Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C－V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明：溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。     

Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTeMIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.     

长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.     

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe+ZnS）钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能．通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流．通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因．     

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.     

外延HgCdTe n-沟道MIS场效应晶体管

用在CdTe衬底上外延生长的HgCdTe制备了MIS场效应晶体管。平面n沟道场效应晶体管用ZnS作绝缘层,同时通过注入Be离子形成源和漏区。在77K时表面迁移率为7×10~3厘米~3/伏秒。     

Hg1-xCdxTe长波光伏探测器的低频噪声研究

在同一Hg1-xCdxTe晶片上（x=0．217）制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe＋ZnS）钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试．发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因．并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM（reciprocal space mapping）研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因．     

HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)

介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化 单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．     

真空科学与技术专利文摘

本文概述了薄膜场致发光器件的结构,在掺杂半导体(Zns:Mn)的两外表面活化层之间配置绝缘层(Y203)。与ZnS:Mn的一个表面层接触的是金属电极,而与ZnS:Mn另一个表面层接触的是透明电极。同时在玻璃基体的表层支柱上形成组合结构。场致发光现象开始发生在交变电压作用于横跨电极的界面层上。该结构的抗损性很大,其原因是紧靠着电极的ZnS:Mn活化层起着限制电流的作用,可以防止金属电     

HgCdTe MOS结构势垒光电动势的研究

在已经报道过的有关Hg_(1-α)Cd_αTeMOS结构电物理特性的实验研究和理论研究的文献中,用作介质层的有简单的ZnS薄膜,也有由薄薄的自生氧化膜和ZnS薄膜组成的双层结构。有许多文献还引证了阳极氧化薄膜的参数及金属一阳极氧化薄膜一半导体(HgCdTe)电容电物理特性的研究结果。本文的目的是,获得具有阳极氧化薄膜的HgCdTe MOS结构,并研究其光电特性:势垒光电动势与偏压、温度之间的关系。实验所用的材料为n型及p型HgCdTe     

改进ZnS:Mn交流薄膜电发光器件的稳定性

已采用多种方法来增加ZnS:MnACTFEL显示器的亮度-电压的稳定性。方法之一是在一个或两个荧光粉/绝缘体界面上附加一个CaS层。另一种方法是在第二绝缘层沉积之前对ZnS进行氧处理。经亮度-电压老化实验和潜像实验,观察到器件性能有重大改进。     

Hg1-xCdxTe光伏探测器的钝化研究

用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性,在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能。     

采用绝缘钛酸钡陶瓷片的ZnS:Mn低电压驱动薄膜电致发光器件

在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压为20伏时,所得到的亮度为1尼特。本文达到的最高亮度和发光效率分别为6300尼特及约11流明/瓦。有一个器件在60赫,100伏电压的驱动下,其亮度为200尼特。     

HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究

报道了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果.系统地介绍了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,Br2-CH3OH与HgCdTe化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制.阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdTe光伏器件电学特性的影响.     

ZnS-HgCdTe钝化膜表面及界面的研究

对ZnS薄膜进行了深入的研究,发现HgCdTe表面经抛光、腐蚀及钝化处理后,ZnS-HgCdTe界面过渡区内缺Cd、Hg,而在HgCdTe表面预先阳极氧化一层氧化膜能改善过渡区状况。在俄歇电子能谱(AES)和X射线电子能谱(XPS)的测量过程中对元素的灵敏度因子进行修正,使两者结果趋于一致。     

资料简介索引

红外技术7001 HgCdTe光电二极管制法Method of forming a mercury cadmium tellu-ride photodiode, Toivo Kochler, Honeywell Inc.,USP 4 206 003(Jan. 1979).制备HgCdTe光电二极管的方法包括紧贴n型HgCdTe 光电二极管体的第一表面形成一累积层,在紧贴第一表面的n型HgCdTe体上形成一P型区。7002二次价带和谐振态对非掺杂Pb_(1-xSnxTe)输运的影响Effects of a second valance band and reso-     

SrS:Ce,K蓝色薄膜电致发光器件中的记忆效应

近些年来,人们已经发现减土硫化物如SrS和CaS可能是用于彩色薄膜电致发光(TFEL) 的较好的基质材料。为了实现具有大量家元和较高亮度的矩阵显示,一个重要并且必需的特性是在ZnS:Mn TFEL器件中所观察到的那种固有的记忆效应。但直到现在仅有几篇关圩碱土硫化物TFEL器件记忆效应的报导。本文报导了SrS:Ce,K蓝色TFEL器件的固有的记忆效应。这种TFEL器件由一个夹在两个绝缘层之间的SrS:Ce,K EL发光层组成。SrS:Ce,K层夹在两个ZnS层中间,ZnS层的作用是保护SrS:Ce,K层。为了制备有效的SrS:Ce,K发光膜,采用     

类ZnS碱土硫化物的电致发光

在 RF 溅射的样品上观察到了已报导 SrS:Ce~(3+)和 CaS:Eu~(2+)最高效率的电致发光。其雪崩特性显示出无损耗电子加速的类 ZnS电光特性。一、引言对于夹在两个绝缘层之间的交流驱动ZnS:Mn 薄膜的电致发光,人们相当了解,近年来已有很详细的评论。目前已投产的这种黄色发光器件的高效率是基于以下事实实现的,即 ZnS 和 ZnSe 具有无损耗加速高场电     

使用高介电常数多层陶瓷衬底的新型薄膜电致发光器件

已研制成功一种使用多层薄膜和陶瓷衬底的新型复合结构交流电致发光器件.发光薄膜(ZnS:Mn)和ITO电极淀积在一块由高电介质陶瓷绝缘层(e_s～10~4),内部印刷电极和陶瓷基板构成的多层陶瓷衬底上.这种器件具有工作电压低(40-80V),无击穿故障,清晰度高的特点.     

高亮度场致发光器件

日本夏普公司采用独立的发光层研制成高亮度的绿色、红色场致发光器件。为了使场致发光器件多色化,该公司通过在 ZnS层中掺杂稀土类元素的氟化物得到了特有的发光颜色。掺杂的元素是 ZnS:TbF_3(绿色)和 CaS:Eu(红色),实现了场致发光器件的高亮度化。绿色场致发光器件的构造是:在玻璃衬底上形成透明电极、绝缘膜、激发层、绝缘层、反向电极;通过在氩气中溅射各自的混合粉末形成发光层,选择由 SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3、Y_2O_3等组成的单层或复合膜作为上下