MOVPE生长GaAs／AlxGA1—xAs超晶格及其TEM表征

报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等.     

InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化

利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)     

一种新的非均匀减薄法选择阳极氧化法

提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n+-n-n++GaAs高低结雪崩二极管的n+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。     

用MOVPE法制备高性能InP基质光电器件

本文首次讨论了常压下MOVPE生长技术在大批量生产InP基质光-电器件方面的应用,并介绍了材料目前的质量、大面积均匀性、器件性能、产率及可靠性等方面的情况。结果表明用MOVPE技术生长InP基质的器件已从研究开发阶段向大批量生产过渡。     

用原子层外延技术生长异质结器件

原子层外延(ALE)是金属有机化合物气相外延生长的一种方式。用这种方法并用单层沉积工艺实现了自限单层超薄外延层的均匀生长。本文介绍了用ALE生长GaAs、AlAs单晶及GaAs/AlGaAs异质结和器件。得到的数据证明了ALE生长超薄膜层的单层均匀性。还讨论了生长速率对反应物流量和温度的依赖关系。对ALE外延层厚度进行解理角(Cleaved corner)透射电镜(TEM)分析,证明沉积过程具有“数字式”特性。ALE法生长的GaAs量子阱的低温光致发光(FL)呈窄线本征发光,其线宽可与用常规MOCVD法生长器件的最佳值相媲美。具有ALE生长有源区的量子阱激光器的阈值电流低至400A/cm~2     

微波GaAs场效应晶体管的高成品率、可重复的制造技术

<正> 一、引言未来的微波系统需要高重复性的低成本的 GaAs 场效应管。这些严格的性能要求和这样的系统的苛刻的工作环境使得用目前的制造技术难于大量生产这些器件。为满足性能和成本的要求曾采用了一些材料生长和器件制造上的改革,本文将予以叙述。二、均匀的有源层由于 GaAs MESFET 的夹断电压直接取决于片子加工前有源沟道层厚度和掺杂浓度,在大面积衬底上制造均匀器件,这些材料的均匀性和重复性具有决定性作用。为此,我们发展     

红外探测器用MOVPE生长Cd_xHg_(1-x)Te的最新进展

在英国用MOVPE(金属有机汽相外延)法生长红外探测器用的Cd_xHg_(1-x)Te已研究了将近十年。首次报导采用MOVPE法生长碲镉汞是在1981年,随后取得了一系列的重大进展,诸如IPM(互扩散多层工艺),在选择衬底上生长、选择烃基碲tellurium alkyls)以及由少数人命名的光-MOVPE。目前、英国人认为MOVPE在降低生长温度、生长多层结构及控制掺杂方面可取代块状或液相外延生长碲镉汞     

MOVPE生长Hg1-xCdxTe薄膜的实验研究

采用金属有机化合物汽相外延法(MOVPE)和多层膜互扩散生长工艺(IMP)在不同的生长条件下生长了许多Hg1-xCdxTe/GaAs(211)薄膜样品,并对样品进行了傅利叶红外透射(FTIR)和范德堡Hall测量;通过对许多实验数据进行系统的对比分析,总结了薄膜的生长规律,并对这些生长规律作出了理论分析,阐释了薄膜的微观生长机制.     

采用离子束蒸发的GaAs薄膜外延生长

<正> 一、前言化合物半导体GaAs与元素半导体硅相比,有如下不同点,如电子迁移率高和电子在导带-价带之间跃迁时其电子动量不变等,因此被广泛用作硅所不能实现的高速器件材料和光电器件材料。一般来说,GaAs器件都是制作在GaAs薄膜表面层上,而这层薄膜是在水平布尔兹曼法或直拉法制作的GaAs衬底上外延生长的。这种GaAs薄膜过去大都采用LPE法或VPE法生长,     

自组织量子点的优化生长

在不同生长条件下,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量.通过对生长条件的优化,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件,这对于自组织量子点在器件方面的应用,比如量子点红外探测器和量子点激光器,是非常重要的.同时,还与优化的InAs/GaAs生长条件进行了比较.     

自组织量子点的优化生长

在不同生长条件下,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量.通过对生长条件的优化,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件,这对于自组织量子点在器件方面的应用,比如量子点红外探测器和量子点激光器,是非常重要的.同时,还与优化的InAs/GaAs生长条件进行了比较.     

在光电集成电路中起双极晶体管和注入激光器作用的GaAs/AlGaAs双异质结器件

研制成一种起横向注入激光器作用的GaAs/AlGaAs双异质结双极晶体管(DHBT)。DHBT的外延层用金属有机物汽相外延法(MOVPE)生长。实验揭示室温下晶体管的电流增益大约是10,脉冲光激射阈值为230mA。     

GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.     

In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质

提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层.由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究.     

Si衬底上生长GaAs的技术

最近国外成功地用分子束外延法在Si衬底上生长出高质量的GaAs多晶.他们在3英寸Si衬底上研制出基极调制掺杂GaAs FETs(MODFETs),MESFETs和异质结双极晶体管,还成功地利用这项技术将SiMOSFETs与GaAsMESFETs进行集成.用Si作衬底生长的GaAs MESFETs跨导及夹断电压等性能均好于在GaAs衬底上制造的器件性能.     

砷化镓中的锡扩散

一、序言砷化镓中的 n 型杂质,已知的有 T_e、S、Si、Sn 等。在制作器件的时候,n 或 n~ 层几乎都是采用外延生长法形成的。这是因为外延生长比扩散法温度低,并且可以制得优质的单晶(在300°K 下,μ=7000～8000厘米~2/伏秒,n=10~(14)～10~(15)厘米~(-3))。然而,在外延生长法中,用目前的技术要把 GaAs 外延层厚度控制为1～2μ重复性相当差。对单晶的要求不太严格时,用扩散法制备很薄的 n~ 层是很有效的。有关 GaAs 中扩散的报告,谈的几乎都是 p 型杂质 Zn 的扩散。之所以致力研究 Zn扩散,是因为它可以在外延生长温度或更低的温度下进行。而用外延生长法很难制得优     

多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究

GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响.采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm.在77K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因.     

共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.     

共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.     

用于砷化镓功率MES FET器件的优质多层汽相外延材料的制备

本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n~+层的外延材料用于功率GaAs MESFET器件的研究。所生长的优质多层GaAs VPE材料,用于MESFET功率器件获得良好的结果,在15GHz下输出功率≥1W,相关增益≥5dB;18GHz下,输出功率≥600mW,相关增益≥5dB。