高性能PZNFTSI陶瓷热释电材料与小面积红外探测器的研制

本探讨了小面积红外热释电探测器的探测率与热释电材料性能参数之间的关系，制备了热释电系数高达５．１×１０＾－４Ｃ·ｍ＾－２℃＾－１的ＰＺＮＦＴＳＩ型陶瓷热释电材料，并用其制作了一系列φ０．３ｍｍ的小面积探测器，性能最高达５．９×１０＾８ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，远远超过同样尺寸的ＬｉＴａＯ３晶体探测器。探测率Ｄ＾＊的测量结果与理论预测值符合得较好，克服了晶体热释电材料在小面积应用时的局限，为进一步     

热释电红外探测材料的研究进展

热释电红外探测材料主要分为热电堆型、热敏电阻型和热释电型，本文综述了热释电红外热探测材料的种类、性能和研究进展。     

半导化的铁电相变热释电陶瓷材料

本文研究了 U_3O_8掺杂的 PZT 95/5系统多晶固溶体在两个菱方铁电相间相变的热释电性能及材料的电导特性。认为 U_3O_8的加入不仅改善了材料的热释电优值,同时作为一种施主杂质使材料半导化,实验结果证实了载流子的传输机理与假设一致,并求出了载流子的激活能。发现了该材料具有巨大潜在应用前景的电荷储存特性。最后制备了适用于热释电红外探测器的、具有高热释电系数、低介电常数及半导化的铁电相变热释电陶瓷材料。     

微透镜列阵与红外探测器列阵集成芯片的研究

在分析微透镜列阵光聚能原理的基础上,针对背照式256290铂硅红外焦平面探测器列阵 的结构参数,设计了衍射微透镜列阵,使入射光通过硅基底聚焦至探测器的各个光敏面上, 提高光能利用率从而增强探测能力。实验获得了微透镜列阵与红外焦平面集成芯片,并在热成像中取得了良好的结果。     

钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究进展

介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景.     

用于非制冷热释电红外探测器的 PZT铁电薄膜研究

采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜．用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0．3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜．采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理．PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2．3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0．02,Fd=0．94×10-5Pa-0.5．     

大电流宽频带热释电红外探测器优化设计

本文提出了一种大电流宽频带的热释电红外探测器的优化设计方法.在分析热释电输出电压响应的基础上,结合热辐射探测的特点,提出了新的仿真模型,实际电路与仿真数据基本吻合.通过采用双极型结型场效应管(BJFET)和改变热释电时间常数等方法解决了热释电前置放大器输出信号弱和通频带窄的关键问题.     

NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质及相关机制的研究

在不同烧结温度下, 利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu₃Ti₃Sb_0.5Ta_0.5O₁₂陶瓷, 系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示, 所有的NaCu₃Ti₃Sb_0.5Ta_0.5O₁₂陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构, 介电性质随烧结温度变化很大。高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000, 具有高介电性质。复阻抗谱显示, NaCu₃Ti₃Sb_0.5Ta_0.5O₁₂陶瓷的电学分布不均匀, 由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成。通过XRD和XPS测试发现, 在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价。因此, 利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu₃Ti₃Sb_0.5Ta_0.5O₁₂陶瓷的高介电性质。     

探测材料在非制冷红外探测器方面的应用

本文首先阐述了探测材料，特别是非制冷红外探测材料对于经济发展、社会进步与国防巩固等的重要战略意义，然后介绍了当前世界非制冷红外探测器的研究概况，并就热释电和热电两类重要的非制冷红外探测器的研发及其应用情况作了重点述评。     

SrBi2Ta2O9铁电薄膜的结构与性能研究进展

综述了SrBi2Ta2O9的结构和性能研究进展,着重阐明化学组成、结晶取向、热处理条件、使用温度对SrBi2Ta2O9铁电性能的影响。结果表明,以Bi4Ti3O12作为过渡层,采用快速热处理法,Sr:Bi:Ta=0.8:2.2:2时,有助于提高SBT薄膜的剩余极化值,降低矫顽场强和电流漏损。     

MSnO_3和MSn_（0．5）Zr_（0．5）O_3（M＝Sr，Ba）的水热合

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２－ＳｎＯ２（或ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ／（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５～７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）２－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质碱度来获得ＭＳｎＯ３＋ＭＺｒＯ３混合物和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３，并根据合成规律初步探讨了反应过程．     

快速退火工艺条件下温度对Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构与性能的影响

采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响.研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能.     

液相包覆法合成Ba(Mg1/3Ta2/3)O3超细粉体

以水合五氧化二钽(Ta2O5·nH2O)纳米胶粒为活性固相基体,柠檬酸镁、柠檬酸钡混合溶液为包覆相,采用液相包覆-界面反应的方法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3超细粉体.利用热失重-差热分析、X射线衍射及透射电镜等手段对产物的合成过程与结构形态进行了分析表征.研究表明以该方法能够在800℃下合成出成分均一、纯度较高、具有良好烧结活性的BMT超细粉体,产物粒子的形态接近球形,粒径分布窄,大约为20～30nm.     

LiCo0.5Ni0.5 O2的恒流充放电容量模型研究

为研究LiCo0.5Ni0.5O2的充放电容量和电流间模型,用高温固相反应合成了性能优良的LiCo0.5Ni0.5 O2,用一维扩散控制方程Q=Qm-(I2/3·D)·I描述了LiNi0.5Co0.5O2的充放电容量与电流的关系,并用该模型计算了最大可逆容量和扩散系数.恒电流充放电过程的扩散系数和最大可逆容量随循环次数的增加而降低,且与循环次数间存在对数线性关系.     

Effect of Sn4+ B-Site Substitution on the Microstructure and Dielectric Properties of Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 Microwave Ceramics

1.IntroductionRecent progress of microwave telecommunication de-mands the development and application of a variety ofmicrowave dielectric materials.The materials with highdielectric constant(ε),high quality factor(Q)and smalltemperature coefficient of resonant frequency(TCF)haveattracted the greatest interest of researchers.The com-pounds Ba(B'1/3B"2/3)O3(B'=Mg,Zn,Ni,etc.B"=Ta,Nb,etc.)with complex perovskite structure exhibit veryhigh Q value at microwave frequencies greaterthan10GHz.…     

(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3薄膜的表面化学态研究

用溶胶-凝胶法制备(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3(简称PST)前驱体溶液,以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料,乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂,通过旋涂工艺在Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片上沉积PST薄膜.薄膜经320～380℃热分解,再经650℃退火30min,得到晶化好的薄膜样品,X射线衍射结果表明PST薄膜为钙钛矿立方相结构,其晶格常数为a=0.3919nm.用原子力显微镜观测其表面形貌,薄膜平均晶粒尺寸为300nm.用XPS测量了650℃退火PST薄膜样品的表面化学态,结果表明表面富铅,接近表面区域的原子比率Pb∶Sr∶Ti∶O是0.52∶0.50∶1.0∶3.02,接近(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3的理想配比.     

Zr4+B位置换对(Pb0.5Ca0.5)(Fe(0.5)Nb0.5)O3

研究了Zr4+离子B位置换改性对(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷微波介电性能.实验结果表明,(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3(PCFNZ)陶瓷样品呈现单一斜方钙钛矿相结构.随Zr(4+)离子的置换量增加,PCFNZ陶瓷体系的Qr值和晶粒尺寸逐渐减小;介电常数εr随着置换量增加...     

(Na0.5Bi0.5)TiO3-BaTiO3的合成与压电性能

合成了具有单一钙钛矿结构的(Nao.5Bi0.5)1-xBaxTiO3超细粉料,研究其陶瓷的压电性能.结果表明,柠檬酸与金属离子的摩尔比(C/Mn )和前驱体溶液的pH值是影响溶胶与凝胶形成的主要因素,凝胶在600℃下热处理1 h后可形成单一钙钛矿结构的(Nao.5Bi0.5)1-xBaxTiO3超细粉料.用柠檬酸盐法合成粉料的颗粒细小、化学成分均匀,有利于提高(Na0 5Bi0.5)1-xBaxTiO3陶瓷的压电性能.在准同质相界附近的组分存在较多的自发极化取向,因而表现出优良的压电性能.x=0.06时,柠檬酸盐法制备陶瓷样品的压电常数d33达到180 pC/N.     

Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末化学镀铜前后的电磁性能

本文用溶胶-凝胶自燃烧法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末颗粒,以甲醛为还原剂在Ni0.5Zn05Fe2O4颗粒表面进行了化学镀铜,制备了Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体.用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对镀铜前的Ni0.5Zn0.5Fe2O4颗粒以及镀铜后的复合纳米颗粒进行了表征.对镀铜前的Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉体和不同镀铜量的Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体进行了电磁性能的研究,结果表明镀铜后镍锌铁氧体的吸波性能明显提高,增重量为65%的Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体在频率为11GHz处反射率可达-12dB左右.     

溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响

采用高频磁控溅射法制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜(以下简称PST/Si)。实验表明,合适的Ar、O2分压比,能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合,确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高,Au电极中将有大量的O离子严重渗透,从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5∶1的PST/Si样品性能较好,其介电损耗约在0.12~0.21之间,热释电系数约为2.35×10-2μC/cm2K。