退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响

铅基驰豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高。     

烧结工艺对PMN—PT陶瓷介电,压电性能的影响

采用熔盐法得到了ＰＭＮ－ＰＴ陶瓷,研究了在不同烧结温度下ＰＭＮ－ＰＴ陶瓷的介电、压电性能,分析讨论了烧结温度、烧成密度、晶粒大涉以及晶界玻璃相与介电、压电性能的关系。结果表明,适当的晶粒大小以及采用不同烧结温度和退火工艺消除晶界玻璃相有利于压电、介电性能的提高,并对可能的机理进行了分析。     

铌酸钠钾基压电陶瓷的结构与性能研究

采用传统的固相反应合成法制备了结构较为致密的0.9(K0.5Na0.5)NbO3-0.1LiSbO3(KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了其相结构、压电、介电、损耗以及铁电性质.常温下的压电陶瓷具备四方钙钛矿结构,具有较高的压电系数d33=131pC/N和低的介电损耗tanδ=0.09(10kHz)等优点.另外,常温下的KNN-LS陶瓷存在着较为饱满的电滞回线,其剩余极化率Pr为16.1μC/cm2,矫顽场为EC=14.8kV/cm.性能较KNN压电陶瓷有了较大的提高.     

退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响

铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高．在PMN－PT陶瓷中,k_p由58％提高到66％,峰值介电常数由30900提高到37200,d_(33)达到530pC／N.在PZN－PT－BT陶瓷中,k_p由35％提高到51％,峰值介电常数km由11400提高到29000,d_(33)由347PC／N提高到624pC／N．这种改善可能与晶界玻璃相的消除以及畴壁运动等因素有关     

PSN,PSLN压电陶瓷结构与介电性能研究

通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。     

夹心复合压电陶瓷的介电响应

夹心复合压电陶瓷由多孔陶瓷及其上下两层致密陶瓷组成。本工作研究了这种夹心复合压电陶瓷在100Hz～1000MHz 范围内的室温介电响应。这种材料在数百兆赫时出现介电弛豫,频响特性符合 Jonscher 提出的普适介电定律,介电指数 n 和 m 与多孔陶瓷的气孔率有关。经人工极化的样品,介电频响曲线上出现另外两处反常变化,分别相应于径向振动和厚度伸缩振动的贡献。     

无铅压电陶瓷Bi0.5(Na0.90-xKxLi0.10)0.5TiO3-KNbO3的微结构与电学性能

采用传统陶瓷工艺制备了Bi0.5(Na0.90-xKxLi0.10)0.5TiO3-KNbO3无铅压电陶瓷,利用XRD,SEM 等测试技术分析表征了陶瓷的结构、表面形貌、介电、压电与铁电性能.结果表明:该体系陶瓷具有单相钙钛矿结构,KNbO3的引入使体系的居里温度和铁电-反铁电相变温度降低;随着钾含量的增加,KNbO3对体系性能的影响越明显.在室温下,该体系表现出良好的压电与铁电性能:压电常数d33和机电耦合系数kp分别达到195pC/N和31.9%,陶瓷样品表现出明显的铁电体特征,剩余极化强度Pr达到34.8μC/cm2,矫顽场强Ec为3.2kV/mm.     

退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响

铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高. 在PMN-PT陶瓷中, k     

Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3陶瓷的介电和压电性能研究

研究了Na0.5Bi0.5TiO3和（Na0.5Bi0.5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷的电滞回线，压电性能和热滞现象。得到（Na0.5Bi0.5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷的剩余极化Pr=19μC/cm^2，矫顽场Ec=4.7kV/mm.发现有适量的Ba^2 取代（Na0.5Bi0.5)^2 尽管压电性能有所提高，但同时使得材料的温度稳定性大大降低。     

锰掺杂对PMN-PT陶瓷介电和压电特性的影响

采用氧化物固相反应法制备了Mn掺杂0.67Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.33PbTiO3陶瓷，研究了锰掺杂量对陶瓷相结构、介电和压电性能的影响。实验发现，随着锰掺杂量的增加，陶瓷焦绿石相含量的逐渐较少，材料变“硬”。即当锰掺杂量少于1.5mol％时，介电系数ε、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加，介电损耗tanδ减少。随着锰掺杂量的进一步增加，弛豫程度变得更加明显。当压电陶瓷组分中锰掺杂量为1.5mol％时，其介电和压电性能各为：ε=2300，kp=0.54，Qm=900，tanδ=0.004，d33=400pC/N，适于制作大功率压电陶瓷变压器。     

退火对PMN—PT系陶瓷电学性能的影响

研究了退火对（１－ｘ）ＰＭＮ－ｘＰＴ（ｘ＝０－０．３４）陶瓷介电和压电性能的影响。分析了机理。结果表明，在ＰＴ含量较低时，退火使介电常数稍有提高；ＰＴ含量较高，接近准同型相界时，退火使介电常数有较大提高，尤其在居里温度附近，介电常数有显著提高。     

PMN-PT陶瓷的制备及介电性能

采用NaCl-KCl熔盐法制备了钙钛矿相结构的0.8PMN-0.2PT陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和时间等工艺参数对样品的相结构、微观结构以及介电性能的影响,与传统陶瓷工艺相比,用熔盐法制备的样品介电性能好.     

铁电陶瓷/铁氧体复合材料的相结构与介电性能

研究了铁电陶瓷/铁氧体混合烧结体的相结构与介电性能。在900℃制备出铁电陶瓷/铁氧体复合材料,该复合材料是介电材料相与铁氧体材料相共存的复相陶瓷。铁电陶瓷/铁氧体复合材料的介电性能在低温区域主要是介电材料相起作用,而铁氧体材料主要在高温部分对复合材料的介电性能起作用。采用两相混合分布的介电常数计算公式拟合了复相陶瓷的介温曲线,并提出修正指数因子α和β,建立修正方程。      

三维连通网络陶瓷的电磁特性Ⅰ网络结构特性

分别用矩形谐振腔微扰法和波导传输线法测量了三维连通网络陶瓷及其同质粉末压片的电磁参数的温度特性和频率特性。结果表明，无论是磁性还是非磁性三维连通网络陶瓷在较宽的温度范围及整个测试频段内都比其同质粉末具有更大的电磁损耗，这种损耗差异来自它的三维连通网络结构特性，三维连通网络结构使材料电损耗的增加远远大于磁损耗的增加，三维网络陶瓷的这一特点，为研制兼具耐高温，宽频，廉价于一身的结构吸波材料提供了新思路。     

改性PZT/PVDF体系压电复合材料的介电和压电性能

采用复合材料模压工艺,制备了体积分数不同的改性PZT(含铌的钛锆酸铅)/PVDF(聚偏二氟乙烯)压电复合材料。采用扫描电镜对材料的形貌进行了分析,并利用HP4294A,Z-3A型准静态测试仪等系统地研究了改性PZT体积分数对材料介电、压电性能的影响。结果显示,在改性PZT体积分数为70%时,获得了性能优良的压电复合材料。在压电陶瓷高含量区(>0.5),部分压电陶瓷颗粒相互联接,形成了类似0-3(3-3)型复合连通形式,是复合材料获得优良压电、介电性能的主要原因。     

三维连通网络陶瓷的电磁特性Ⅱ电磁参数的影响因素

通过对具有不同骨架L径、陶瓷浆料组分在不同温度下烧结的三维连通网络陶瓷的电导率和电磁参数的测量,研究了对这种网络结构材料电磁参量的影响因素.结果表明,当三维连通网络陶瓷的电导率为10-4＜σ＜101S/cm时,其电损耗及感应磁损耗较大.三维连通网络陶瓷在高温下有较大的介电损耗特性,使其成为耐高温电吸波材料的理想选择.     

具有过量PbO的Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—PbTiO3系陶瓷的相结构和介电性能

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能，在（１－ｘ）ＰＺＮ－ｘＰＴ（０．１＜ｘ＜０．２）系陶恣体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能。当ＰＴ的摩尔浓度为１４－１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性及仍随频率变化而弥散。     

具有过量PbO的Ph（Zn_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbTiO_3系

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能、在（１—ｘ）ＰＺＮ—ｘＰＴ（０．１＜Ｘ＜０．２）系陶瓷体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能，当ＰＴ的摩尔浓度为１４—１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性仍随频率变化而弥散