半导体中轻杂质局域振动模的局域性效应

通过对半导体中轻杂质及其周围原子的局域声子态密度求解，获得了轻杂质引起的局域模的局域性与质量亏损因子之间的关系，并证明，计人模式的局域度的质量亏损模型可以获得与实验结果吻合的局域模频率．     

微量掺杂半导体材料晶格振动的光谱研究

在全频率范围内对照微量掺杂材料的红外吸收谱和喇曼散射谱,运用递推方法计算晶格振动的局部声子态密度,给出了金刚石结构半导体材料中晶格振动的普遍特征,在理论上定性定量地阐明了带内低频准局域模和带外高频定域模的物理涵义。     

半导体材料中任意深度的杂质分布

由英邮电部研究分部(PORD)研制的电化学技术可连续自动地描绘出半导体材料中载流子浓度的分布,而深度不受限制。为了进行这些测量由 PORD 设计的设备(控制单元,电化学池和光源)观已有产品并出售。     

塑封材料中微量有害杂质的分析

塑封器件在我国已大量生产,但由于塑封材料来源及其填充料成份极为复杂,在生产中难免带进某些对器件性能及结构有害的金属杂质如Na、Cu、Fe、Ni、Cr及腐蚀性阴离子Cl~-、SO_4~-等,这些杂质存在于塑封材料中常感到不便处理、控制和分析,分析和处理技术是一个值得探讨的问题.为此本报告专门探索几种灵敏度高、经济实用、便于普及的微量化学分析方法,经过实验及对各厂样品进行实测得到比较理想的结果.     

一维固-液掺杂声子晶体缺陷模的干涉理论

建立了一维掺杂声子晶体的多波束干涉模型,利用波的干涉理论推导出一维掺杂声子晶体缺陷模的透射率公式和频率公式,成功地解释了一维掺杂声子晶体中缺陷模产生的物理机理。利用干涉理论和转移矩阵法对一维掺杂声子晶体缺陷模的特征进行了比较研究,两者的结论一致。     

一维固-液掺杂声子晶体缺陷模的干涉理论

建立了一维掺杂声子晶体的多波束干涉模型,利用波的干涉理论推导出一维掺杂声子晶体缺陷模的透射率公式和频率公式,成功地解释了一维掺杂声子晶体中缺陷模产生的物理机理。利用干涉理论和转移矩阵法对一维掺杂声子晶体缺陷模的特征进行了比较研究,两者的结论一致。     

硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收

本文探讨了Ⅳ族代位式杂质在硅、锗单晶中的晶格动力学问题.引用“局域有效电荷模型”得到三个主要模型参量,结合W.Weber的“绝热键电荷模型”所得到的硅、锗单晶的声子态密度数据,分别计算了Ⅳ族代位杂质在硅、锗单晶中所产生的局域模及带内模频率和红外吸收系数.理论计算结果与已有实验结果符合较好,同时予示了一些目前实验尚未测得的结果,进一步证明所提出模型的合理性.     

掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．     

掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．     

MOS结构中半导体掺杂分布的快速确定

对于离子注入MOS结构的研究,要求采用非破坏性的方法来测定硅中注入离子的掺杂分布。迪耳等人采用MOSC_(最大)/C_(最小)方法的热氧化来测量杂质的再分布。因为它基于假设不均匀掺杂浓度的理论。近来格尔得和佐塔等人的研究表明:从MOS电容—电压关系曲线能够计算出掺杂分布随结深变化的关系曲线。之后,结C—V法中使用的同样的方程也适用于MOS结构,只需要稍微校正与表面的距离。利用这个关系,格尔得和尼柯林等人用脉冲MOS电容—电压方法来测量硅中的杂质分布。这里     

固-液结构平板掺杂声子晶体的滤波特性

为了研究一维固-液结构平板掺杂声子晶体的滤波特性,利用一维固-液结构平板掺杂声子晶体中弹性波横向受限的条件,推导出弹性波在一维固-液结构平板掺杂声子晶体中各个模式满足的关系式。研究了弹性波各模式的缺陷模随模式量子数和杂质厚度的变化规律。这些结果可用于声子晶体滤波器的设计。     

分析稀有金属和半导体材料时杂质的组富集方法

近代分析化学的基本任务之一就是测定高纯材料中的微量杂质。与这类分析对象有关的,首先是半导体材料和很多稀有金属。由于需要测定的杂质数量往往很多,又要求分析的灵敏度达到10~(-6)～10~(-8)%,能够同时测定很多元素采用的主要方式是预先将杂质转移到组富集物中去。与微量杂质富集有关的一般问题和某些专题在高纯材料分析手册、会议录和评论性文章中可以查到。表1中列出了最近二十年,也就是从这类工作发表开始的关于稀有金属和半导体材料分     

生长材料中掺杂杂质纵向分布的扩散生长理论

从ＭＯＣＶＤ和卤化物ＶＰＥ的生长装置出发，分析了量子阱激光材料和微波电子材料中引入杂质的纵向分布和谐过程。采用了掺入杂质分子经载体气体漂移扩散输运和生长过程中再扩散的数学物理理论，导出了掺杂杂质最终纵向浓度分布的数学定量解析式。根据本理论，提出了陡峭掺杂和均匀纵向浓度分布的工艺解决方案。     

掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子的耦合模

在T＝77K,测量出掺杂（Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223cm^-1和422cm^-1的两个光散射峰。理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的。这事模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致。     

利用X_α—重叠球方法研究半导体的局域电子结构——Ⅱ.共价半导体金刚石和硅的轨道能级

本文利用X_α—重叠球和电荷分割方法计算了完整的共价半导体金刚石和硅的能谱.它们的禁带宽度(3a—3t_2)分别为5.2和2.0eV.价带宽度(3t_2—1a_1)分别为16.46和11.42eV.除了硅的禁带宽度数据偏大外,其他计算数据与实验和某些理论结果基本相符.文中还讨论了禁带内出现1t_1能级的原因以及与实验能谱的比较.     

声子局域性对量子阱中激子的影响(英文)

The facts that in a semicondutor layered structure LO-phonon modes are rather confined in each layer and the penetration of the vibrations into the adjacent layer is negligible are well accepted. We investigate the po-laronic effect on exciton in GaAs-AlGaAs quantum wells on the basis of an electron-and hole-LO-phonon interaction Hamiltonian incorporating the peculiaties of the dispersive confined LO-phonon. The calculation of the polaronic energy is performed by using LLP variational formalism. The results of the numerical calculation are compared with earlier works without considering the effect of confinement. It is found that the exciton binding energy increases by 10% when the LO-phonon confinement is considered.     

电子及杂质离子-LO声子耦合对柱形量子线中杂质态的影响

采用有效质量近似和变分方法,同时考虑电子-约束型体纵光学声子(LO)及杂质离子-LO声子耦合,计算了有限深柱形量子线中杂质的极化效应。计算得到杂质结合能及声子贡献随量子线半径的关系。结果表明由电子-LO声子相互作用引发的极化效应的行为与杂质离子-LO声子相互作用引起的屏蔽效应相反,两种效应最终使杂质的结合能降低。     

半导体超晶格中光学声子的喇曼散射研究

报道了在室温和非共振条件下,(GaAs)_n(AlAs)_n超晶格结构的喇曼散射测量结果。在适当的散射配置下,观察到分别限制在GaAs和AlAs层中的LO和TO声子模。根据线性链模型,把喇曼散射测量到的光学声子限制模的频率按q=2πm/[α_0(n+1)]展开所得到的光学声子色散曲线,与体材料GaAs和AlAs的光学声子色散曲线符合良好。     

用激光光声光谱方法研究半导体材料的掺杂浓度及电阻率特性

本文介绍用激光光声压电接收和光声微音接收联合系统,测量半导体不同掺杂浓度、电阻率及其对低剂最掺杂离子注入的硅样品测定的结果,并叙述掺杂浓度、电阻率在样品中分布洲试的情况。