TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析

γ－ＴｉＡｌ中所观察到的位错主要有（１／２）〈１１０］普通位错，（１／２）〈１１２］和［０１１］超点阵位错。Ｋａｄ等研究了ＴｉＡｌ合金层状组织层片界面的位错结构［１］，表明由于非１８０°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界，其中一类...     

激光表面合金化提高钛合金高温抗氧化性能的研究

采用Ａｌ＋Ｎｂ对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ进行激光表面合金化处理，在适当的工艺参数下，得到了ＴｉＡｌ３＋ＴｉＡｌ＋少量Ａｌ的合金化层，在９００℃空气介质中的氧化试验结果表明，激光合金化层在氧化时能够形成致密、连续的α－Ａｌ２Ｏ３保护膜层，对基体起到了良好的抗氧化保护作用     

原位TiC-AlN/Al复合材料中AlN/Al界面的微结构的研究

本文用透射电镜（ＴＥＭ）的衍技术和高分辨电镜（ＨＲＴＥＭ）研究了用原位固－气－液三态反应法制备的原位ＴｉＣ－ＡｌＮ／Ａｌ复合材料中ＡｌＮ颗粒与Ａｌ界面的微现组织结构，发现ＡｌＮ／Ａｌ界面两侧晶休的两个晶面存在平行关系；（１０１）ＡｌＮ／（１１１）Ａｌ。作者从金属固溶和金属结晶理论出发，分析了ＡｌＮ／Ａｌ界面微结构的形成机制，较好地解决了原位了ＴｉＣ－ＡｌＮ／Ａｌ昨合材料中界面结合较好的原因。     

γ-TiAl金属间化合物合金Ti-48Al-2Cr-2ZNb激光表面合金化组织与耐磨性研究

γ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金由于比强度、比刚度及高温力学性能优异,被誉为最有前途的新一代高温结构材料,耐磨性是其用作高温运动部件的性能之一。为提高γ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金的耐磨性,本文分别采用氮气及预涂ＴｉＮ粉、碳粉、ＴｉＣ粉等方法对Ｔｉ－４８Ａｌ－２Ｃｒ－２Ｎｂ金属间化合物合金进行激光表面合金化,成功地制得了分别以ＴｉＮ、ＴｉＣ等硬质耐磨相为增强相的、厚度可达０．６～２．５ｍｍ、表面平整无裂纹、内部组织致密均匀的快速凝固“原位”金属基耐磨复合材料表面改性层,初步优化出了相应的激光表面合金化…     

L12－（Al，Ag）3Ti向DO23－Al11Ti5相分解的电镜观察

Ｌ１２－（Ａｌ，Ａｇ）３Ｔｉ向ＤＯ２３－Ａｌ１１Ｔｉ５相分解的电镜观察田文怀杨海春根本实＊（北京科技大学材料物理系，北京１０００８３）（＊九州大学（日本））Ａｌ３Ｔｉ由于比ＴｉＡｌ具有更好的抗氧化性能，且具有密度小，熔点高（１３４０℃）的优点，作为新...     

钛合金的激光气体氮化研究

本研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的激光气体氮化，试验结果表明在激光功率密度大于５．０×１０＾４Ｗ／ｃｍ＾２，氮气压力为０．４ＭＰａ，通过激光辐射可在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金表面形成氮化钛。其氮化层的厚度为４００μｍ。在氮化层中存在大量氮化钛枝晶。其平均二次枝晶间距为１．７７μｍ。细小的氮化钛枝晶均匀地分布在氮化层中。最后测定和分析了氮化层的显微组织、相成份和显微硬度，并讨论了氮化钛的形成过程。     

新型AI金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验，得到其中值寿命相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律。     

磁隧穿振荡研究GaAs／AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合

报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好，良好的振荡特性可作为定量研究Γ－Ｘ耦合强度的灵敏的实验办法。     

TiAl中180°孪晶界面附近应力场的LACBED研究

ＴｉＡｌ中１８０°孪晶界面附近应力场的ＬＡＣＢＥＤ研究吴文涛，朱　静（治金部钢铁研究总院，北京１０００８１）ＴｉＡｌ金属间化合物具有低密度、高熔点。较高的高温强度和持久强度等性能，在航空航天领域有广阔的应用前景，但其室温塑性差，断裂韧性低，裂纹扩展速...     

激光熔覆TiC_p／Ni合金复合涂层中TiC颗粒的溶解析出行为与分布特征

在４５钢表面激光熔覆３０％ＴＩＣｐ／Ｎｉ基合金复合耐磨涂层，其组织由ＴｉＣ颗粒、γ－Ｎｉ固溶体枝状初晶及其晶间的Ｍ２３Ｃ６＋γ－Ｎｉ共晶组成。ＴｉＣ颗粒既分布在γ晶内，也可被固液界面推移至晶间与共晶共存。ＴｉＣｐ的形貌特征与其在激光熔覆过程中的溶解析出行为密切相关，其生长机制包括原位析出、桥接生长、独立形核生长和沉淀析出。     

在磁场中的Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长数值模拟研究

对垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统，用数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场、流场、浓度场及ｓ－ｌ界面产生的影响，介绍了边界条件的处理方法．结果表明，随着磁场强度的增加，熔体中的热对流强度逐渐减弱，ｓ－ｌ界面逐渐向上移动并趋于平坦．     

γ-TiAl金属间化合物合金激光表面合金化制备Al_2O_3/TiAl耐磨复合材料涂层研究

以镍包Ａｌ_２Ｏ_３粉末为原料对γ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金进行激光表面合金化,制得无裂纹、表面光滑、内部组织致密、厚度可达１．０ｍｍ、以快速凝固Ａｌ_２Ｏ_３硬质相为增强相的“原位”耐磨复合材料合金层,通过预热及缓冷可以消除涂层开裂现象。涂层与基体的结合为完全冶金结合,激光表面合金化后ＴｉＡｌ合金硬度及在滑动磨损及磨料磨损条件下耐磨性均大幅度提高。     

新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ｂ）两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验，得到其中值寿命（ＭＴＦ）相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流应力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律     

γ-TiAl单晶中<011]超点阵位错的分解及其核心结构

＾－［１５２］取向的γ－ＴｉＡｌ单晶（Ｔｉ－５６ａｔ．％Ａｌ）在屈服强度的峰温以下的主要形变方式是＾－（１１１）［０１１］起点阵位错滑移。［０１１］超点阵位错具有不对称的分解方式：［０１１］→１／２［０１１］＋ＡＰＢ）＋１／６＾－［１２１］＋（ＳＩＳＦ）＋１／６［１１２］;在低温,［０１１］位错大多在＾－（１１１）滑移面上呈平面型核心结构,而在呈现反常屈服现象的温度区域内,１／２［０１１］ＡＰＢ不     

1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法．     

PST双相TiAl类单晶中1／2〈112〉位错的行为

ＰＳＴ双相ＴｉＡｌ类单晶中１／２＜１１２］位错的行为洪建明赵晓宁刘毅林栋梁汪德宁陈达陈世朴（南京大学现代分析中心，南京２１００９３）（上海交通大学材料科学系，上海２０００３０）ＰＳＴ（ｐｏｌｙｓｙｎｔｈｅｔｉｃａｌｙｔｗｉｎｎｅｄ）双相ＴｉＡｌ晶体是...     

γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３     

Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型

本文较系统和全面地总结了ＧａＡ＿ｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａ＿ｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。     

Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响

本文描述了Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ肖特基接触的正向脉冲退化效应，探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时，势垒高度ΦＢ升高，直接影响Ａｌ栅ＭＥＳＦＥＴｓ的特性，导致Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ ＩＣ失效的机理。     

Nb超导量子结中AlO_x－Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ）；Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜Ａ｜Ｏｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。由Ｆｉｓｋｅ台阶电压，ＡＶＳ中的Ａｌ峰和Ｉ－Ｖ特性的畸变，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间由常态Ａｌ而引起的亲近效应的存在，并用ＭｃＭｉｌｌａｎ理论作了讨论。