市场动态

全球半导体产业在未来十年的发展趋势；多晶硅材料匮乏制约半导体市场增长速度；2006年将为半导体设备销售历史第二高；英特尔第三座65纳米工厂开张；四川飞阳光电集成芯片项目落户双流西航港……     

“电気化学工業”深耕中国市场

一年一度的中国半导体封装测试盛会6月初夏在无锡隆重举行。日本老牌材料供应商,电気化学工业株式会社以其卓越的产品价值,用心的经营理念在本次大会上留下了浓重的一笔,给广大客户带来耳目一新的感受。电氮化学的电子半导体材料在全球业界久负盛名；电子材料事业部对属铁也先生经理向我们介绍了电氮化学粉末材料在半导体封装领域的用途：SiO2在封装和塑料等领域做为基础材料或者填充剂，以其低黏度、高流动性和高渗透性为客户带来了最大的价值；半导体封装用高纯度球状氧化铝，电氮化学拥有50％的世界市场份额；氮化硼粉末以良好的耐热性、高热传导件、化学稳定性、     

半导体材料的霍耳测量

利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。     

压电半导体的极化处理及性能研究

极化处理是压电半导体材料制备及构件设计中的关键工艺,直接影响着其压电性能。根据夹层极化的方法,研制出一种多样性极化实验装置,解决了压电半导体的极化问题,并对极化后的GaN材料性能进行了系统研究。实验结果表明:(1)极化使GaN材料具备了压电性能,改变了其力电性能参数；(2)极化显著提高了压电半导体的导电能力,改变了其弯曲强度。     

行业动态

美国半导体产业协会董事会会议计划在北京召开；SEMI预测：封装材料市场销售将达195亿美元；Hicrochlp与BMW签订SmrtShunt技术专利许可协议；赛普拉斯PSoC器件销量突破5000万片；“飞思卡尔半导体”增资扩产项目获批……     

激光辐照改变功能材料物理性质

本文系统地介绍了近年来国内外应用激光辐射改变功能材料电、光、磁等物理性质的研究工作，涉及半导体材料、介电材料、高温超导材料和磁性材料等方面；分析了激光辐射改变材料物理性质的机理；讨论了该项技术的发展前景和存在的问题；指出；应用激光辐照技术，有选择地改变材料辐照层结构，以获得所需材料表层的物理性质，应是这一领域的主要研究目标。     

1991年日本电子材料产值

据日本电子材料生产者协会，(EMAJ)统计报告称，1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6％，达4450亿日元。其中；金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料，弹性材料、焊接材料，耐腐，耐热材料，电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3％；     

浅说半导体封装材料

本文阐述了半导体封装材料的进展情况,其中包括半导体封装材料市场在整个电子材料市场中所占的比例,以及半导体封装材料随半导体封装产业的发展所取得的研究成果。     

第三代半导体材料发展前景分析

半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导体材料的特性、国内外研发趋势、现存问题,为第三代半导体材料发展提供改进对策,为第三代半导体材料发展前景提供参考。     

冷静思考我国半导体工业的发展

全球半导体工业成长趋缓90年代半导体工业发展的年均增长率达17%，远高于其它传统工业，情况堪称良好。然而，近两年来，今非昔比，除了Intel、三星及台积电等超级公司外，许多公司开始赔钱，不利消息，接踵而至，AMD,Micron,Chartered,Motorola纷纷告急，连历来业绩优秀的美国应用材料公司，今年1季度也赔了6600万美元。原因何在？比较经典的有：① 半导体工业发展放缓，降为7至10%；② 电子产品市场趋向饱和；③ 价格竞争加剧；④ 投资回报率下降；⑤ 缺少关键应用产品。新情况，新思路● ASIC技术水平超前吸收能力4年回顾半导体工…     

半导体材料研究的新进展

首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述.最后,提出了发展我国半导体材料的建议.本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se.CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等.     

稀土掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究进展

GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁磁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景。系统地介绍了制备方法对稀土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料铁磁性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁磁性的起源,介绍了除Gd以外的稀土离子掺杂GaN基稀磁半导体材料中的铁磁性,以及共掺杂对GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的影响。目前,GaN基稀磁半导体材料的铁磁性仍无法满足半导体电子自旋器件的要求。共掺杂工艺可以有效地解决稀土离子掺杂引入的较大晶格应变,促进自旋电子之间的交互作用,是一种改善GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的有效途径。     

CCL覆铜板基材

PCB原材料商仍在不断扩建工厂；工研院评估CCL出口退税下调影响；投资5000万美元台耀赴广东中山设厂；日立化成投产超薄半导体封装底板；高盛将建滔积层板加入亚太区买入名单；     

脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究

研究了强激光辐照半导体材料Insb时的热输运、自由载流子输运和光子输运过程,探讨了激光对半导体材料的损伤机理。为半导体材料的辐射效应和抗辐射加固技术提供了一个理论证据。     

半导体材料

改进功能半导体材料的电学、光学、磁学特性，有利于提高微电子、光电子器件的性能。本文概述了近年来半导体材料的国内外发展状况，提出了半导体材料的发展重点和发展建议。     

半导体产品用材料市场大观

电子器件是所有电子设备的核心,而半导体材料则是电子器件的基础。材料的进步又是牵引电子器件发展的重要动力。晶体管被通俗地叫做半导体,就因为它是使用半导体材料制成的。没有半导体材料,便没有今天的分立器件和集成电路。正是半导体材料Ge(锗)放大作用的发现,开辟了半导体材料新的一页,创造了固体器件的崭新时代,形象地称为新石器时代。Si(硅)是今天使用最多的半导体材料,随着晶体管结构、微细化技术和多层布线技术的应用,集成电路达到了高速度、低功耗、大容量、高集成等特性。Si圆片尺寸正向12英寸(300mm)过渡,目前还在开展铜布线、…     

中国半导体专用材料市场实现高速增长

近年来，得益于国家政策的支持和半导体产业新一轮发展高峰的带动，中国半导体产业实现快速发展。在半导体行业发展的强势拉动下，半导体专用材料行业也取得了高速发展，2004年中国半导体专用材料市场规模达到了173．4亿元，与2003年相比增长了82．9％。2000—2004年间，中国半导体专用材料年复合增长率为42．6％。     

激光技术与应用

纳米光子集成激光器;光纤激光器用集成Sagnac环形反射镜电路;高功率半导体激光器和半导体光放大器的热学研究;光束组合的高功率片状耦合光波导激光器阵列的封装;基于InGaP／InGaAlP材料的可见微盘形激光器和光子晶体激光器;2．3μm高亮度GaSb基光泵浦半导体盘形激光器；     

化合物半导体特性及封装工艺控制

当今世界信息化进程日新月异,化合物半导体由于它独特的特性而得到快速的发展,已成为现代信息技术的基础材料。本文详细阐述了半导体材料发展历程、分类,第二代、第三代化合物半导体特性及封装工艺控制。讨论对比了不同化合物半导体材料差异与性能优缺点、应用领域和发展前景。从环保安全、工艺应用、工艺控制、封装材料选用等方面总结了化合物半导体封装工艺控制的关键要求。     

电子科学技术中的半导体材料发展趋势

电子科学技术当今渗透于我们生活中的各个领域,它引领着当前新兴技术产业的发展脚步,作为电子科学技术发展基石的半导体材料迭代发展,它决定了当今电子工业产业的走势.从第一代半导体材料硅、锗等代表性半导体材料的发展到当今碳化硅、氮化镓、氧化锌等第三代半导体材料的深入研究,它们都遵循着半导体材料朝着高集成度、低特征尺寸、更宽的禁带宽度等方向进行发展.