/r(Ti)=0.98附近;在r(Zr)/r(Ti)=0.98的组分中掺杂Sr发现,随着Sr含量的逐渐增加,压电陶瓷的介电和压电性能先增加后减小,当x(Sr)=4.0%时,介电和压电性能出现极大值,即介电常数ε~T_(33)/ε_0=3 578,压电常数d_(33)=652pC/N,机电耦合系数k_p=0.81,品质因数Q_m=65,介电损耗tanδ=1.72%,居里温度T_C=191℃,且具有典型的介电弛豫特性。