＝4．03GeV下τ~±→π~＋π~－π~±υ_τ衰变的测量

利用北京谱仪（ＢＥＳ）在４．０３ＧｅＶ正负电子对撞能量下获取的数据，［研究了，τ＋τ－产生过程．借助双标记方法分析了τ±→π＋π－π±υτ衰变事例．测定分支比Ｂｒ（τ±→ａ１±υτ→ρ０π±υτ，ρ０→π＋π－＝（７．３±０．５）％，Ｂｒ（τ±→Ｋ＊±υτ→Ｋｓ０π±υτ，Ｋｓ０→π＋π－）＝（０．６±１．５）×１０－３．并由Ｄａｌｉｚ投影分布的分析，确认ａ１的主要衰变方式ρπ．同时，也观察到ａ１衰变中以Ｓ波贡献为主的现象．采用Ｋｕｈｎ模型拟合实验数据，得到：ｍａ１＝１．２４±０．０２ＧｅＶ，Γａ１Ｔ＝０．５７±０．０７ＧｅＶ．     

τ±→π±+nπ0+ντ(n=0,1,2)衰变分支比测量

基于北京谱仪收集的4.03GeV质心系能量下e⁺e^－对撞数据,分析τ^±τ^±→e^±+π^±+nπ⁰+ν's(n=0,1,2)事例,给出分支比值Br(τ^±→π^±ν_τ)=(11.64±0.49^+0.76_－0.73%,Br(τ^±→π^±π⁰ν_τ)=(24.00±1.34^+1.36_－1.30%,Br(τ^±→π^±2π⁰ν_τ)=(9.39±1.68^+1.69_－1.66%.     

τ→π~±2π~0v结构函数的测量

首次对τ→π2π0v衰变的结构函数进行了模型无关的实验测量,并与KS模型、IMR模型和Feindt模型进行了比较,在误差范围内,三种理论模型与实验结果一致．与OPAL组测量的τ→3π±v道的结构函数相比,在0．5＜Q2＜2．75GeV2范围内未发现明显差异．     

τ→π±2π0v结构函数的测量

首次对τ→π^±2π⁰v衰变的结构函数进行了模型无关的实验测量,并与KS模型、IMR模型和Feindt模型进行了比较,在误差范围内,三种理论模型与实验结果一致.与OPAL组测量的τ→3π^±v道的结构函数相比,在0.52范围内未发现明显差异.     

现实的一代ETC模型对Zb_b~－、Zτ~＋τ~－顶角的辐射修正

在一个现实的一代扩展人工色（ＥＴＣ）模型中，计算了旁路（Ｓｉｄｅｗａｙｓ）及对角（ｄｉａｇｏｎａｌ）ＥＴＣ规范玻色子交换对Ｚｂ、Ｚτ＋τ－顶角的单圈辐射修正．结果表明Ｚ→ｂ过程的衰变宽度Ｔｂ、分支比Ｒｂ以及τ的极化不对称参数Ａτ都较标准模型的要大，与最近的实验数据相符．     

ψ(2S)的τ轻子对衰变研究

首次分析了ψ(2S)→τ⁺τ^－衰变道,给出其分支比测量结果.分析基于北京正负电子对撞机(BEPC)上北京谱仪(BES)所获取的1.27×10⁶事例,得到分支比值为(3.54±0.61±0.63)×10^－3.此值与粒子表给出的ψ(2S)其它轻子道分支比值比较,符合e-μ-τ普适性假设.利用这些数据,还计算得到ψ(2S)衰变的总宽度Γ_tot=251±37keV.     

关于B0→π-l+～vl衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子f+Bπ(q2),～fBπ(q2)和标量形状因子f0(q2),从而就能研究轻子质量对B0→π-l+～vl(l=e,μ,τ)衰变过程的影响.首次分别计算B0→π-e+～ve,B0→π-μ+～vμ,B0→π-τ+～vτ衰变过程的分支比,并发现轻子质量me,mμ可以忽略,但重轻子质量mτ不能忽略,它对分支比计算有一定的贡献.把计算结果与最近的实验数据进行比较,发现理论结果与实验数据基本符合.     

由ψ（2S）→π~＋π~－J／ψ道测量J／ψ轻子道衰变分支比

利用北京谱仪（ＢＥＳ）上取得的ψ（２Ｓ）数据，对ψ（２Ｓ）→π＋π－Ｊ／ψ，Ｊ／ψ→１＋１－和Ｊ／ψ→任意末态两个过程进行了细致的研究，得到Ｊ／ψ的轻子道衰变分支比为Ｂ（Ｊ／ψ→ｅ＋ｅ－）＝（５．９０±０．０７±０．１６）％和Ｂ（Ｊ／ψ→μ＋μ－）＝（５．９６±０．０８±０．１６）％，由此给出Ｂｅ／Ｂμ的值为０．９９０±０．０１８±０．０２４．假定Ｂｅ＝Ｂμ，Ｊ／ψ的轻子道衰变分支比为Ｂ（Ｊ／ψ→１＋１－）＝（５．９３±０．０５±０．１６）％．上述结果可用来估计强相互作用耦合常数αｓ和ＱＣＤ减除参数∧．     

τ衰变中米歇尔(Michel)参数的测量

分析北京谱仪(BES)收集的4.03GeV质心系能量下e⁺e^－对撞数据,选出e⁺e^－→τ^±τ⁺→e^±X⁺v′S事例,X^±可以为μ^±,τ^±,ρ^±,拟合τ→ev′s中电子的能谱,得到τ→ev′s中Michel参数为ρ_τ→e=0.705,此结果与标准模型的预言相符合.     

J/ψ→π~03(π~+π~-)分支比的测定

用BESⅠ的 7.8× 1 0 6 J/ ψ数据更为精确地测定了J/ ψ→π0 3 (π+π- )和J/ ψ→ω2 (π+π- )的分支比 (Br(J/ ψ→π0 3 (π+π- ) ) =( 2 .52± 0 .0 6± 0 .4 3 ) % ,Br(J/ ψ→ω2 (π+π- ) ) =( 1 .3 1± 0 .0 9± 0 .2 1 ) % .同时对 4π不变质量谱和ωππ不变质量谱进行研究分析 ,试图观察是否存在有兴趣的信号 .     

用神经网络方法鉴别τ的强子衰变

用神经网络法鉴别τ的单叉强子衰变τ→h+nπ0+v,n=0,1,2,3.并进而测得上述各道的分支比:Br(π/Kv)=(12.18±0.26±0.42)%,Br(π/Kπ0v)=(25.20±0.35±0.50)%,Br(π/K2π0v)=(8.88±0.37±0.38)%,Br(π/K3π0v)=(1.70±0.24±0.39)%,其中第一项误差是统计误差,第二项是系统误差.     

Cabbibo压制半径子衰变过程D0→π－e+ve

计算了Cabibbo压制D0→π－e+ve衰变率.利用计算结果和测得分支比来研究形状因子|fπ +(0)|及CKM矩阵元|v cd|     

J/ψ→π03(π+π－)分支比的测定

用BESⅠ的7.8×10⁶J/ψ数据更为精确地测定了J/ψ→π⁰3(π⁺π^－)和J/ψ→ω²(π⁺π^－)的分支比(Br(J/ψ→π⁰3(π⁺π^－))=(2.52±0.06±0.43)%,Br(J/ψ→π⁰3(π⁺π^－))=(1.31±0.09±0.21)%.同时对4π不变质量谱和ωππ不变质量谱进行研究分析,试图观察是否存在有兴趣的信号.     

关于B0→π－l+ν l衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子f⁺_Bπ(q²),f _{Bπ(q²)和标量形状因子f⁰(q²),从而就能研究轻子质量对B⁰→π ^{关键词： B介子半轻衰变 形状因子 分支比}}     

关于B~0→π~-~+■_衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子fB+π(q2),fBπ(q2)和标量形状因子f0(q2),从而就能研究轻子质量对B0→π-+ν(l=e,μ,τ)衰变过程的影响.首次分别计算B0→π-e+νe,B0→π-μ+νμ,B0→π-τ+ντ衰变过程的分支比,并发现轻子质量me,mμ可以忽略,但重轻子质量mτ不能忽略,它对分支比计算有一定的贡献.把计算结果与最近的实验数据进行比较,发现理论结果与实验数据基本符合.     

由ψ(2S)→π+π－J/ψ道测量J/ψ轻子道衰变分支比

利用北京谱仪(BES)上取得的ψ(2S)数据,对ψ(2S)→π⁺π^－J/ψ,J/ψ→1⁺1^－和J/ψ→任意末态两个过程进行了细致的研究,得到J/ψ的轻子道衰变分支比为B(J/ψ→e⁺e^－)=(5.90±0.07±0.16)%和B(J/ψ→μ⁺μ^－)=(5.96±0.08±0.16)%,由此给出Be/Bμ的值为0.990±0.018±0.024.假定Be=Bμ,J/ψ的轻子道衰变分支比为B(J/ψ→1⁺1^－)=(5.93±0.05±0.16)%.上述结果可用来估计强相互作用耦合常数αs和QCD减除参数∧.     

QCD因子化方法下BS→π＋π－中湮灭强度的探索

利用QCD因子化方法, 并采用具有质量的有效胶子传播子来消除端点发散, 计算了纯湮没衰变B_S→π^＋π^－过程的CP平均分支比并对该过程的CP破坏进行了具体研究. 结果表明: 该过程的CP平均分支比为1.24×10^-7, 同时企鹅图对该过程起着主要贡献; B_S→π^＋π^－过程中直接CP破坏参数C_ππ估算为－0.05, 混合CP破坏参数S_ππ比较大,可达到0.18. 该过程在未来的LHC-b物理实验上是完全有可能被测量到的, 通过对该过程的研究能够使我们更好地了解B介子无璨衰变的动力学机制和胶子的性质.     

QCD因子化在湮没衰变B0s,d→J/ψ γ中的应用

在QCD因子化框架下,对可能的辐射湮灭衰变B0s,d→J/ψ γ进行研究.在标准模型中,相对于简单因子化下领头阶的分支比,as阶非因子化辐射修正对分支比有显著的量级上的改变,这些衰变可用来检验因子化方法.在理论上,B介子稀有辐射衰变对超出标准模型的新物理特别敏感.作为一个例子,我们考虑右手带电流对标准模型中左手流可能的混合效应,这个混合对衰变分支比有显著的影响.     

Technicolor模型下QCD对衰变B→Xτv_τ的修正

在一代Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ模型下对内含的半轻子Ｂ衰变的（）阶修正进行了计算。将理论的预言与最近的实验结果比较，得到了荷电的色单态和色八重态赝标量粒子质量的下限：     

通过τ→a_1v→π~±π~0π~0v道测量由Z~0衰变的τ的极化不对称性

利用L3合作组1992年和1993年的数据，通过τ→a1v→π±π0π0v道测量了由Z0衰变的τ的极化不对称性A(pol)＝－0．239±0．126±0．100，其中第一项误差为统计误差，第二项误差为系统误差．由此推断有效电弱混合角sin2θw＝0．2197±0．0219．