CMOS的设置

ＣＭＯＳ的设置是任何一个计算机用户所必须要经历的过程，即使使用的是原装品牌的计算机，如果添加了一些额外的设备，那么一般也需要对ＣＭＯＳ进行重新设置，所以ＣＭＯＳ的设置是一项十分重要的技术。本文将介绍一下ＣＭＯＳ的基本设置方法，至于ＣＭＯＳ设置优化问题...     

CMOS EPROM

据《EDN》1986年31卷5期报道:低功率CMOS EPROM系列,除了VT27C256256kb的EPROM外,现又出现T64kb(VT27C64)、128kb(VT27-C128)和512kb(VT27-C512)型号。这种EPROM使用12V程序电压,并提供150到25C毫微秒的访问时间。该器件通过微片给输入赋能,可自动降低电源损耗。另外,这种器件还具有消除总线争用矛盾的输出赋能功能。与TTL兼容的EPROM是一种有28条腿的陶瓷双列直插式组件。64kb、128kb和512kb器件均由VLSI技术公司生产,它们的售价分别为4.50、7.81和15.28美元。     

CMOS探测器

芯片上的处理技术和新的快门技术增加了高速成像的机会。     

CMOS时代

上一轮半导体循环周期自1999年底开始走下坡,直至2003年底,积聚了足够的能量之后,才又开始新的一轮上升周期。intel,TSMC,UMC,Toshiba及特许等国际半导体大厂又开始加快φ300mtn和90nm CMOS制程的投资。     

CMOS存贮器

半导体存贮器取代磁心存贮器而成为存贮器市场的主要主品,可以予见,今后将更迅速地向大容量和高速化方向发展,NMOS RAM领域内,16K的动态存贮器和AK的静态存贮器已经商品化。即使对于将PMOS和NMOS作在同一个片子上的互补器件CMOS RAM领域,也在朝大容量化和高速化进展本公司已生产出1K位的CMOS RAM。研制了目前世界领先的1024字×4位的C~2MOS静态存贮器TC50419,并已作为正式商品,参见表1,图1。     

讲解CMOS

CMOS的原意是互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料,它是微机主板上的一块可读写的RAM芯片,用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。CMOSRAM本身只是一块存储器,只有数据保存功能,对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。早期的CMOS设置程序是驻留在软盘上的（如IBM的PC／AT机型）,使用很不方便。现在多数厂家将CMOS设置程序做到了BIOS芯片中,在开机时通过特定的按键就可进入CMOS设置程序,从而能够方便地对系统…     

绝热CMOS与传统CMOS接口电路的设计

为了将绝热CMOS电路嵌入到传统电路系统中替代耗能较大的部件，本文研究并设计绝热CMOS电路和传统CMOS电路两者之间的接口电路：传统CMOS到绝热CMOS （Traditional CMOS to Adiabatic CMOS, TC/AC）的接口电路、绝热CMOS到传统CMOS （Adiabatic CMOS to Traditional CMOS, AC/TC）的接口电路。这样传统CMOS电路可以通过TC／AC接口电路来驱动绝热CMOS电路，绝热CMOS电路可以通过AC／TC接口电路来驱动传统CMOS电路，从而可以利用具低功耗特性的绝热CMOS电路来降低整个电路系统的功耗，增强绝热CMOS电路的实用性。最后计算机模拟验证了TC／AC接口电路和AC／TC接口电路逻辑功能的正确性。     

CMOS功放

日前,Axiom Microdevices展示了该公司的互补金属氧化物半导体功率放大器（CMOSPA）技术。通过开拓性的集成电路技术创新,Axiom Microdevicess利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大器（GaAsPA）的解决方案,高度集成化的CMOS PA的单芯片技术避免了复杂而昂贵的多芯片模块技术,     

SOS/CMOS和BO/CMOS介绍

前言 Ⅰ. 　SOS/CMOS介绍 一、S0S/CMOS的优点 二、SOS/CMOS的制造工艺 三、SOS/CMOS的缺点 四、SOS/CMOS的现状和展望 Ⅱ. BO/CMOS介绍 一、何谓BO/MOS 二、BO/MOS制造工艺 1、m沟增强型Si栅、BO/MOS制造程序 2、BO/MOS的关键工艺及解决办法 a. 单晶一多晶硅同步淀积问题. b. F离子注入的作用。     

灵敏的CMOS温度传感器

已经报道了几个用双极型技术制造的灵敏温度传感器.我们这里的目的是用标准的阱CMOS技术制造一个灵敏的传感器,这个传感器不但要和双极型技术制成的传感器有同样的精度和稳定性,而且还要增加CMOS技术固有的数学处理能力.采用的电路包括四个主要部分:(1)、一个与温度有关的电流源;(2)、一个参考电流源;(3)、一个电流一频率转换器;(4)、一个数字信号处理器.第(1)部分用两个横向晶体管产生的PTAT电压~2;它的工艺与任何标准CMOS工艺兼容.这一部分作为温度一电流转换器.第(2)部分为芯片上的A/D转换器产生一个电流参考源.它组合了两部分电流;其一是     

CMOS影像传感器

CMOS的发展 刚开始时,人们认为CMOS影像传感器的感应表现远远不及CCD影像传感器.CMOS的实际的应用也都是相当简单、初级的应用,一个典型的例子就是传统的馈纸式传真机,传真机内应用了黑白灰阶感应的CMOS影像传感器,用作感应纸张内容,然后将感应的内容通过电话传递到另一端.     

宽带CMOS开关

NEC公司UPD5710TK CMOS SPDT开关用于T／R(发射和接收)、天线分集、频带选择和其他常规射频开关应用，为设计人员提供一种GaAs IC开关的替代产品，也是低器件数的二级管替代产品。UPD5710TK只需单条控制电压线，无需射频线路上的隔离电容器，到直流都可保持宽带性能。其性能包括：频率范围DC～2．5GHz；控制电压值1．8V到3．3V／     

封闭式CMOS集成电路

CMOS集成电路具有功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压范围宽的优点。因些自六十年代问世以来,发展迅速,目前已广泛地应用于各类基本电路,手表,存贮器和微处理机。但是由于CMOSS集成电路中必须采有重参杂的扩散条将各元件包围起来。这样就增大了电子的无沅区面积。集成是目前CMOS集成电路的一个主要缺点。估计NMOS,PMOS,TTL (LSI),CMOS和TTL(MSI)的单门面积此的为1:1:2:4:10:10。从近几年的发展来看,大规模集成电路的单片（应数/）大约每年提高一倍,但是CMOSR单片容量总是只有同期NMOS的四分之一。例如1976年NMOS动态RAM生产水平已达16位。