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从炸药装药的瞬时爆轰产物飞散理论出发,根据动量守恒原理得出药型罩装药形成爆炸成型弹丸的速度计算模型,并根据装药高度与
直径之比对弹丸速度的影响修正了计算模型。应用该计算模型计算了大锥角药形罩和球缺药型罩装药形成的爆炸成型弹丸速度,计算结果与实
验和数值模拟得到的结果吻合较好,此速度计算模型适合于工程应用。 相似文献
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采用数值模拟方法计算了两种不同装药结构的89型震源弹在10.0、21.0 mm和32.0 mm不同间隙下对套管的侵彻伤害程度,并对满足技术要求的方案进行地面模拟侵彻套管和震源枪模拟井试验。结果表明:在10.0 mm间隙下,数值模拟计算侵彻深度比试验结果深1.7 mm;在21.0 mm和32.0 mm间隙下,数值模拟和试验的侵彻深度相同,说明了数值计算结果与试验结果吻合性较好。新设计的震源弹在震源枪身形成平均直径为22.3 mm的孔眼,满足向地层迅速释放爆炸能量、激发地震波且不损伤套管的要求。 相似文献
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摘 要:爆炸成型弹丸(Explosively Formed Projectiles,简称EFP)垂直高速冲击603装甲靶板实验,呈现了靶板入口卷边花瓣状破坏、出口具有拉伸断裂特征的外翻花瓣形穿孔、入口直径明显大于出口直径等宏观的冲击现象。为了从机理上研究EFP对装甲靶板的高速冲击效应,利用ANSYS/LS-DYNA动力学仿真软件,对整个冲击过程进行了数值模拟,再现了EFP形成、开坑、稳定侵彻、尾翼侵彻和冲塞贯穿的物理过程,模拟结果与实验现象吻合较好,并从原理上分析了实验中各宏观现象产生的原因。研究结果不但认识了EFP冲击装甲靶板的机理,也可为增强装甲防护能力和优化EFP设计提供理论参考,具有重要的现实意义和较高的工程应用价值。 相似文献
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为了解结构发生突发性爆炸后,对周围环境及生命财产安全所造成的危害,综合应用各种计算机数值仿真技术,对爆炸中所产生的碎块在空气中的飞行过程及其散布特性进行了数值模拟.数值模拟以LS-DYNA程序对结构的爆炸实时响应模拟结果为基础,采用自行编写的C++程序进行碎块飞行和散布的计算.碎块自由飞行时所受到的空气阻力与其速度的平方成正比,在各试验结果的基础上,对碎块的阻力系数提出合理的假设,并应用于阻力公式及运动方程.在进行碎块散布特性的统计分析时,提出了一些重要的统计分析数据项及方法,这些统计结果和方法将有助于理性地了解结构物爆炸所造成的危害. 相似文献
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为了保障露天煤矿高温爆破施工的安全,设计了一种自适应型耐温护筒炸药。首先进行了耐热防护结构的设计,即在柔性耐温隔热护筒中不耦合装填炸药卷并在间隙内充填水凝胶,实现外层护筒先隔热,内层水凝胶再吸热的热防护机理;其次,在护筒上部布设自动泄压孔,通过装药时自适应型耐温护筒炸药间的挤压使多余水凝胶从泄压孔挤出,实现内部装填炸药卷间距的自动调节;最后,进行投掷实验、传爆实验和工艺实验,论证设计方案的可行性和可靠性。实践证明,所设计的自适应型耐温护筒炸药能够满足高温爆破安全、高效施工的要求,值得推广应用。 相似文献
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为了研究低成本抗震节能结构体系,进行了以建筑垃圾为骨料的再生混凝土力学性能试验。对再生混凝土剪力墙进行了拟静力试验,分析了以建筑垃圾为骨料的再生混凝土剪力墙承载力、破坏形态以及滞回特性。提出一种隔震装置以及装配式结构,通过模拟地震动振动台试验分析隔震结构在地震作用下的抗震性能并检验隔震装置的有效性。结果表明:再生混凝土的力学性能随着聚丙烯纤维的加入而提高;再生混凝土剪力墙具有较高的抗震性能和承载能力;装配式结构洞口处和墙柱连接处为薄弱部位,地震作用下洞口处裂缝呈现 X 形分布,墙柱连接处几乎形成贯通的裂缝。在不同地震波作用下,隔震后结构沿高度方向上的振动趋于整体平动,表明该隔震装置对于结构隔离地震作用具有一定的效果,但该隔震装置的隔震效果与输入地震波的频谱特性有关,设计时,需要选择适当的场地。 相似文献
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重力式挡土墙与格构式框架护坡组合是典型的高边坡支护方式,其地震作用下的动位移和动应变响应特性是颇为关注的问题,为此设计了一个比尺为1:8的边坡模型,开展大型振动台试验研究。试验结果表明:支挡结构只在水平向地震波作用下产生水平向的动位移响应,X向激振下的动位移负峰值和XZ双向激振下的动位移正峰值较小。当激振加速度 ≤0.6g时,在X向或XZ双向激振下,动位移正峰值和负峰值基本相同,当 >0.6g时,X向激振时动位移正峰值大于负峰值,而在XZ双向激振时负峰值大于正峰值。在X向或XZ双向激振下,当 ≤0.6g时永久位移响应幅度较小,而当 >0.6g时响应强度急剧增大。XZ双向激振时永久位移量稍大于X向激振且方向相反。重力式挡墙的动位移模式为平移与转动的耦合,且动位移模式的变化与地震动方向、烈度相关;格构式锚杆框架梁的动位移模式为平移。在水平向地震波作用下,重力式挡墙墙顶和框架梁产生较大的正向动应变响应。 相似文献
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Base isolation is one of the most promising alternatives among the structure control methods. In recent decades, base isolation has been seriously considered for civil structures, such as buildings and bridges, subjected to ground motion. The research achievements and development of seismic base isolation technique for civil structures in Huazhong University of Science and Technology (HUST) are introduced. The achievements include project applications, experimental research results and theoretical innovation. 相似文献
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Stochastic modeling of earthquake occurrences and estimation of seismic hazard: a random field approach 总被引:1,自引:0,他引:1
A random field model is developed to describe the occurrence of earthquakes in the space–time domain. The general theory of stationary random functions is utilized to assess the seismic hazard associated with linearly extending faults. The spatial and temporal correlation characteristics of the strain energy random field are taken into consideration explicitly and particular emphasis is given to the analysis of the correlation structure based on the concepts of scale of fluctuation and variance function. An equation to evaluate the earthquake occurrence probability for spatially varying shock origin is derived under the Gaussian and lognormal random field assumptions and considering rectangular and elliptical rupture shapes. The past earthquake occurrence data associated with the most active portion of the North Anatolian Fault Zone (NAFZ) are compiled and used to show the implementation of the proposed random field models. 相似文献
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G. A. Tarnavskii 《Journal of Engineering Physics and Thermophysics》2008,81(5):1038-1049
For one production segment of designing semiconductor materials with given electrophysical properties, computer simulation
of a number of basic technological physicochemical processes has been performed. With the use of high-resolution algorithms,
the dynamics of thermal oxidation of the base material (silicon) and the evolution of the SiO2/Si and SiO2/O2 oxide film interfaces have been investigated. Simulation of the process of segregation of the acceptor and donor dopants
(boron and phosphorus) in the base material at the SiO2/ Si oxidation wave front has been performed. For the “trench”-type geometry of the substrate surface, the distributions of
boron and phosphorus concentrations have been obtained. It has been shown that the uniform (at the initial instant of time)
distribution of dopant concentrations in the base material transforms to a distribution of narrowly-localized (of width about
65 nm) high-intensity peaks. Such nanostructures of donor and acceptor impurities in the substrate provide the required semiconductor
electrophysical properties of the material.
Translated from Inzhenerno-Fizicheskii Zhurnal, Vol. 81, No. 5, pp. 994–1004, September–October, 2008. 相似文献