一种0.18μm CMOS低电压低功耗跨导运算放大器

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器。基于BSIM3V3.1Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真。在±0.75V电源电压下,电路的直流开环增益达到83dB,相位裕度为63°,功耗为14μW。采用一种应用于低电源电压、低功耗的基准电路,不仅可为运放提供稳定的偏置电流,而且进一步降低了电路的总体功耗。     

一种12位25 MS/s采样保持电路设计

在流水线结构的A／D转换电路中,采样保持电路是整个电路的核心模块。同时采样保持电路通常是整个电路中功耗最大的模块,其性能直接决定了整个A／D转换器的性能。文章介绍了一种12位25MS／s采样保持电路。该采样保持电路采用SMIC0.25μm标准数字CMOS工艺进行设计。基于BSIM3V3Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真。仿真的结果表明,电路在工作于25MS／s、输入信号频率为2．56MHz时,输出信号的SFDR为75．6dB,而整个电路的功耗仅为10．41mW。     

恒电压增益的低电压Rail—to—Rail运算放大器

基于 Alcatel的 0 .3 5μm标准 CMOS工艺 (VT=0 .6 5 V) ,模拟实现了工作电压低达 1 .8V、电压增益偏差仅为 3 % (整个输入共模偏置电压范围内 )的运算放大器 ;电路的设计也避免了差分输入对中 PMOS管和 NMOS管的 W/L的严格匹配 ,增强了电路对工艺的坚固性。对输入差分对偏置电流的控制电路、差分输入对的有源负载和 AB类 Rail- to- Rail输出级进行了整体考虑 ,确保电压增益恒定的新型结构 ,使该运放在 2 V电源电压下 ,电压增益达到 80 d B(1 0 kΩ 电阻和 1 0p F电容并联负载 ) ,单位增益带宽为 1 2 MHz,相位裕量 72°     

基于0.25μm CMOS工艺的1.8V Rail-to-Rail运算放大器

采用TSMC0．25μm CMOS工艺，设计实现了一种低功耗、高增益带有恒跨导输入级的Rail—to—Rail运算放大器。基于BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice对整个电路进行仿真，在1．8V的单电源电压工作条件下，直流开环增益达到108．6dB，相位裕度为57．2度，单位增益带宽为5MHz，功耗为0．23mW。     

一种用于便携式音频设备的410uW，70dB高性能模拟前端电路

本文提出一种工作在1V电源电压下,总功耗410uW的用于便携式音频设备的模拟前端电路。该模拟前端电路主要包括一个最大增益为30dB的可编程增益放大器和一个2阶3bit Sigma-Delta调制器。可编程增益放大器为单端输入,由片上共模偏置电路提供共模输入,具有良好的噪声性能。Sigma-Delta调制器采用数据加权平均技术降低了反馈环路中数模转换器的非线性。模拟前端电路采用SMIC 0.13μm 1P8M CMOS工艺实现,测试结果表明,在1V供电电压下,输出峰峰值幅度为200mV,信号带宽在100Hz至20KHz之间时,最大信噪比为70dB,整体功耗为410uW。     

基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计

基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明：在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。     

一种高性能可编程增益运放电路设计

设计了一种应用于双电源系统的可编程增益运放电路。主要结构包括:偏置电路、控制缓冲电路、主运放电路以及增益控制电路。控制缓冲电路调节电路的工作状态,并且加入传输门模拟开关增加隔离度;偏置电路为控制缓冲电路提供恒定的电流,增强整个电路的稳定性;主运放电路为两级跨导差分结构,采用CSMC 0.5μm ST3000CMOS工艺进行设计,并对电路进行了仿真,其结果显示:开环增益为79 dB,增益带宽为130 MHz,相位裕度为78°,压摆率为756 V·μs~(-1)。基于这种高性能的运放电路,通过接入负反馈电阻分压来实现AV=1或AV=2的增益切换。     

一种16位高速D/A转换器的研究

介绍了一种16位高速D／A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字／模拟混合电路，工作电压士5．0V，转换速率≥30MSPS，建立时间50ns，增益误差士8％FSR，积分非线性误差LSB，并行输入类型，电流工作模式，功耗500mW，采用2．0μm BiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4．0GHz；CMOS管的栅氧化层为30nm，耐压为12．0V。     

基于0.5μm CMOS工艺的低压低功耗电流放大器

采用BSM30.5μm CMOS工艺,通过引入电流模式的缓冲级输入输出结构而设计了一种性能较高的CMOS电流反馈运算放大器.在1.5V的电源电压下,当偏置电流为1μA,负载电容为20pF时,对整个电路进行HSPICE仿真.结果表明,该电路结构达到了87dB的开环增益,23.8MHz的单位增益带宽,48°的相位裕度,139dB的共模抑制比,功耗仅为2.09mW.     

一种应用于开关电容电路的0.9 V自适应偏置OTA

设计了一种应用于开关电容电路的自适应偏置的低电压、低功耗开关运算跨导放大器。采用负阻负载技术和自适应偏置技术,分别提高了放大器的增益和转换速率;采用电流镜型OTA技术降低功耗,并通过控制开关关断非工作状态下的运放电源,进一步降低了功耗。新型开关电容共模反馈电路的共模电压可在一个时钟周期内快速稳定,不增加额外功耗,不限制输出摆幅。在SMIC 0.18 μm工艺下的仿真结果表明,OTA在0.9 V供电下,直流增益达60 dB,增益带宽积为1.81 MHz,转换速率为0.94 V/μs,功耗为4.16 μW。