毛细管区带电泳

毛细管区带电泳是毛细管电泳技术中最常用的一种模式，本文主要回顾了１９９３年至１９９６年有关的文献，就毛细管区带电泳的基本理论，进样，分离系统，检测系统，单片集成装置做了总结。     

毛细管电泳分离蛋白质的研究进展概论

本文综述了高效毛细管电泳的分离原理及模式,蛋白质的分离特性及抑制吸附的方法,电渗流的影响因素和控制方法。     

毛细管区带电泳法测定霍香正气胶囊中和厚朴酚的含量

目的:建立霍香正气胶囊中和厚朴酚含量测定的毛细管区带电泳(CZE)法.方法:采用甲醇溶解样品超声制备供试液;运行缓冲液为40mmol/L硼砂溶液,检测波长254nm.结果:和厚朴酚线性范围0.013-0.20mg/mL,r=0.9917(n=5),厚霍香正气胶囊中和厚朴酚的含量为0.1479mg/粒.结论:此方法快速简便,可用于评价霍香正气胶囊的质量.     

基子毛细管电泳技术的中药指纹图谱研究

本文综述了基于毛细管电泳的中药指纹图谱研究的优势和意义。介绍了毛细管电泳的研究方法,并与高效液相色谱（HPLC）指纹图谱进行了比较,提出了笔者的一些观点或看法。     

药物分析中的毛细管电泳应用

本文综述了近年来毛细管电泳在药物分析中的应用。并展望其发展前景。     

基于DEM技术的塑料毛细管电泳芯片加工工艺

传统的毛细管电泳芯片基体材料以硅和玻璃为主，成本较高，且不适合于生化领域。而以聚合物作为基片材料，由于材料成本较低，且微复制方法成本也很低，因此可望在商业上取得广泛的应用。采用DEM技术，利用感应偶合等离子体（ICP）刻蚀设备进行硅的刻蚀，然后从硅片直接进行微电铸，得到金属模具后，再利用微复制工艺，最终得到的毛细管电泳芯片基片，该技术工艺简单，可实现大批量低成本生产，预期将有广阔的应用前景。     

芯片毛细管电泳信号的小波消噪

采用小波消噪方法对芯片毛细管电泳信号进行了处理,研究了小波基的选择,噪音在不同细节中的特征以及噪音阈值的确定。结果显示,与Fourier消噪算法相比,运用小波消噪算法不仅能够更有效地消除噪声,而且能使峰形不变,峰高不受影响。     

采用激光制备毛细管电泳芯片微结构的研究

提出了一种采用248 nm准分子激光直写微加工系统制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基毛细管电泳芯片的新方法.主要对毛细管电泳芯片的样品池和微通道进行了实验研究.在19 kV,20 Hz,500个脉冲条件下,厚度为1.5 mm PMMA表面获得直径为1 mm、锥度为4.7 °的池;对宽度均为100 μm,深度不同的微通道底面进行了键合前后比较.最后在键合后宽度为100 μm、深度为30 μm的芯片上成功地完成了进样实验.     

芯片毛细管电泳电动进样的数值分析

利用集成毛细管电泳芯片进行生物化学分析时 ,电动进样是重要的操作步骤之一。本文通过建立数学模型 ,对“十”字型进样沟道内的电场分布进行了计算机数值模拟 ,通过改变进样电压和分析沟道内部电场分布 ,得到了进样及分离时的最佳电压组合。试验结果与模拟计算的结果吻合较好     

芯片毛细管电泳电动进样的数值分析

利用集成毛细管电泳芯片进行生物化学分析时,电动进样是重要的操作步骤之一.本文通过建立数学模型,对“十“字型进样沟道内的电场分布进行了计算机数值模拟,通过改变进样电压和分析沟道内部电场分布,得到了进样及分离时的最佳电压组合.试验结果与模拟计算的结果吻合较好.     

毛细管电泳芯片的模拟设计与实验研究

利用ANSYS软件对毛细管电泳芯片微沟道内样品流动情况进行模拟 ,获得了不同进样模式下微沟道的结构与流体流速之间的关系 ,对芯片整体结构参数进行设计 :毛细管微沟道最终尺寸为宽度 16 μm ,深度 10 μm ,有效分离长度为 3.5cm的圆角转弯形沟道。采用激光诱导荧光原理进行实验测试 ,建立测试系统 ,对两段不同长度的DNA片段实现了基线分离 ,研究结果为毛细管电泳芯片的进一步应用奠定了基础     

芯片毛细管电泳激光诱导荧光检测系统的研究

芯片毛细管电泳分析系统在免疫测定、DNA分析和测序、氨基酸和蛋白质分析、生物细胞研究方面有广泛的应用前景。本文介绍了一种芯片毛细管电泳检测系统的设计及其硬件结构和信号处理软件 ,并给出在不同系统条件下的测试结果。     

基于线阵电极电泳芯片的微全分析系统

介绍了用于生化分析的一种新型微分析系统 ,并根据模拟计算和现有实验参数给出了设计方案 ,包括电泳芯片的设计、工艺制作、微机控制系统以及初步实验结果。新型的基于线性阵列电极的微型电泳芯片将会大大降低电泳电压 ,减小实验中的热效应 ,能够灵活设定分离时间、长度、电压等电泳的各项条件 ,可满足多种分离需求。新型材料PDMS使芯片制备更简单 ,实验成功率更高     

Mechanisms of device degradation in organic solar cells: Influence of charge injection at the metal/organic contacts

Organic solar cells suffer from device degradation under various undesirable ambient conditions, which limits their efficiencies and applications a lot. The frequently appeared S-shaped current density–voltage (J–V) characteristics just reflect this effect and make its underlying mechanisms even obscurer for experimentalists. By performing device model simulation, we investigate the J–V curves of a organic bulk heterojunction solar cell for different interfacial charge injection conditions. We find the S-shaped kinks appear when both electron and hole injection barriers exceed 0.3 eV, which is attributed to the shortage of dark injection carriers. For the nearly Ohmic contacts, the open circuit voltage is significantly reduced. The quantitative study suggests it arising from the majority carrier accumulation and the induced local field variation at the vicinity of the contacts. S-shaped kink is gradually eliminated with increasing carrier mobilities. Finally, we find the decreasing of fill factor under enhanced light absorption, which results from the drastic bimolecular recombination and thus signifies remarkable internal losses.     

Directed self-assembly of organic semiconductors via confined evaporative capillary flows for use in organic field-effect transistors

We fabricated well-defined 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-PEN) crystal arrays for use in electronic applications via a simple but effective method, the confined evaporative capillary flow (CEC) method. This has been accomplished by systematically controlling the contact line pinning at the edge of glass stylus and the outward hydrodynamic flow within the drying droplet with various processing solvents and surface properties of the substrate during solidification. We found that after CEC coating of TIPS-PEN solution dissolved into toluene onto SiO₂ surface, ribbon-shaped TIPS-PEN crystals were well developed with a width of 20–100 μm and length of 300 μm – 2 mm, which is presumably owing to optimized capillary evaporation. Specifically, TIPS-PEN crystals present highly preferred crystal orientation along the (l 0 0) axis, which can lead to efficient charge transport in a lateral direction. Thus, TIPS-PEN field-effect transistors (FETs) exhibited a good hole mobility of 0.72 cm²/Vs.