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目前,半导体器件及电路已经广泛地应用在通信、雷达、遥控遥测、电子计算机、航天技术、工业自动化控制及各种仪器表中。这些领域对半导体器件及电路的可靠性提出了愈来愈高的要求。 相似文献
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本文详细介绍了两种低温烧成96%Al_2O_3陶瓷的配方及制作工艺,讨论了其低温烧成原理和需采用的相应工艺技术。 相似文献
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采用大功率CO2激光器合成出了Al2O3-WO3陶瓷材料。测量其阻-温特性表明合成样品具有线性的NTC热敏电阻特性,微观分析结果证明激光合成样品由Al2O3、WO3、Al2(WO4)3、AlxWO3四相组成,而起导电作用的是AlxWO3这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Al2O3-WO3陶瓷材料所得试样没有线性的NTC热敏电阻特性。 相似文献
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以高纯的硫酸铝氨分解的无定形Al2O3为原料,MgO-Y2O3为烧结助剂,在N2气氛下热压烧结制备Al2O3陶瓷。研究了烧结助剂掺量对Al2O3材料的相组成、显微结构、烧结性能、力学性能、热导率和介电性能的影响。结果表明:所制Al2O3陶瓷具有细晶的显微结构特征和超高的抗弯强度。随着MgO-Y2O3掺量的增加,晶粒尺寸、抗弯强度和热导率先增大后减小,而介电损耗则呈现先减小后增大的变化规律。当MgO和Y2O3掺量均为质量分数2%时,Al2O3陶瓷呈现为较佳的综合性能:抗弯强度达最大值为603 MPa,热导率为36.47 W.m–1.K–1,介电损耗低至6.32×10–4。 相似文献
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本文介绍用离子辅助淀积法制作的Ta_2O_5和Al_2O_3薄膜的特性。测量了用不同的离子能(300、500及1000eV)和离子流密度(0~200μAcm~(-2)轰击制作的膜的折射率和消光系数。 相似文献
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本文介绍用2.0兆电子伏的He~ 离子反向散射测量技术来测定能量为150~300千电子伏的锌、镓、砷、硒、镉、碲离子注入到SiO_2、Si_3N_4和Al_2O_3中的射程分布。测得的投影射程均比LSS理论计算值大至1.2—1.5倍。用归-化的LSS单位,在实验误差之内,投影射程ρ_p和能量ε之间的关系可以写为ρ_p=2.7ε。这个关系式对于算术平均原子序数为10和算术平均原子质量为20的离子都适用于上述三种靶。 相似文献
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采用1 500℃高温熔融水淬制得K2O-(n-x)B2O3-xSiO2玻璃粉,掺入Al2O3陶瓷填充料来制备K2O-(n-x)B2O3-xSiO2/Al2O3低温共烧陶瓷介质材料。系统研究了玻璃基中SiO2/B2O3比例变化和玻璃掺入量对玻璃/陶瓷材料结构和性能的影响规律。研究结果表明,B2O3含量增加抑制了玻璃Y中SiO2析晶,使复合材料的介电常数、介电损耗在一定程度上有所减小,复合材料的抗弯强度也有一定程度的减小。 相似文献
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所谓Mo-Mn法和纯Mo法是通过金属化、镀Ni和其后硬焊而形成的陶瓷和金属气密封接的方法.关于Mo-Mn法Al~2O~3瓷和金属的封接,作者在以前的文章中业已报导。本文所研究的是用含MnO的92%Al~2O~3的圆片,以纯Mo法对可伐另件进行了封接。并研究了封接层的抗张强度和封接件的真空气密性. 用光学显微镜和电子扫描显微镜以及电子探针对封接层进行了检验. 为了解纯Mo法的封接机理,石英玻璃和Mo箔的封接也附带地进行了观察。本文所得的结果如下: (1)当1400-1400℃/60分进行陶瓷金属化时,获得了最高的封接强度和最好的真空气密性。 (2)封接处是按下列顺序的多层所组成:陶瓷-金属化层-镀Ni层-硬焊料层-镀Ni层-可伐。在Mo-Mn法的封接中,看到了陶瓷和金属化层之间的中间层。而在纯Mo法中,则认为是不存在的. (3)在石英玻璃-Mo箔封接中,Mo金属表面层被氧化,如此形成的Mo氧化物扩散到石英玻璃中而形成了过渡层,从而十分有利地降低封接应力和改善粘结 (4)SiO~2-MnO-Al~2O~3系统玻璃相和Ni填充了Mo金属化层的孔隙;前者来自于陶瓷体,而后者来自于镀Ni层。这些物质的浸润和相互扩散得到了强固的和真空气密的封接层。 相似文献
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本文叙述了一种高透明度(94.1~96.0%)、低温烧结(1700℃)和快速烧结(四小时周期)的AI_2O_3透明瓷的配方和工艺。确定了固相扩散的烧结模式。对烧结初期进行了理论计算。应用SEM、XPS和IMMA等对陶瓷断面进行了分析,确认陶瓷致密化的基本原因是固溶体机理。 相似文献
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综述了日本近10多年来α-Al2O3粉体的发展状况。特别介绍了日本对α-Al2O3粉体的标准化工作。这对提高电子陶瓷等产品的质量是非常重要的。 相似文献
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采用固相反应法制备了(Bi2–xNax)(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Na+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷烧结性能、显微结构和介电性能的影响。替代后样品的烧结温度从960℃降至约880℃;当替代量x≤0.20时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,随替代量进一步增加出现立方相;温度为–30~+130℃,替代后样品出现明显的介电弛豫现象,弛豫过程中的激活能约为0.40eV。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷的介电弛豫现象作出简要解释。 相似文献
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Ti:Al_2O_3可调谐激光器模式研究 总被引:3,自引:0,他引:3
从高斯光束的理论出发,研究了Ti:Al_2O_3激光器中各参数间的相互关系,引入了Kerr非线性透镜效应的影响。根据理论分析的结果,设计可调谐谐振腔,获得了最大可调谐输出能量77.3mJ,波长可调谐范围650~1039nm,光束发散角约为1mrad的TEM_00模激光输出。 相似文献