磁场中准二维强耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了磁场中无限势垒量子阱内电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态,得到了磁极化子的振动频率和自陷能随量子阱宽和磁场变化的规律.对CdF2/AgCl量子阱进行了数值计算,结果表明,磁极化子的振动频率和自陷能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,但不同支声子与电子和磁场相互作用对磁极化子的振动频率和自陷能的贡献大不相同.此外,对以上现象进行了分析和解释.     

自旋对强耦合表面磁极化子自陷能的影响

应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明：λ0随磁场B的增加而增加;当ms＝－1／2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。     

强耦合二维磁极化子的内部激发态

研究二维磁极化子内部激发态的性质。采用么正交换和线性结合算符方法。计算晶体中二维磁极化子的第一内部激发态能量及振动频率，并对2种极限情况进行讨论，以晶体AgCl为例作了数值计算，结果表明，二维磁极化子的第一内部激发态能量和振动频率随磁场B的增加而增加。     

自旋对强耦合表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符法导出了极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率、有效哈密顿量和诱生势。讨论了电子自旋对强耦合表面磁极化子性质的影响。     

稳恒磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合磁极化子的有效质量

采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了磁场中极性晶体膜内电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合磁极化子的有效质量,得出了磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加,最后趋于一个稳定值,随磁场的增加而增加。     

半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质

首次采用线性组合算符结合改进的LLP幺正变换的方法,研究了电子与体纵光学声子强耦合情况下半导体量子阱中磁极化子的性质。导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能与阱宽和回旋共振频率的变化关系。对RbCl量子阱进行数值计算,结果表明：强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率的增大而增大。振动频率和自陷能随阱宽的增加而增大;基态能量随阱宽的增加而减小,且在阱宽较窄时,表现出奇特的量子尺寸效应。     

自旋对半导体量子点中强耦合磁极化子性质的影响

在考虑电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了半导体量子点中强耦合磁极化子振动频率、基态能和基态结合能的性质.数值计算结果表明:电子自旋使磁极化子基态结合能分裂为二Eb(1/2)和Eb(-1/2),其间距与外磁场B成线性关系.当回旋共振频率小于和大于10倍声子振动频率时,Eb(1/2)随B的增大分别缓慢和迅速减小.当回旋共振频率小于和大于20倍声子振动频率时,Eb(-1/2)随B的增大分别迅速和缓慢增大.当回旋共振频率为440倍声子振动频率时,Eb(-1/2)取最大值为44倍声子能量.之后Eb(-1/2)随B的增大逐渐减小.随着磁场的加强,电子自旋影响增大.当回旋共振频率超过声子振动频率的5.97和820倍时,电子自旋能量已分别大于电子所受束缚势和电子与LO声手之间的诱生势.     

抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数的影响。导出量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度、库仑束缚势和磁场的回旋共振频率的变化关系。数值计算结果表明：弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。随磁场的回旋共振频率和库仑束缚势的增加而增加。     

AlSb晶体内二维磁极化子的磁场与温度效应

在考虑声子之间相互作用的同时，本文应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子特性的影响。对AlSb晶体所作的数值计算结果表明，随着磁场的加强，磁极化子平均数减少；随着温度的增加，磁极化子平均数也增加；随着温度的增加，电子自旋作用以及声子之间相互作用都加强；随着磁场的加强，电子自旋作用增加而声子之间相互作用基本不变。     

磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合对磁极化子自陷能的影响

本文采用线性组合算符法和变分法,研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量,得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律,计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。     

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质. 对AgBr量子点的数值计算表明：量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大；随柱高的减小而增加，且柱高愈小，增加速度愈快；激发态能量随温度的升高而增加. 这些结论说明，由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.     

磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少.     

三角量子阱中磁极化子的性质

采用LLP变分方法研究了三角量子阱中磁极华子的性质。在不同的电子-声子耦合情况下,获得了基态能量、基态结合能和电子数密度、磁回旋频率之间的关系。通过数值计算表明：基态能量随电子数密度和磁回旋频率的增加而增加,基态结合能随电子数密度和磁回旋频率的增加而减小。     

电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响

研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.     

电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响

研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.     

CdF2,ZnS和SiC内任意耦合磁极化子的特性

利用私正变换和改进的线性组合算符法研究了ＣｄＦ２、ＺｎＳ和ＳｉＣ内任意耦合强度磁极化子的振动频率和有效质量的磁场特性。数值计算结果表明：不同耦合常数的材料,磁场所给的定解范围和耦合强度的取值范围都不同;对任一种材料及确定的耦合值,虽然磁极化子振动频率和有效质量都随磁场的增加而增加,但增加率不同。     

半导体极性膜中束缚磁极化子的自陷能

采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成：第一部分是由于电子—体LO声子相互作用所引起的（ ）极化子效应;第二部分则是电子－SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献（ ）。通过对KCl半导体膜的数值计算表明, 和磁极化子的振动频率 随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5nm时,总自陷能 趋于一稳定值。另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子—声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的。